发光装置及投影仪制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够减少增益饱和而实现高输出化的发光装置及投影仪。在本发明专利技术的发光装置(100)中，第二电极设置在脊部(128)的上方，从活性层与第一覆层的层叠方向观察，脊部(128)具有一定的宽度，第二覆层具有与第二电极电连接的电连接区域(2)，从层叠方向观察，活性层在与脊部(128)重叠的区域构成引导光的光波导路(160)，光波导路(160)具有射出光的第一光出射面(170)和第二光出射面(172)，从层叠方向观察，至第一光出射面(170)和第二光出射面(172)的距离相等的中心位置(C)的电连接区域(2)的宽度(W1)比沿光波导路160的延伸方向的电连接区域2的端部的宽度(W2)、(W3)小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光装置及投影仪。
技术介绍
半导体激光器、超辐射发光二极管(SuperLuminescentDiode，以下也称为“SLD”)等半导体发光装置被用作为例如投影仪的光源。SLD是一种与普通发光二极管同样地具有非相干性且显示出宽带的谱形但在光输出特性上却与半导体激光器同样地能以单一元件获得多达数百mW程度的输出的半导体发光装置。在SLD中，已知有在注入活性层电流的区域两侧设置使折射率降低的构造而将光限制(閉じ込める)于平面内方向的折射率波导型与未设置降低折射率的构造而使在活性层电流注入的区域直接成为光波导路的增益波导型。在折射率波导型中，由于可将光有效地限制而放大，因此能够实现更高效的SLD。例如在专利文献1中已公开了一种具有带状的倾斜波导路的折射率波导型的SLD。在上述那样的SLD的光波导路中，光朝着射出光的光出射面呈指数函数地被放大。因此，在光出射面附近，有时会由于转换为光的载流子的量不足而发生增益饱和，导致SLD的输出下降。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-43950号公报
技术实现思路
本专利技术的几个方面所涉及的目的之一在于，提供能够降低增益饱和而实现高输出化的发光装置。另外，本专利技术的几个方面所涉及的目的之一在于，提供包括上述发光装置的投影仪。本专利技术的发光装置包括：第一覆层；活性层，设于所述第一覆层上，并且，所述活性层被注入电流而能产生光；第二覆层，设于所述活性层上，包括厚度大于其它部分的脊部；以及第一电极和第二电极，向所述活性层注入电流，所述第二电极设于所述脊部的上方，从所述活性层与所述第一覆层的层叠方向观察，所述脊部具有一定的宽度，所述第二覆层具有与所述第二电极电连接的电连接区域，从所述层叠方向观察，所述活性层在与所述脊部重叠的区域构成引导光的光波导路，所述光波导路具有射出光的第一光出射面和第二光出射面，从所述层叠方向观察，至所述第一光出射面和所述第二光出射面的距离相等的中心位置的所述电连接区域的宽度小于沿所述光波导路的延伸方向的所述电连接区域的端部的宽度。在这样的发光装置中，能够减少增益饱和，实现高输出化。另外，在本专利技术所涉及的记载中，将“上方”这样的词语用在例如“在特定的构件(下文中称为‘A’)的‘上方’形成其它特定的构件(下文中称为‘B’)”等的情况下，使用“上方”这样的词语包括如下情况：在A上直接地形成B、与在A上经由其它构件而形成B。在本专利技术的发光装置中，所述发光装置还包括设于所述脊部与所述第二电极之间的接触层，从所述层叠方向观察，在所述中心位置的所述接触层的宽度可以小于在所述电连接区域的端部的所述接触层的宽度。在这样的发光装置中，能够减少增益饱和，实现高输出化。在本专利技术的发光装置中，从所述层叠方向观察，所述电连接区域的宽度可以随着从所述中心位置朝向所述电连接区域的端部而逐渐变大。在这样的发光装置中，能够高效地射出光。在本专利技术的发光装置中，所述光波导路可以在相对于所述第一光出射面的法线和所述第二光出射面的法线倾斜的方向上延伸。在这样的发光装置中，由于能够不构成直接的谐振器，因此能够抑制在光波导路产生的光的激光振荡。其结果，这样的发光装置能够减少斑点噪声。在本专利技术的发光装置中，所述光波导路具有：包括所述中心位置的第一区域；包括所述第一光出射面的第二区域；以及包括所述第二光出射面的第三区域，所述第二覆层具有未与所述第二电极电连接的多个非接触区域，从所述活性层与所述第一覆层的层叠方向观察，所述多个非接触区域与所述光波导路交叉，从所述层叠方向观察，所述多个非接触区域和所述第一区域相重叠的面积与所述第一区域的面积之比可以大于所述多个非接触区域和所述第二区域相重叠的面积与所述第二区域的面积之比、且大于所述多个非接触区域和所述第三区域相重叠的面积与所述第三区域的面积之比。