本发明专利技术提供一种像素结构基板及应用其的液晶显示面板。该像素结构基板包括：一基板、一第一介电层以及一第二介电层。基板上设有一数据线以及一像素电极。第一介电层覆盖于数据线上，第一介电层具有一第一厚度及一第一介电常数。第二介电层配置于基板上，第二介电层至少覆盖像素电极。第二介电层具有一第二厚度及一第二介电常数，其中第一厚度大于第二厚度，且满足第一介电常数/第一厚度<第二介电常数/第二厚度。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】像素结构基板及应用其的准晶显不面板[00011 本申请为中国专利申请CN 201210106158.8的分案申请，原申请的申请日为2012 年4月12日，专利技术名称为:像素结构及应用其的液晶显示结构。
本专利技术是有关于一种液晶显示器，且特别是有关于一种像素结构基板及应用其的 液晶显不面板。
技术介绍
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)基于其低电压操作、无福射、重量轻 以及体积小等优点，逐渐取代传统的阴极射线管显示器，而成为近年来显示器的主流。 然而，液晶显示器目前仍存在视角范围狭窄与液晶反应时间过长等问题，因此如 何增加其视角范围及缩短反应时间，是目前急需改善的课题之一。现今已有许多广视角液 晶显示器方案被提出，其包括有多域垂直配向型（Multi-domain Vertical Alignment, MVA)液晶显示器、共平面转换（In-Plane Switching，IPS)液晶显示器以及边缘电场转换模 式(Fringe Field Switching，FFS)液晶显示器等等。一般而言，若液晶反应速度(response speed)不够快，在快速动画时会出现动作跟不上，影像、文字难于辨识的现象，亦即拖影现 象。据了解，液晶反应时间超过40ms，就会出现运动图像的迟滞现象。目前液晶显示面板的 标准反应时间大部分在25ms左右，因此采用反应时间更短的蓝相液晶为时势所趋。 然而，由于蓝相液晶只能存在于狭窄的温度范围区间，目前已有的解决方案是将 具有蓝相的胆固醇液晶添加高分子单体(monomer)，并且于蓝相转换温度下照UV光进行聚 合作用，来稳定蓝相晶格结构使其温度范围延长，然而无论有无采用聚合作用来稳定蓝相 晶格，一般其光电曲线(V-T curve)皆会有迟滞现象，使得蓝相液晶显示器的重复操作性不 佳。
技术实现思路
本专利技术是有关于一种像素结构基板及应用其的液晶显示面板，用以减少迟滞现象 及增加重复操作性。 根据本专利技术的一方面，提出一种像素结构基板，包括一基板、一第一介电层以及一 第二介电层。基板上设有一数据线以及一像素电极。第一介电层覆盖于数据线上，第一介电 层具有一第一厚度及一第一介电常数。第二介电层配置于基板上，第二介电层至少覆盖像 素电极。第二介电层具有一第二厚度及一第二介电常数，其中第一厚度大于第二厚度，且满 足第一介电常数/第一厚度〈第二介电常数/第二厚度。 根据本专利技术的另一方面，提出一种液晶显不面板，包括一基板、一第一介电层、一 第二介电层、一对向基板以及一液晶层。基板上设有一数据线以及一像素电极。第一介电层 覆盖于数据线上，第一介电层具有一第一厚度及一第一介电常数。第二介电层配置于基板 上，第二介电层至少覆盖像素电极。第二介电层具有一第二厚度及一第二介电常数，其中第 一厚度大于第二厚度，且满足第一介电常数/第一厚度〈第二介电常数/第二厚度。对向基板 与基板平行相对。液晶层配置于基板与对向基板之间。 本专利技术提供的像素结构及应用其的液晶显示结构，能够减少迟滞现象及增加重复 操作性。【附图说明】 图1所示为未形成于介电层上的液晶层的光电曲线与形成于介电层上的液晶层的 光电曲线的比较图。 图2A所示为依照本专利技术一实施例的液晶显示结构的局部示意图。 图2B所示为依照本专利技术另一实施例的液晶显示结构的局部示意图。图3所不为图2A的液晶显不结构的等效电容的不意图。 图4A、图4B、图4C至图4D分别所示为介电层的厚度(X)与驱动电压(V_LC)所占的百 分比满足关系式(2)的曲线图。 图5A、图5B、图5C至图5D分别所示为各数值(Y = a、b、c或d)与介电层的介电常数 (S)满足关系式(3)的曲线图。 图6所示为以介电层的厚度(X)与介电常数(S)为坐标轴，测量驱动电压(V_LC)所 占的百分比的曲线分布图。 图7A、图7B、图7C、图7D、图7E至图7F所示为依照一实施例的像素结构的形成方法 的流程图。 图8A、图8B、图8C、图8D、图8E至图8F所示为依照一实施例的像素结构的形成方法 的流程图。 图9A、图9B、图9C、图9D、图9E至图9F所示为依照一实施例的像素结构的形成方法 的流程图。 图10A、图10B、图10C、图10D、图10E至图10F所示为依照一实施例的像素结构的形 成方法的流程图。图11A、图11B、图11C、图11D、图11E至图11F所示为依照一实施例的像素结构的形 成方法的流程图。图12A、图12B、图12C、图12D、图12E至图12F所示为依照一实施例的像素结构的形 成方法的流程图。 附图标号： 100:液晶显示结构 110:基板 111:基板表面 112:第一电极 114:第二电极 115:绝缘层 116:第三电极 117:绝缘层表面 120:介电层 130:对向基板 140:液晶层 E:横向电场 202、302、402:信号线 204、304、404:保护层 206、306、406:第一介电层 208、308、408:像素电极 210、310、410:基板 220、320、420:第二介电层 312、412:第一电极 314、414:第二电极 407a:凸块 407b:透明导电层 P:像素区【具体实施方式】 为了对本专利技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附 图，作详细说明如下：本专利技术的像素结构及液晶显示结构，是在晶格成长的过程中，于基板、像素电极与 公共电极上覆盖一层有机物质或无机物质的介电层。液晶层与介电层直接接触，并将具有 蓝相的胆固醇液晶及高分子单体混合物加温至蓝相晶格存在的温度区间，等待一段时间让 蓝相液晶的晶格稳定成长，再以UV光照射而产生聚合作用，以形成聚合物稳定蓝相 (Polymer-stabilized blue phase,PSBP)液晶层。在本专利技术中，由于液晶层在相同的介质 表面(介电层)上成长晶格，故可避免在不同介质表面(基板与电极)上因温度或介面条件不 同而无法均匀成长晶格的情形。也由于液晶层具有晶格稳定成长的蓝相液晶，使得液晶层 的当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种像素结构基板，其特征在于，所述像素结构基板包括：一基板，所述基板上设有一数据线以及一像素电极；一第一介电层，覆盖于所述数据线上，所述第一介电层具有一第一厚度及一第一介电常数；以及一第二介电层，配置于所述基板上，所述第二介电层至少覆盖所述像素电极，所述第二介电层具有一第二厚度及一第二介电常数，其中该第一厚度大于该第二厚度，且满足该第一介电常数/该第一厚度<该第二介电常数/该第二厚度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈建宏，庄璧荥，王诠中，陈昱玮，
申请(专利权)人：群康科技深圳有限公司，群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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