用于除去氧化物的清洗组合物及用清洗组合物的清洗方法技术

本公开内容涉及用于除去氧化物的清洗组合物及用清洗组合物的清洗方法，该清洗组合物包括选自有机酸、无机酸、以及它们的组合的酸；选自有机盐、无机盐、以及它们的组合的盐；表面活性剂；以及水。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于除去氧化物的清洗组合物和使用清洗组合物的清洗方法。
技术介绍
有机发光设备(OLED)是具有宽视角、高对比率、以及短响应时间的自发射设备。此外，OLED显示优异的亮度、驱动电压、以及响应速度特性并且产生全色图像。OLED可具有以规定顺序位于基板上的第一电极、有机层、以及第二电极的堆叠结构。通过使用利用掩模的真空沉积法可形成OLED的堆叠结构。换句话说，通过使用利用金属掩模例如精细金属掩模(FMM)的真空沉积法可使有机层精细图案化。然而，因为第一电极和第二电极没有被精细图案化，所以通过使用利用开放式掩模(openmask)的真空沉积法可形成第一电极和第二电极。通常，可通过使用湿蚀刻工艺或者激光工艺处理掩模基底材料(maskbasematerial)形成FMM。掩模可在真空沉积工艺过程中引入污染材料，因此，要求清洗掩模。在湿蚀刻工艺过程中，通过使用诸如蒸馏水或酒精的常规清洗溶液冲洗掩模基底材料可以除去杂质。然而，当通过使用激光工艺处理掩模基底材料时，利用常规清洗溶液不能除去利用激光照射掩模基底材料时自然形成的氧化物。因此，仍然存在于掩模基底材料上残留氧化物的问题。
技术实现思路
一种或者多种示例性实施方式可包括用于除去氧化物的清洗组合物，清洗组合物选择性地除去掩模基底材料的表面上形成的氧化物，而不损坏掩模基底材料。一种或者多种示例性实施方式可包括通过使用用于除去氧化物的清洗组合物进行清洗的方法。其他方面将在随后的描述中部分陈述并且部分从该描述中显而易见，或者可以通过实施提供的实施方式获知。根据本专利技术的一种或者多种示例性实施方式，用于除去氧化物的清洗组合物可包括：选自有机酸、无机酸、以及它们的组合的酸；选自有机盐、无机盐、以及它们的组合的盐；表面活性剂；以及水。根据本专利技术的一种或者多种示例性实施方式，清洗方法可包括：制备包括氧化物的掩模基底材料；以及通过使所述的清洗组合物与掩模基底材料接触而进行第一次清洗。附图说明本专利技术以及其多种附带优点的更加全面的理解将易于显而易见，因为通过参考结合所附附图考虑时的下列详细描述其变得更好理解，在附图中，类似附图标记指示相同或者相似的部件，其中：图1是示出了根据本专利技术示例性实施方式的关于制备例3的因瓦棒(Invarstick)的表面的扫描电子显微镜(SEM)图像；图2A和图2B各自是示出了分别从完成根据本专利技术示例性实施方式的清洗起24小时和5天时间之后关于实施例1的因瓦棒的表面的SEM图像。图3A、图3B、以及图3C各自是示出了分别从完成根据本专利技术示例性实施方式的清洗起1小时、4小时、以及8小时时间之后关于实施例2的因瓦棒的表面的SEM图像。具体实施方式现将详细参考示例性实施方式，其实例示出在附图中，其中，相同附图标记始终指代相同元件(要素)。在这方面，本示例性实施方式可具有不同的形式并且不应被解释为局限于此处陈述的描述。因此，通过参考附图仅在下面描述了示例性实施方式，以说明本描述的方面。如此处使用的，术语“和/或”包括一种或者多种相关列出项的任何和所有组合。在元件列表之前时的诸如“至少一种”的表达修饰全部的元件列表并且不修饰列出的单独的元件。在下文中，将参考所附附图详细说明根据示例性实施方式的用于除去氧化物的清洗组合物和使用清洗组合物的清洗方法。然而，本专利技术的构思并不局限于此，并且该范围内的所有不同将被视为包括在本专利技术的构思内。应当理解的是，尽管此处可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组分，但是，这些组分不应受这些术语限制。这些组分仅用于将一种组分与另一种组分区分开。在本说明书中，应当理解，诸如“包括”、“具有”和“包含”的术语旨在表示存在本说明书中公开的特征或者组分，并且并不旨在排除可以存在或者可以添加一种或者多种其他特征或组分的可能性。如此处使用的，术语“有机酸”表示在含水环境中为酸性(即，具有低于7的pH值)的有机化合物，例如，包括酸官能团，诸如羧基基团(-COOH)、磺酸基团(-SO3H)、被羟基基团取代的芳基基团(-ArOH)(其中，Ar表示芳基基团，诸如苯基基团)、或者巯基基团(-SH)的有机化合物。如此处使用的，术语“无机酸”表示在含水环境中为酸性(即，具有小于7的pH值)的化合物，其中，包含诸如氯、氮、硫、或者磷的非金属元素的酸基团不与碳原子键合，而是与氢键合。在下文中，将详细说明根据本专利技术示例性实施方式的用于除去氧化物的清洗组合物及使用清洗组合物的清洗方法。根据本专利技术的示例性实施方式，用于除去氧化物的清洗组合物可包括选自有机酸、无机酸、以及它们的组合的酸；选自有机盐、无机盐、以及它们的组合的盐；表面活性剂；以及水。用于除去氧化物的清洗组合物中的酸可与下面描述的氧化物发生反应，从而使得除去氧化物。可以使用足够量的酸，从而选择性地除去氧化物。例如，基于100wt％的用于除去氧化物的清洗组合物，酸的量可以在约0.1wt％至约50wt％的范围内。