在这样的发光装置中，能够减少增益饱和，实现高输出化。本专利技术的投影仪，包括：本专利技术所涉及的发光装置；光调制装置，根据图像信息调制从所述发光装置射出的光；以及投影装置，投射通过所述光调制装置形成的图像。在这样的投影仪中，由于包括本专利技术所涉及的发光装置，因此能够实现高亮度化。附图说明图1是示意性示出第一实施方式的发光装置的立体图。图2是示意性示出第一实施方式的发光装置的俯视图。图3是示意性示出第一实施方式的发光装置的截面图。图4是示意性示出第一实施方式的发光装置的截面图。图5的(a)和(b)是用于说明光波导路的延伸方向的位置与光强度及平均单位长度的电流量的关系图。图6的(a)和(b)是用于说明光波导路的延伸方向的位置与光强度及平均单位长度的电流量的关系图。图7是用于说明光波导路的延伸方向的位置与光强度的关系图。图8是示意性示出参考例的发光装置的立体图。图9是示意性示出第一实施方式的发光装置的制造工序的截面图。图10是示意性示出第一实施方式的发光装置的制造工序的截面图。图11是示意性示出第一实施方式的第一变形例的发光装置的立体图。图12是示意性示出第一实施方式的第一变形例的发光装置的俯视图。图13是示意性示出第一实施方式的第一变形例的发光装置的截面图。图14是示意性示出第一实施方式的第一变形例的发光装置的截面图。图15是示意性示出第一实施方式的第二变形例的发光装置的俯视图。图16是示意性示出第一实施方式的第三变形例的发光装置的俯视图。图17是用于说明光波导路的延伸方向的位置与平均单位长度的电流量的关系图。图18是示意性示出第一实施方式的第四变形例的发光装置的俯视图。图19是示意性示出第一实施方式的第五变形例的发光装置的俯视图。图20是示意性示出第一实施方式的第五变形例的发光装置的截面图。图21是示意性示出第二实施方式的发光装置的俯视图。图22是示意性示出第二实施方式的发光装置的截面图。图23是示意性示出第二实施方式的发光装置的截面图。图24是示意性示出第二实施方式的发光装置的截面图。图25是示意性示出第二实施方式的变形例的发光装置的俯视图。图26是示意性示出第三实施方式的投影仪的截面图。符号说明2…电连接区域、2a、2b…边界线、12…第一端区域、18…非接触区域、22…第二端区域、32…中心区域、100…发光装置、102…基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，包括：第一覆层；活性层，设于所述第一覆层上，并且，所述活性层被注入电流而能产生光；第二覆层，设于所述活性层上，包括厚度大于其它部分的脊部；以及第一电极和第二电极，向所述活性层注入电流，所述第二电极设于所述脊部的上方，从所述活性层与所述第一覆层的层叠方向观察，所述脊部具有一定的宽度，所述第二覆层具有与所述第二电极电连接的电连接区域，从所述层叠方向观察，所述活性层在与所述脊部重叠的区域构成引导光的光波导路，所述光波导路具有射出光的第一光出射面和第二光出射面，从所述层叠方向观察，至所述第一光出射面和所述第二光出射面的距离相等的中心位置的所述电连接区域的宽度小于沿所述光波导路的延伸方向的所述电连接区域的端部的宽度。

【技术特征摘要】
2014.12.24 JP 2014-2609441.一种发光装置，其特征在于，包括：
第一覆层；
活性层，设于所述第一覆层上，并且，所述活性层被注入电流
而能产生光；
第二覆层，设于所述活性层上，包括厚度大于其它部分的脊部；
以及
第一电极和第二电极，向所述活性层注入电流，
所述第二电极设于所述脊部的上方，
从所述活性层与所述第一覆层的层叠方向观察，所述脊部具有
一定的宽度，
所述第二覆层具有与所述第二电极电连接的电连接区域，
从所述层叠方向观察，所述活性层在与所述脊部重叠的区域构
成引导光的光波导路，
所述光波导路具有射出光的第一光出射面和第二光出射面，
从所述层叠方向观察，至所述第一光出射面和所述第二光出射
面的距离相等的中心位置的所述电连接区域的宽度小于沿所述光波
导路的延伸方向的所述电连接区域的端部的宽度。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述发光装置还包括设于所述脊部与所述第二电极之间的接触
层，
从所述层叠方向观察，在所述中心位置的所述接触层的宽度小
于在所述电连接区域的端部的所述接触层的宽度。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：西冈大毅，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP