扫描脉冲调变削角电路制造技术

本发明专利技术提出了一种扫描脉冲调变削角电路，其包含一输入端、一输出对、及一扫描脉冲调变削角控制电路。该输入端用以输入控制信号。该输出对连接至一栅极线，用以输出一栅极输出电压。该扫描脉冲调变削角控制电路连接至该输出对，以调整栅极线上的电压波形；其中，该扫描脉冲调变削角控制电路依据该输入控制信号，利用固定时间间格或放电固定电压以产生一新增的迟延，以调整放电斜率而于该栅极线上产生不同的放电时间，以使栅极输出电压具有至少二具有非零斜率下降的电压波形及至少二零斜率的电压波形。

【技术实现步骤摘要】
扫描脉冲调变削角电路
本专利技术是关于液晶显示设备的
，尤指一种扫描脉冲调变削角电路。
技术介绍
液晶显示设备(LiquidCrystalDisplay，LCD)是目前广泛使用的一种平面显示器，其具有外型轻薄、省电以及低辐射等优点。液晶显示设备的工作原理是利用改变液晶层两端的电压差来改变液晶层内的液晶分子的排列状态，用以改变液晶层的透光性，再配合背光模块所提供的光源以显示影像。液晶显示设备包含多个像素单元、源极驱动器、栅极驱动器。源极驱动器用来提供多个数据信号至多个像素单元。栅极驱动器用来产生多个栅极信号以开启对应的像素单元，据以控制多个数据信号的写入运作。栅极驱动器连接至液晶显示面板上的扫描线(Scanline)。而扫描线上会寄生电容及电阻，因有电阻电容负载效应，以至于在扫描线上远离栅极驱动器处的信号会有拖尾现象。此会造成扫描线上靠近栅极驱动器处的信号波形与扫描线上远离栅极驱动器处的信号波形有很大的差异，而导致画面左右两边亮度不一样。针对前述问题，现有技术使用栅极脉冲调变(gatepulsemodulation，GPM)技术，以将信号波形的下降沿(fallingedge)拉长，而使扫描线上靠近栅极驱动器处的信号波形与扫描线上远离栅极驱动器处的信号波形的差异变小。图1为一现有栅极脉冲调变单元120的示意图。如图1所示，栅极脉冲调变单元120位于一脉冲宽度调变集成电路(PWMIC)110中。栅极脉冲调变单元120在一控制信号GVOFF的一高电平(VGH)时将一PMOS晶体管130开启且将PMOS晶体管140关闭。在控制信号GVOFF的一低电平(VGL)时将PMOS晶体管130关闭且将PMOS晶体管140开启。由于RC效应，信号VGHM的下降沿(fallingedge)被拉长，可使扫描线上靠近栅极驱动器处的信号波形与扫描线上远离栅极驱动器处的信号波形的差异变小。画面左右两边亮度也会较相近。如图1所示，电容C为扫描线上的等效电容，并非实体电容。现有栅极脉冲调变单元120的功能是靠电阻R及电容C放电来控制斜率。但不同的液晶面板其所需的斜率也会不同，故需靠修改电阻R的阻值来做调整。此种方法会因不同型号液晶面板其所需电阻的阻值都不一样，在生产备料上会形成问题。另一种方法则是在脉冲宽度调变集成电路(PWMIC)110中实现可调整电阻值的可变电阻。然而此种在集成电路中注入电阻的方法，会使集成电路产生过热的现象，甚至烧毁。因此，现有栅极脉冲调变仍有予以改善的空间。
技术实现思路
本专利技术的目的主要是在于提供一扫描脉冲调变削角电路，只需使用相同电阻值的电阻即可改变扫描线上的波形，可使扫描线上靠近栅极驱动器处的信号波形与扫描线上远离栅极驱动器处的信号波形的差异变小。同时，画面左右两边亮度也会较相近。也可避免在集成电路中注入电阻，而产生集成电路产生过热的问题。为达成上述的目的，本专利技术提出一种扫描脉冲调变削角电路，其包含一输入端、一输出对、及一扫描脉冲调变削角控制电路。该输入端用以输入控制信号。该输出对连接至一栅极线，用以输出一栅极输出电压。该扫描脉冲调变削角控制电路连接至该输出对，以调整栅极线上的电压波形；其中，该扫描脉冲调变削角控制电路(M1)依据该输入控制信号，利用时间间格或放电固定电压以产生一新增的迟延(delay)，以调整放电斜率而于该栅极线上产生不同的放电时间，以使栅极输出电压具有至少二具有非零斜率下降的电压波形及至少二零斜率的电压波形。附图说明图1为一现有栅极脉冲调变单元的示意图。图2为本专利技术一种扫描脉冲调变削角电路的方块图。图3为本专利技术削角缓存器及迟延缓存器的示意图。图4为本专利技术扫描脉冲调变削角电路的仿真示意图。图5为本专利技术扫描脉冲调变削角电路的另一仿真示意图。图6A、图6B为本专利技术扫描脉冲调变削角控制电路的运作示意图。图7为本专利技术扫描脉冲调变削角控制电路的另一运作示意图。图8为图7中各段的详细数据的示意图。图9为本专利技术一种扫描脉冲调变削角电路的另一方块图。图10A、图10B为本专利技术扫描脉冲调变削角控制电路的另一运作示意图。图11为本专利技术一种扫描脉冲调变削角电路的又一方块图。【符号说明】脉冲宽度调变集成电路110栅极脉冲调变单元120PMOS晶体管130PMOS晶体管140扫描脉冲调变削角电路200扫描脉冲调变削角控制电路210输入端220输出对230第一控制电路240第二控制电路250迟延参数电路260栅极线270振荡器211第一PMOS晶体管231第二PMOS晶体管233削角缓存器261迟延缓存器263扫描脉冲调变削角电路700电压差值参数电路710电压差值及电压差值倍数产生器720比较器730具体实施方式图2为本专利技术一种扫描脉冲调变削角电路200的方块图。该扫描脉冲调变削角电路200包括一扫描脉冲调变削角控制电路210、一输入端220、一输出对230、一第一控制电路240、一第二控制电路250及一迟延(delay)参数电路260。该输入端220用以输入控制信号，该控制信号可来自迟延(delay)参数电路260。该输出对230连接至一栅极线270，用以输出一栅极输出电压。该输出对230包含一第一PMOS晶体管231及一第二PMOS晶体管233。该第一PMOS晶体管231的源极连接至一高电位，其漏极连接至该栅极线270及该第二PMOS晶体管233的源极。该第二PMOS晶体管233的漏极连接至一外部电阻R。该扫描脉冲调变削角控制电路210连接至该输出对230，以调整该栅极线上的电压波形，其中，该扫描脉冲调变削角控制电路210依据该控制信号，利用时间间格或放电固定电压以产生一新增的迟延(delay)，以调整放电斜率而于该栅极线上产生不同的放电时间，以使该栅极输出电压具有至少二具有非零斜率下降的电压波形及至少二零斜率的电压波形。在本实施例中，该扫描脉冲调变削角控制电路210连接至该输出对230的该第二PMOS晶体管233的栅极，以依据该控制信号，利用时间间格以开启或关闭该第二PMOS晶体管，以产生一新增的迟延(delay)，以调整放电斜率而于该栅极线上产生不同的放电时间，以使该栅极输出电压具有至少二具有非零斜率下降的电压波形及至少二零斜率的电压波形。该第一控制电路240连接至该输出对230，以控制该栅极输出电压的输出时序及输出电压。其中，该第一控制电路240控制该第一PMOS晶体管231，该第一控制电路240将该第一PMOS晶体管231开启，以产生该栅极输出电压的上升沿(risingedge)。该第二控制电路250连接至该扫描脉冲调变削角控制电路210，以控制该输出对230的开启及关闭。该迟延参数电路260连接至该扫描脉冲调变削角控制电路210，该迟延参数电路260储存至少一码(code)。该扫描脉冲调变削角控制电路210利用该至少一码(code)来设定不同的参数，以调整一基本的放电时间以外的额外增加的迟延时间，进而产生该间格固定时间以产生该新增的迟延，以调整放电斜率而产生该栅极线上不同的放电时间。该迟延参数电路260具有一削角缓存器(shapingregister)261及一迟延缓存器(delayregister)263。该削角缓存器261及该迟延缓存器263则形成该至少一码(code)。图3为本专利技术该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扫描脉冲调变削角电路，其特征在于，包含：一输入端，以输入控制信号；一输出对，连接至一栅极线，用以输出一栅极输出电压；一扫描脉冲调变削角控制电路，连接至该输出对，以调整栅极线上的电压波形，其中，该扫描脉冲调变削角控制电路依据该输入控制信号，利用时间间格或放电固定电压以产生一新增的迟延，以调整放电斜率而于该栅极线上产生不同的放电时间，以使栅极输出电压具有至少二具有非零斜率下降的电压波形及至少二零斜率的电压波形。

