以硫酸钙晶须改性的聚碳酸酯合金材料及其制法制造技术

技术编号:13298457 阅读:128 留言:0更新日期:2016-07-09 16:28
本发明专利技术公开一种以硫酸钙晶须改性的聚碳酸酯合金材料及其制法,制法包括下列步骤:将CSW与偶联剂按重量比5~20:1混合并活化处理,得到半修饰CSW;再与分散剂、白油按重量比2~10:1:10~20共混处理得到超分散半修饰CSW;再与PC合金共混料按重量比1:100~600混合形成CSW-PC混合物;进行熔融挤出造粒,冷却得表面改性CSW-PC合金颗粒;按照重量比10~30:40~90:1~5:0.1~0.6:0.1~0.6混合表面改性CSW-PC合金颗粒、PC合金共混料、相容剂、抗氧剂、润滑剂,再进行熔融挤出造粒得到以硫酸钙晶须改性的聚碳酸酯合金材料。本发明专利技术可以提高CSW在聚酯合金中的分散性。

【技术实现步骤摘要】
201410743795
<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/27/201410743795.html" title="以硫酸钙晶须改性的聚碳酸酯合金材料及其制法原文来自X技术">以硫酸钙晶须改性的聚碳酸酯合金材料及其制法</a>

【技术保护点】
一种以硫酸钙晶须改性的聚碳酸酯合金材料制备方法,其特征在于,包括下列步骤:1)将硫酸钙晶须与有机硅烷类偶联剂按重量比5~20:1混合并活化处理,得到半修饰CSW;所述混合并活化处理的处理条件为:温度90~160℃,搅拌速度300~1000rpm,搅拌时间10~50min;2)将所述半修饰CSW、分散剂与白油按重量比2~10:1:10~20共混处理得到超分散半修饰CSW;3)将所述超分散半修饰CSW与聚碳酸酯合金共混料按重量比1:100~600混合形成CSW‑PC混合物;4)将所述CSW‑PC混合物进行熔融挤出造粒,冷却得表面改性CSW‑PC合金颗粒;5)按照重量比10~30:40~90:1~5:0.1~0.6:0.1~0.6混合所述表面改性CSW‑PC合金颗粒、PC合金共混料、相容剂、抗氧剂、润滑剂,再进行熔融挤出造粒得到以硫酸钙晶须改性的聚碳酸酯合金材料。

【技术特征摘要】
1.一种以硫酸钙晶须改性的聚碳酸酯合金材料制备方法,其特征在于,
包括下列步骤:
1)将硫酸钙晶须与有机硅烷类偶联剂按重量比5~20:1混合并活化处理,
得到半修饰CSW;所述混合并活化处理的处理条件为:温度90~160℃,搅拌
速度300~1000rpm,搅拌时间10~50min;
2)将所述半修饰CSW、分散剂与白油按重量比2~10:1:10~20共混处
理得到超分散半修饰CSW;
3)将所述超分散半修饰CSW与聚碳酸酯合金共混料按重量比1:100~600
混合形成CSW-PC混合物;
4)将所述CSW-PC混合物进行熔融挤出造粒,冷却得表面改性CSW-PC
合金颗粒;
5)按照重量比10~30:40~90:1~5:0.1~0.6:0.1~0.6混合所述表面改性
CSW-PC合金颗粒、PC合金共混料、相容剂、抗氧剂、润滑剂,再进行熔融
挤出造粒得到以硫酸钙晶须改性的聚碳酸酯合金材料。
2.根据权利要求1所述的以硫酸钙晶须改性的聚碳酸酯合金材料制备方
法,其特征在于,于步骤1)中,CSW是由天然石膏或人造石膏制备得到的
半水或无水石膏晶须材料。
3.根据权利要求1所述的以硫酸钙晶须改性的聚碳酸酯合金材料制备方
法,其特征在于,于步骤1)中,所述有机硅烷类偶联剂为TESPT、TESPD、
KH550或A-189中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的以硫酸钙晶须改性的聚碳酸酯合金材料制备方
法,其特征在于,于步骤1)中,将硫酸钙晶须与偶联剂按重量比10~15:1
混合并活化处理。
5.根据权利要求1所述的以硫酸钙晶须改性的聚碳酸酯合金材料制备方
法,其特征在于,于步骤1)中,所述混合并活化处理的处理条件为:温度
110~120℃,搅拌速度500~800rpm,搅拌时间20~30min。
6.根据权利要求1所述的以硫酸钙晶须改性的聚碳酸酯合金材料制备方
法,其特征在于,于步骤2)中,分散剂为烷基化聚酯类分散剂、乙二胺四乙

\t酸钠类分散剂、木质素类分散剂或聚羧酸盐类分散剂中的一种或几种。
7.根据权利要求1所述的以硫酸钙晶须改性的聚碳酸酯合金材料制备方
法,其特征在于,于步骤2)中,将所述半修饰CSW、分散剂与白油按重量
比2~6:1:10~18共混处理得到超分散半修饰CSW。
8.根据权利要求1所述的以硫酸钙晶须改性的聚碳酸酯合金材料制备方
法...

【专利技术属性】
技术研发人员:葛腾杰王华邹恩广王斯晗褚洪岭姜进宪高宇新宋磊赵成才于占元安彦杰韦德帅王文燕张明强张德英王世华于波李冬霞方宏李波赵吉娜吕红丽李岩姜丽丽
申请(专利权)人:中国石油天然气股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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