树脂组合物、基底和制造电子装置的方法制造方法及图纸

提供了能够用于生产电子装置的树脂组合物和基底，所述电子装置包括具有优良开关特性的薄膜晶体管。所述树脂组合物包含芳香族聚酰胺和溶解所述芳香族聚酰胺的溶剂。所述树脂组合物用于形成层，并且所述层在355nm的波长下的总透光率为10％或更小。此外，还提供了使用这种基底制造电子装置的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术设及。
技术介绍
在显示装置（电子装置)如有机化(电致发光）显示装置和液晶显示装置中，用于显 示装置的基底需要具有透明性。因此，已知使用透明树脂膜作为显示装置中使用的基底(例 如，专利文献1)。 用作基底的透明树脂膜通常具有柔性(柔软特性）。因此，首先使透明树脂膜在板 状基体构件的第一表面上形成(成膜），然后使待设置在显示装置中的每个元件在该透明树 脂膜上形成。最后，通过从基体构件上剥离透明树脂膜，可W制造出包括透明树脂膜和元件 的显示装置。 在制造运种显示装置的方法中，从基体构件上剥离透明树脂膜通过用光如激光照 射基体构件的第二表面来实现，所述第二表面与透明树脂膜在其上形成的第一表面相对。 光的照射导致在基体构件与透明树脂膜之间的界面处透明树脂膜从基体构件上剥离。[000引同时，近年来，使用具有薄膜晶体管(TFT)的显示装置。薄膜晶体管(TFT)用作开关 元件，其可W开关显示装置中所包括的显示元件。 每个薄膜晶体管具有例如在沟道区中的氧化物半导体层。如果将上述制造显示装 置的方法用于制造具有薄膜晶体管的显示装置，则每个薄膜晶体管的氧化物半导体层被暴 露于光。特别地，在用于上述方法的光包括短波长的情况下，氧化物半导体层中所包含的氧 化物半导体材料由于具有短波长的光而改变并劣化，使得发生运样的问题：显示装置的开 关特性受到不利影响。 引用列表 [000引专利文献 专利文献 1:W0 2004/039863
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供能够用于制造电子装置(包括具有优良开关特性的薄膜 晶体管）的树脂组合物和基底。本专利技术的另一个目的是提供使用运种基底制造电子装置的 方法。 为了实现上述目的，本专利技术包括W下特征（1)至(14)。[001引（1) 一种树脂组合物，包含： 芳香族聚酷胺;和 溶解所述芳香族聚酷胺的溶剂， 其中所述树脂组合物用于形成层，并且所述层在355皿波长下的总透光率为10% 或更小。 (2)在根据本专利技术的上述树脂组合物中，优选的是所述芳香族聚酷胺包含糞结构。 (3)在根据本专利技术的上述树脂组合物中，还优选的是所述芳香族聚酷胺包含簇基。 (4)在根据本专利技术的上述树脂组合物中，还优选的是所述芳香族聚酷胺是全芳香 族聚酷胺。 (5)在根据本专利技术的上述树脂组合物中，还优选的是所述芳香族聚酷胺具有由W 下通式(I)表示的第一重复单元和由W下通式(II)表示的第二重复单元： 其中X表示第一重复单元的摩尔％，y表示第二重复单元的摩尔％，n表示1至4的整 数，Ari由W下通式(III)表示； (其中q = 3并且R2和R3各自选自氨原子、面素原子(氣原子、氯原子、漠原子和舰原 子）、烷基、经取代的烷基如面代烷基、硝基、氯基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基如面 代烷氧基、芳基、经取代的芳基如面代芳基、烷基醋基、经取代的烷基醋基、及其组合），Ar2 由W下通式（IV)或(V)表示；[002引（其中p = 4，R6、R7和R8各自选自氨原子、面素原子(氣原子、氯原子、漠原子和舰原 子）、烷基、经取代的烷基如面代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基如面 代烷氧基、芳基、经取代的芳基如面代芳基、烷基醋基、经取代的烷基醋基、及其组合，并且 G2选自共价键、C此基团、C(C出)2基团、C(C的)2基团、C(CX3)2基团（X表示面素原子）、co基团、 氧原子、硫原子、S化基团、Si(C曲)2基团、9,9-巧基、经取代的9,9-巧基和0Z0基团（Z表示芳 基或经取代的芳基，例如苯基、联苯基、全氣联苯基、9,9-双苯基巧基和经取代的9,9-双苯 