【技术特征摘要】
1.一种扫描脉冲调变削角电路，包含：一输入端，以输入控制信号；其特征在于，还包含：一输出对，连接至一栅极线，用以输出一栅极输出电压；一扫描脉冲调变削角控制电路，连接至该输出对，以调整栅极线上的电压波形；一第一控制电路，连接至该输出对，以控制该栅极输出电压的输出时序及输出电压；以及一第二控制电路，连接至该扫描脉冲调变削角控制电路，以控制该输出对的开启及关闭；其中，该扫描脉冲调变削角控制电路依据该输入控制信号，利用时间间格或放电固定电压以产生一新增的迟延，以调整放电斜率而于该栅极线上产生不同的放电时间，以使栅极输出电压具有至少二具有非零斜率下降的电压波形及至少二零斜率的电压波形。2.根据权利要求1所述的扫描脉冲调变削角电路，其特征在于，还包含：一迟延参数电路，连接至该扫描脉冲调变削角控制电路，该迟延参数电路储存至少一码，该扫描脉冲调变削角控制电路利用该至少一码来设定不同的参数，以调整一基本的放电时间以外的额外增加的迟延时间，进而产生该时间间格以产生该新增的迟延，以调整放电斜率而产生该栅极线上不同的放电时间。3.根据权利要求2所述的扫描脉冲调变削角电路，其中，该输出对包含一第一PMOS晶体管及一第二PMOS晶体管。4.根据权利要求3所述的扫描脉冲调变削角电路，其中，该第一控制电路连接至该第一PMOS晶体管，该第一控制电路将该第一PMOS晶体管开启，以产生该栅极输出电压的上升沿。5.根据权利要求4所述的扫描脉冲调...

【专利技术属性】
技术研发人员：施景文，黄富显，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71