在一些实施方式中，基于100wt％的用于除去氧化物的清洗组合物，酸的量可以在约0.1wt％至约40wt％的范围内，在一些实施方式中，酸的量可以在约0.1wt％至约35wt％的范围内，在一些实施方式中，酸的量可以在约0.1wt％至约30wt％的范围内，并且在一些实施方式中，酸的量可以在约0.1wt％至约25wt％的范围内。当酸的量在这些范围内时，用于除去氧化物的清洗组合物可具有优异的清洗能力，而不损坏基底材料。根据本专利技术的实施方式，酸可以是有机酸。例如，有机酸可包括具有羧基基团(-COOH)的羧酸。具体地，有机酸可以是具有至少一个羧基基团和2至10个碳原子的羧酸，但是，实施方式不局限于此。根据本专利技术的实施方式，例如，有机酸可包括选自下述中的至少一种羧酸：乙酸、甲酸、丙酸、丁酸、异丁酸、戊酸、乙基甲基乙酸、三甲基乙酸、琥珀酸、己二酸、柠檬酸、草酸、乳酸、酒石酸、苹果酸、抗坏血酸、以及丙二酸。进一步地，有机酸可包括具有磺酸基团(-SO3H)的磺酸。例如，有机酸可包括选自下述中的至少一种磺酸：甲磺酸、乙磺酸、正丙磺酸、异丙磺酸、以及正丁磺酸。可以单独或者以其至少两种的组合使用有机酸。在本专利技术的一些实施方式中，酸可以是无机酸。无机酸可包括选自下述中的至少一种酸：硫酸、盐酸、磷酸、硝酸、以及高氯酸，但实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于除去氧化物的清洗组合物，包括：选自有机酸、无机酸、以及它们的组合的酸；选自有机盐、无机盐、以及它们的组合的盐；表面活性剂；以及水。

【技术特征摘要】
2014.12.24 KR 10-2014-01886491.一种用于除去氧化物的清洗组合物，包括：
选自有机酸、无机酸、以及它们的组合的酸；
选自有机盐、无机盐、以及它们的组合的盐；
表面活性剂；以及
水。
2.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，基于100wt％的所述用于
除去氧化物的清洗组合物，所述酸的量在0.1wt％至50wt％的范围内，
所述盐的量在0.1wt％至35wt％的范围内，所述表面活性剂的量在
0.1wt％至15wt％的范围内，并且剩余物是水。
3.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，基于100wt％的所述用于
除去氧化物的清洗组合物，所述酸的量在0.1wt％至35wt％的范围内，
所述盐的量在0.1wt％至20wt％的范围内，所述表面活性剂的量在
0.1wt％至3wt％的范围内，并且剩余物是水。
4.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，所述酸是有机酸。
5.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，所述酸是无机酸。
6.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，所述有机酸包括选自下
述中的至少一种羧酸：乙酸、甲酸、丙酸、丁酸、异丁酸、戊酸、
乙基甲基乙酸、三甲基乙酸、琥珀酸、己二酸、柠檬酸、草酸、乳
酸、酒石酸、苹果酸、抗坏血酸、以及丙二酸。
7.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，所述无机酸包括选自下
述中的至少一种酸：硫酸、盐酸、磷酸、硝酸、以及高氯酸。
8.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，所述盐包括选自无机盐
和有机盐中的至少一种盐，所述无机盐包括硫酸盐、磷酸盐、盐酸
盐、以及硝酸盐中的至少一种；所述有机盐包括羧酸盐和磺酸盐中
的至少一种。
9.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，所述盐包括选自下述中
的至少一种盐：
无机盐，所述无机盐包括硫酸钠、硫酸钾、硫酸镁、以及硫酸
铵中的至少一种；以及
有机盐，所述有机盐包括乙酸钠、乙酸钾、柠檬酸钠、以及柠
檬酸钾中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中，所述表面活性剂包括选
自下述中的至少一种表面活性剂：
阴离子型表面活性剂，所述阴离子型表面活性剂包括烷基硫酸
盐、烷基醚硫酸盐、烷基磺酸盐、烷基醚磺酸盐、烷基磷酸盐、烷
基醚磷酸盐、烷基碳酸盐、以及烷基醚碳酸盐中的至少一种；以及
非离子型表面活性剂，所述非离子型表面活性剂包括聚氧乙烯
烷基醚、聚氧乙烯脂肪酸酯、聚氧乙烯烷基酚醚、脱水山梨糖醇脂
肪酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇脂肪酸酯、以及蔗糖脂肪酸酯中的
至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：任星淳，黄圭焕，孔仁浩，金昌燮，金昊泰，陈宰焕，黄东旭，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR