【技术实现步骤摘要】
201610279110
【技术保护点】
一种制造平面光波导器件的方法,其特征在于,包括:在晶圆衬底上沉积光波导芯层;退火硬化,使得所述芯层致密均匀;采用物理气相沉积法形成金属掩膜层;涂光刻胶,并进行曝光显影;去光刻胶,反应离子RIE刻蚀金属掩膜;感应耦合ICP刻蚀芯层;采用火焰水解FHD沉积光波导上包层;退火硬化,使得上包层致密均匀;其中,所述晶圆衬底的氢氧根离子小于200PPM,表面残余应力小于1MPa。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:陈波,郑煜,彭延斌,余朝晃,
申请(专利权)人:湖南新中合光电科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:湖南;43
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