基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种用于在处理容器内独立且面内均匀地对多个基板进行处理的基板处理装置。晶圆处理装置包括：处理容器，其用于气密地容纳晶圆；载置台，其设有多个，该载置台用于在处理容器内载置晶圆；处理气体供给部，其用于自载置台的上方朝向晶圆供给处理气体；排气机构，其用于对处理容器内进行排气；分隔壁，其配置在处理容器内，该分隔壁以与各载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围载置台；以及内壁，其为圆筒形状，该内壁配置在处理容器的底面且以与载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围该载置台，在内壁上形成有狭缝，经由狭缝进行处理空间内的处理气体的排气。在内壁上设有使处理空间内的处理气体以不直接流入狭缝的方式迂回的分隔板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种使用规定的处理气体进行基板处理的基板处理装置。
技术介绍
近年来，随着半导体器件的精细化，替代干蚀刻、湿蚀刻这样的以往的蚀刻技术而使用被称作化学氧化物去除(ChemicalOxideRemoval：COR)处理的、能够进行更精细化蚀刻的方法。COR处理是如下那样的处理：在被保持为真空的处理容器内，例如对作为被处理体的半导体晶圆(以下，称作“晶圆”)供给处理气体，使这些气体和例如形成在晶圆上的膜发生反应而生成生成物。通过在下一工序中对利用COR处理在晶圆表面上生成的生成物进行加热处理而使该生成物升华，由此将晶圆表面的膜去除。这样的COR处理是在一张张地对晶圆进行处理的单片式的处理装置中进行的，但近年来，为了提高生产率，有时也使用对多张晶圆同时进行处理的处理装置(专利文献1)。在专利文献1的处理装置中，为了防止在多张、例如两张晶圆表面上处理气体的流动变得不均匀，提出一种设置用于将处理容器内分隔成处理空间和排气空间的挡板的方案。专利文献1：日本特开2007－214513号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，近年来，晶圆处理的均匀性的要求变得严格，在所述那样的对两张晶圆同时进行处理的处理装置中，难以确保在各晶圆表面上的处理气体的均匀性。另外，在对两张晶圆同时进行处理的处理装置中，还存在欲以独立的制程对各晶圆并行地进行处理这样的要求，并还期望相对于各晶圆形成独立的处理空间。本专利技术是鉴于所述点而做出的，其目的在于，在处理容器内对多个基板独立且面内均匀地进行处理。用于解决问题的方案为了实现所述目的，本专利技术提供一种基板处理装置，其用于对基板进行处理，其特征在于，该基板处理装置包括：处理容器，其用于气密地容纳基板；载置台，其设有多个，该载置台用于在所述处理容器内载置基板；处理气体供给部，其用于自所述载置台的上方朝向所述载置台供给处理气体；排气机构，其用于对所述处理容器内进行排气；分隔壁，其配置在所述处理容器内，该分隔壁以与各所述载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围各所述载置台；升降机构，其用于使所述分隔壁在退避位置与基板处理位置之间升降；以及内壁，其为圆筒形状，该内壁配置在所述处理容器的底面且以与所述载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围该载置台，通过使所述分隔壁移动到所述基板处理位置，从而由所述分隔壁和所述内壁形成基板的处理空间，在所述内壁上形成有狭缝，经由所述狭缝进行所述处理空间内的处理气体的排气，在所述内壁上设有使所述处理空间内的处理气体以不直接流入所述狭缝的方式迂回的分隔板。采用本专利技术，由于包括独立地包围多个载置台的分隔壁和内壁，因此能够在每个载置台处独立地形成处理空间。并且，由于将处理空间内的处理气体自形成在内壁上的狭缝排出，因此能够针对每个基板确保气体流动的均匀性，从而能够进行面内均匀的基板处理。另外，本专利技术人确认了如下内容：即使是在利用相对于各载置台共用地设置的排气机构对处理空间内进行排气并经由狭缝对各处理空间内进行排气时，也存在处理气体在各处理空间内相互干涉的情况。对于该点，在本专利技术中，在内壁上设置了使处理空间内的处理气体以不直接流入狭缝的方式迂回的分隔板，因此，与没有设置分隔板的情况相比，使内壁内的处理气体的排气路径变长。这样一来，排气路径的传导性(conductance)变小，气体不易自外部进入到内壁内。其结果，能够防止处理气体在各处理空间内相互干涉，从而能够针对每个基板独立地进行面内均匀的基板处理。也可以是，所述内壁配置在比所述载置台的基板载置面靠下方的位置。