基巧基）），并且An由W下通式(VI)或(VII)表示； (其中t=l至3，R9、Rio和Rii各自选自氨原子、面素原子(氣原子、氯原子、漠原子和 舰原子）、烷基、经取代的烷基如面代烷基、硝基、氯基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基 如面代烷氧基、芳基、经取代的芳基如面代芳基、烷基醋基、经取代的烷基醋基、及其组合， 并且G3选自共价键、C出基团、C(C出)2基团、C(C的)2基团、C(CX3)2基团(X表示面素原子）、co基 团、氧原子、硫原子、S化基团、S i (C出)2基团、9，9-巧基、经取代的9，9-巧基和0Z0基团（Z表示 芳基或经取代的芳基，例如苯基、联苯基、全氣联苯基、9，9-双苯基巧基和经取代的9，9-双 苯基巧基））。 (6)在根据本专利技术的上述树脂组合物中，还优选的是所述芳香族聚酷胺的至少一 端是封端的。 (7)在根据本专利技术的上述树脂组合物中，还优选的是所述树脂组合物还包含无机 填料。 (8) -种用于在其上形成电子元件的基底，包括：板状基体构件，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面； 电子元件形成层，其设置在基体构件的第一表面的一侧并且配置成能够在所述电 子元件形成层上形成所述电子元件；W及 其中所述电子元件形成层包含芳香族聚酷胺并且所述电子元件形成层在355nm波 长下的总透光率为10%或更小。 (9)在根据本专利技术的上述基底中，优选的是所述电子元件形成层的热膨胀系数 (CTE)为 1 OOppm/K 或更小。 (10)在根据本专利技术的上述基底中，还优选的是所述电子元件形成层的平均厚度在 1微米至50微米的范围内。 (11)-种制造电子装置的方法，包括： 制备基底，所述基底包括： 板状基体构件，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，和 电子元件形成层，其设置在所述基体构件的所述第一表面的一侧， 其中所述电子元件形成层用于在所述电子元件形成层上形成电子元件并且包含 芳香族聚酷胺，并且 其中所述电子元件形成层在355nm波长下的总透光率为10%或更小； 在与所述基体构件相对的所述电子元件形成层的表面上形成所述电子元件； 形成覆盖层W覆盖所述电子元件； 用光照射所述电子元件形成层，由此在所述基体构件与所述电子元件形成层之间 的界面处使所述电子元件形成层从所述基体构件上剥离；W及 使包括所述电子元件、所述覆盖层和所述电子元件形成层的电子装置与所述基体 构件分离。 (12)在根据本专利技术的上述制造电子装置的方法中，优选的是所述电子元件形成层 的膨胀系数(CTE)为lOOppm/K或更小。 (13)在根据本专利技术的上述制造电子装置的方法中，还优选的是所述电子元件形成 层的平均厚度在1微米至50微米的范围内。 (14)在根据本专利技术的上述制造电子装置的方法中，还优选的是所述芳香族聚酷胺 具有由W下通式(I)表示的第一重复单元和由W下通式(II)表示的第二重复单元： 其中X表示第一重复单元的摩尔％，y表示第二重复单元的摩尔％，n表示1至4的整 数，Ari由W下通式(III)表示； (其中q = 3并且R2和R3各自选自氨原子、面素原子(氣原子、氯原子、漠原子和舰原 子）、烷基、经取代的烷基如面代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基如面 代烷氧基、芳基、经取代的芳基如面代芳基、烷基醋基、经取代的烷基醋基、及其组合），Ar2 由W下通式（IV)或(V)表示； (其中p = 4，R6、R7和R8各自选自氨原子、面素原子(氣原子、氯原子、漠原子和舰原 子）、烷基、经取代的烷基如面代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种树脂组合物，包含：芳香族聚酰胺；和溶解所述芳香族聚酰胺的溶剂，其中所述树脂组合物用于形成层，并且所述层在355nm波长下的总透光率为10％或更小。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙立民，张东，景蛟凯，法兰克·W·哈里斯，楳田英雄，片山敏彦，冈田润，井上美津穗，内藤学，
申请(专利权)人：亚克朗聚合物系统公司，住友电木株式会社，
类型：发明
国别省市：美国;US