TFT基板的制作方法及制得的TFT基板技术

本发明专利技术提供一种TFT基板的制作方法及制得的TFT基板，通过在第一源极与漏极之间设置第一沟道区与第一轻掺杂补偿区，在第二源极与漏极之间设置第二沟道区与第二轻掺杂补偿区，且所述漏极和第二源极分别与所述栅极之间形成第一重叠区和第二重叠区，从而使得从第一、第二源极流向漏极的电流与从漏极流向第一、第二源极的电流所经过的路径相同，即从源极到漏极与从漏极到源极的电流路径相同，从而实现了TFT结构的对称性，在实际工作中将漏极与源极互换使用也不会影响流过TFT器件的电流，提升了TFT器件的电学性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及制得的TFT基板。
技术介绍
OLED是一种极具发展前景的平板显示技术，它具有十分优异的显示性能，特别是自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性，被誉为“梦幻显示器”，再加上其生产设备投资远小于TFT-LCD，得到了各大显示器厂家的青睐，已成为显示
中第三代显示器件的主力军。目前OLED已处于大规模量产的前夜，随着研究的进一步深入，新技术的不断涌现，OLED显示器件必将有一个突破性的发展。OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。目前，AMOLED正在逐步走向成熟，在AMOLED中，需要以电流作为驱动，低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，LTPS)具有较大的迁移率，以其为有源层制作的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)可以满足AMOLED的电流驱动模式。低温多晶硅薄膜晶体管(LTPSTFT)具有较高的迁移率，可以得到比较高的开态电流，但是由于LTPS中晶粒存在造成的缺陷，会导致LTPSTFT在关态时会出现较高的关态电流。为了减小LTPSTFT的关态电流，可以采用轻掺杂补偿(LightlyDopedOffset)结构。Offset结构目前已被研究的较多，但是offset结构形成高阻区会降低LTPSTFT的开态电流，为了获得较高的开态电流，可以对offset结构进行改进。在具有offset结构的LTPSTFT中，为了减小高阻区对开态电流的影响，可以在TFT中增加重叠(overlap)结构，即源电极或漏电极与栅电极存在重叠区域，可以降低沟道长度和减小高阻区域，进而会提高开态电流。在LTPSTFT中，源电极或者漏电极分别采用offset和overlap结构，可以实现较小的关态电流，同时开态电流受到影响较小。但是，在一个LTPSTFT中，在源电极和漏电极分别采用offset和overlap结构时，会导致TFT结构出现不对称性，TFT在实际工作中，源电极或者漏电极互换时会因器件的不对称性而影响流过器件的电流。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，通过将栅极、以及源极或漏极设计为U形结构，使得TFT中的电流从漏极到源极或者从源极到漏极的通路均需通过两个offset结构与两个overlap结构，不仅可以降低关态电流，提高开态电流，而且电流通路还具有对称性，避免了器件结构不对称对LTPSTFT中电流通路的影响，提升了TFT器件的电学性能。本专利技术的目的还在于提供一种TFT基板，TFT中的电流从漏极到源极或者从源极到漏极的通路均需通过两个offset结构与两个overlap结构，不仅可以降低关态电流，提高开态电流，而且电流通路还具有对称性，避免了器件结构不对称对LTPSTFT中电流通路的影响，提升了TFT器件的电学性能。为实现上述目的，本专利技术提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：步骤1、提供一基板，在所述基板上形成栅极，所述栅极为U形结构，包括第一竖直部、第二竖直部、以及连接第一与第二竖直部对应端部的横向连接部；步骤2、在所述栅极及基板上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积非晶硅，得到非晶硅薄膜，采用低温结晶工艺将所述非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜，采用一道光罩对所述多晶硅薄膜进行图形化处理，得到有源层；步骤3、对整个有源层进行离子轻掺杂；对所述有源层上的部分区域进行离子重掺杂，对应该部分区域形成漏极接触区以及分别位于所述漏极接触区的两侧且与其间隔一定距离的第一源极接触区与第二源极接触区；其中，所述漏极接触区的左侧与所述栅极的第一竖直部的右侧部分重叠；所述第二源极接触区的左侧与所述栅极的第二竖直部的右侧部分重叠；所述有源层上位于所述第一源极接触区的右侧边缘与所述栅极的第一竖直部的左侧边缘之间的区域形成第一轻掺杂补偿区，位于所述栅极的第一竖直部的左侧边缘与所述漏极接触区的左侧边缘之间的区域形成第一沟道区，位于所述漏极接触区的右侧边缘与所述栅极的第二竖直部的左侧边缘之间的区域形