也可以是，所述狭缝在所述内壁的侧面的比所述载置台的载置面靠下方的位置等间隔地设有多个，所述分隔板配置在使得不能自所述内壁的中心看到所述狭缝的位置。也可以是，所述分隔板具有与所述内壁的内侧面平行的圆弧形状，所述处理空间内的处理气体沿着所述内壁的周向在所述分隔板与所述内壁的内侧面之间流动。专利技术的效果采用本专利技术，能够在处理容器内对多个基板独立且面内均匀地进行处理。附图说明图1是表示本实施方式的基板处理装置的概略结构的纵剖视图。图2是表示分隔壁的概略结构的立体图。图3是表示另一实施方式的基板处理装置的概略结构的纵剖视图。图4是表示内壁的概略结构的立体图。图5是表示内壁的概略结构的横剖视图。具体实施方式以下，参照附图说明本专利技术的实施方式。此外，在本说明书和附图中，通过对实质上具有相同的功能结构的构成要件标注相同的附图标记来省略重复说明。图1是概略地表示作为本实施方式的基板处理装置的晶圆处理装置1的纵剖视图。此外，在本实施方式中，以晶圆处理装置1为用于对例如晶圆W进行COR处理的COR处理装置的情况为例进行说明。例如，如图1所示，晶圆处理装置1包括气密地构成的处理容器10、用于在处理容器10内载置晶圆W的多台、在本实施方式中为两台载置台11、12、作为用于自载置台11、12的上方朝向载置台11、12供给处理气体的处理气体供给部的喷头13、将各载置台11、12的外侧包围的升降自如的分隔壁14、固定在处理容器10的底部且将各载置台11、12的外侧分别独立地包围的内壁15、15、以及用于使分隔壁14升降的升降机构16。处理容器10是由例如铝、不锈钢等金属形成的、在整体上为例如大致长方体状的容器。处理容器10包括：侧壁20，其为上表面和下表面开口的筒状，且该侧壁20的平面视形状为例如大致矩形；顶板21，其气密地覆盖侧壁20的上表面；以及底板22，其覆盖侧壁20的下表面。在侧壁20的上端面与顶板21之间设有用于将处理容器10内保持为气密的未图示的密封构件。载置台11、12形成为大致圆筒形状，分别包括：上部台11a、12a，该上部台11a、12a具有用于载置晶圆W的载置面；以及下部台11b、12b，该下部台11b、12b固定于底板22，用于支承上部台11a、12a。在上部台11a、12a中分别内置有用于对晶圆W的温度进行调整的温度调整机构30。温度调整机构30通过使例如水等制冷剂循环来对载置台11的温度进行调整，从而对载置台11上的晶圆W的温度进行控制。此外，如上所述，载置台11和载置台12具有相同的结构，以下，在没有特别提及的情况下，同载置台11有关的记载对于载置台12也是相同的，因此省略与载置台12有关的记载。另外，在底板22的位于载置台11的下方的位置上设有未图示的支承销单元，该支承销本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其用于对基板进行处理，其特征在于，该基板处理装置包括：处理容器，其用于气密地容纳基板；载置台，其设有多个，该载置台用于在所述处理容器内载置基板；处理气体供给部，其用于自所述载置台的上方朝向所述载置台供给处理气体；排气机构，其用于对所述处理容器内进行排气；分隔壁，其配置在所述处理容器内，该分隔壁以与各所述载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围各所述载置台；升降机构，其用于使所述分隔壁在退避位置与基板处理位置之间升降；以及内壁，其为圆筒形状，该内壁配置在所述处理容器的底面且以与所述载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围该载置台，通过使所述分隔壁移动到所述基板处理位置，从而由所述分隔壁和所述内壁形成基板的处理空间，在所述内壁上形成有狭缝，经由所述狭缝进行所述处理空间内的处理气体的排气，在所述内壁上设有使所述处理空间内的处理气体以不直接流入所述狭缝的方式迂回的分隔板。

【技术特征摘要】
2014.12.26 JP 2014-264550;2015.09.17 JP 2015-183561.一种基板处理装置，其用于对基板进行处理，其特征在于，
该基板处理装置包括：
处理容器，其用于气密地容纳基板；
载置台，其设有多个，该载置台用于在所述处理容器内载置基板；
处理气体供给部，其用于自所述载置台的上方朝向所述载置台供给处理
气体；
排气机构，其用于对所述处理容器内进行排气；
分隔壁，其配置在所述处理容器内，该分隔壁以与各所述载置台的外周
隔开间隔的方式独立地包围各所述载置台；
升降机构，其用于使所述分隔壁在退避位置与基板处理位置之间升降；
以及
内壁，其为圆筒形状，该内壁配置在所述处理容器的底面且以与所述载
置台的外周隔开间隔的方式独立地包围该载置台，<...

【专利技术属性】
技术研发人员：网仓学，日向寿树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP