源线电压提供电路和存储系统技术方案

技术编号:13282223 阅读:74 留言:0更新日期:2016-07-08 23:56
一种源线电压提供电路和存储系统,其中,所述分压电路的输入端连接所述电荷泵的输出端,所述分压电路的输出端连接所述比较器的第一输入端和电流镜电路的第二输出端;所述比较器的第二输入端适于输入基准电压,所述比较器的输出端耦接所述电荷泵的使能端;所述电流镜电路的第一输入端适于输入电源电压,所述电流镜电路的第二输入端适于输入所述电源电压,所述电流镜电路的第一输出端连接所述调节电路的输入端;所述调节电路包括n个调节支路,n≥1,所述调节支路包括:第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一NMOS管的漏极连接所述调节电路的输入端,所述第一NMOS管的源极连接所述第二NMOS管的漏极,所述第二NMOS管的源极接地。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种源线电压提供电路,其特征在于,包括:电荷泵、比较器、分压电路、电流镜电路和调节电路;所述分压电路的输入端连接所述电荷泵的输出端,所述分压电路的输出端连接所述比较器的第一输入端和电流镜电路的第二输出端;所述比较器的第二输入端适于输入基准电压,所述比较器的输出端耦接所述电荷泵的使能端;所述电流镜电路的第一输入端适于输入电源电压,所述电流镜电路的第二输入端适于输入所述电源电压,所述电流镜电路的第一输出端连接所述调节电路的输入端;所述调节电路包括n个调节支路,n≥1,所述调节支路包括:第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一NMOS管的漏极连接所述调节电路的输入端,所述第一NMOS管的源极连接所述第二NMOS管的漏极,所述第二NMOS管的源极接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:胡剑
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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