成第二轻掺杂补偿区，位于所述栅极的第二竖直部的左侧边缘与所述第二源极接触区的左侧边缘之间的区域形成第二沟道区；步骤4、在所述有源层上分别对应第一源极接触区、第二源极接触区、及漏极接触区的位置形成第一源极、第二源极、及漏极，且所述漏极的左侧与所述栅极的第一竖直部的右侧之间形成第一重叠区，所述第二源极的左侧与所述栅极的第二竖直部的右侧之间形成第二重叠区；步骤5、在所述第一源极、第二源极、漏极、有源层、及栅极绝缘层上沉积钝化保护层，采用一道光罩对所述钝化保护层进行图形化处理，分别对应于所述第一源极、第二源极、漏极上方形成第一通孔、第二通孔、及第三通孔；步骤6、在所述钝化保护层上沉积导电层，采用一道光罩对所述导电层进行图形化处理，得到第一接触电极、第二接触电极、第三接触电极、及连接导线，所述第一、第二接触电极分别经由第一、第二通孔与第一、第二源极相接触，所述第三接触电极经由第三通孔与漏极相接触；所述连接导线将所述第一与第二接触电极连接在一起，由于所述第一、第二接触电极分别与所述第一、第二源极相连，从而将所述第一、第二源极连接在一起，形成一U形的源极，从而制得一TFT基板。所述第一沟道区与第二沟道区的宽度相等，所述第一轻掺杂补偿区与第二轻掺杂补偿区的宽度相等，所述第一重叠区和第二重叠区的宽度相等。所述步骤3中，对整个有源层进行N型离子轻掺杂，对应所述第一源极接触区、第二源极接触区、及漏极接触区的位置对所述有源层进行P型离子重掺杂；或者，对整个有源层进行P型离子轻掺杂，对应所述第一源极接触区、第二源极接触区、及漏极接触区的位置对所述有源层进行N型离子重掺杂。所述栅极的制备方法为：通过在基板上沉积金属层，采用一道光罩对该金属层进行图形化处理，得到栅极；或者为：通过在基板上形成多晶硅层，对该多晶硅层进行N型掺杂后，采用一道光罩对N型掺杂多晶硅层进行图形化处理，得到栅极；所述第一源极、第二源极、及漏极的制备方法为：通过在有源层及栅极绝缘层上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上形成栅极(20)，所述栅极(20)为U形结构，包括第一竖直部(21)、第二竖直部(22)、以及连接第一与第二竖直部(21、22)对应端部的横向连接部(23)；步骤2、在所述栅极(20)及基板(10)上沉积栅极绝缘层(30)，在所述栅极绝缘层(30)上沉积非晶硅，得到非晶硅薄膜，采用低温结晶工艺将所述非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜，采用一道光罩对所述多晶硅薄膜进行图形化处理，得到有源层(40)；步骤3、对整个有源层(40)进行离子轻掺杂；对所述有源层(40)上的部分区域进行离子重掺杂，对应该部分区域形成漏极接触区(47)以及分别位于所述漏极接触区(47)的两侧且与其间隔一定距离的第一源极接触区(45)与第二源极接触区(46)；其中，所述漏极接触区(47)的左侧与所述栅极(20)的第一竖直部(21)的右侧部分重叠；所述第二源极接触区(46)的左侧与所述栅极(20)的第二竖直部(22)的右侧部分重叠；所述有源层(40)上位于所述第一源极接触区(45)的右侧边缘与所述栅极(20)的第一竖直部(21)的左侧边缘之间的区域形成第一轻掺杂补偿区(43)，位于所述栅极(20)的第一竖直部(21)的左侧边缘与所述漏极接触区(47)的左侧边缘之间的区域形成第一沟道区(41)，位于所述漏极接触区(47)的右侧边缘与所述栅极(20)的第二竖直部(22)的左侧边缘之间的区域形成第二轻掺杂补偿区(44)，位于所述栅极(20)的第二竖直部(22)的左侧边缘与所述第二源极接触区(46)的左侧边缘之间的区域形成第二沟道区(42)；步骤4、在所述有源层(40)上分别对应第一源极接触区(45)、第二源极接触区(46)、及漏极接触区(47)的位置形成第一源极(51)、第二源极(52)、及漏极(53)，且所述漏极(53)的左侧与所述栅极(20)的第一竖直部(21)的右侧之间形成第一重叠区(510)，所述第二源极(52)的左侧与所述栅极(20)的第二竖直部(21)的右侧之间形成第二重叠区(520)；步骤5、在所述第一源极(51)、第二源极(52)、漏极(53)、有源层(40)、及栅极绝缘层(30)上沉积钝化保护层(60)，采用一道光罩对所述钝化保护层(60)进行图形化处理，分别对应于所述第一源极(51)、第二源极(52)、漏极(53)上方形成第一通孔(61)、第二通孔(62)、及第三通孔(63)；步骤6、在所述钝化保护层(60)上沉积导电层，采用一道光罩对所述导电层进行图形化处理，得到第一接触电极(71)、第二接触电极(72)、第三接触电极(73)、及连接导线(80)，所述第一、第二接触电极(71、72)分别经由第一、第二通孔(61、62)与第一、第二源极(51、52)相接触，所述第三接触电极(73)经由第三通孔(63)与漏极(53)相接触；所述连接导线(80)将所述第一与第二接触电极(71、72)连接在一起，由于所述第一、第二接触电极(71、72)分别与所述第一、第二源极(51、52)相连，从而将所述第一、第二源极(51、52)连接在一起，形成一U形的源极(90)，从而制得一TFT基板。...

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上形成栅极(20)，所述栅
极(20)为U形结构，包括第一竖直部(21)、第二竖直部(22)、以及连接第
一与第二竖直部(21、22)对应端部的横向连接部(23)；
步骤2、在所述栅极(20)及基板(10)上沉积栅极绝缘层(30)，在所述
栅极绝缘层(30)上沉积非晶硅，得到非晶硅薄膜，采用低温结晶工艺将所述
非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜，采用一道光罩对所述多晶硅薄膜进行图形化处
理，得到有源层(40)；
步骤3、对整个有源层(40)进行离子轻掺杂；对所述有源层(40)上的
部分区域进行离子重掺杂，对应该部分区域形成漏极接触区(47)以及分别位
于所述漏极接触区(47)的两侧且与其间隔一定距离的第一源极接触区(45)
与第二源极接触区(46)；
其中，所述漏极接触区(47)的左侧与所述栅极(20)的第一竖直部(21)
的右侧部分重叠；所述第二源极接触区(46)的左侧与所述栅极(20)的第二
竖直部(22)的右侧部分重叠；
所述有源层(40)上位于所述第一源极接触区(45)的右侧边缘与所述栅
极(20)的第一竖直部(21)的左侧边缘之间的区域形成第一轻掺杂补偿区(43)，
位于所述栅极(20)的第一竖直部(21)的左侧边缘与所述漏极接触区(47)
的左侧边缘之间的区域形成第一沟道区(41)，位于所述漏极接触区(47)的
右侧边缘与所述栅极(20)的第二竖直部(22)的左侧边缘之间的区域形成第
二轻掺杂补偿区(44)，位于所述栅极(20)的第二竖直部(22)的左侧边缘
与所述第二源极接触区(46)的左侧边缘之间的区域形成第二沟道区(42)；
步骤4、在所述有源层(40)上分别对应第一源极接触区(45)、第二源极
接触区(46)、及漏极接触区(47)的位置形成第一源极(51)、第二源极(52)、
及漏极(53)，且所述漏极(53)的左侧与所述栅极(20)的第一竖直部(21)
的右侧之间形成第一重叠区(510)，所述第二源极(52)的左侧与所述栅极(20)
的第二竖直部(21)的右侧之间形成第二重叠区(520)；
步骤5、在所述第一源极(51)、第二源极(52)、漏极(53)、有源层(40)、

\t及栅极绝缘层(30)上沉积钝化保护层(60)，采用一道光罩对所述钝化保护
层(60)进行图形化处理，分别对应于所述第一源极(51)、第二源极(52)、
漏极(53)上方形成第一通孔(61)、第二通孔(62)、及第三通孔(63)；
步骤6、在所述钝化保护层(60)上沉积导电层，采用一道光罩对所述导
电层进行图形化处理，得到第一接触电极(71)、第二接触电极(72)、第三接
触电极(73)、及连接导线(80)，所述第一、第二接触电极(71、72)分别经
由第一、第二通孔(61、62)与第一、第二源极(51、52)相接触，所述第三
接触电极(73)经由第三通孔(63)与漏极(53)相接触；
所述连接导线(80)将所述第一与第二接触电极(71、72)连接在一起，
由于所述第一、第二接触电极(71、72)分别与所述第一、第二源极(51、52)
相连，从而将所述第一、第二源极(51、52)连接在一起，形成一U形的源极
(90)，从而制得一TFT基板。
2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一沟道
区(41)与第二沟道区(42)的宽度相等，所述第一轻掺杂补偿区(43)与第
二轻掺杂补偿区(44)的宽度相等，所述第一重叠区(510)和第二重叠区(520)
的宽度相等。
3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3中，
对整个有源层(40)进行N型离子轻掺杂，对应所述第一源极接触区(45)、
第二源极接触区(46)、及漏极接触区(47)的位置对所述有源层(40)进行P
型离子重掺杂；或者，对整个有源层(40)进行P型离子轻掺杂，对应所述第
一源极接触区(45)、第二源极接触区(46)、及漏极接触区(47)的位置对所
述有源层(40)进行N型离子重掺杂。
4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述栅极(20)
的制备方法为：通过在基板(10)上沉积金属层，采用一道光罩对该金属层进
行图形化处理，得到栅极(20)；或者为：通过在基板(10)上形成多晶硅层，
对该多晶硅层进行N型掺杂后，采用一道光罩对N型掺杂多晶硅层进行图形化
处理，得到栅极(20)；
所述第一源极(51)...

【专利技术属性】
技术研发人员：迟世鹏，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44