聚二有机硅氧烷‑聚碳酸酯嵌段共聚物制造技术

本文公开了具有期望的光学特性的聚二有机硅氧烷‑聚碳酸酯嵌段共聚物，以及制备这种嵌段共聚物的方法。本文也公开了用于评价羟基芳基封端的聚二烷基硅氧烷单体的分析方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术设及具有期望的光学特性的聚二有机硅氧烷-聚碳酸醋嵌段共聚物，W及 制造运类嵌段共聚物的方法。
技术介绍
娃酬-聚碳酸醋(有机娃-聚碳酸醋，si 1 icone-po lycarbonate)嵌段共聚物由于其 延展性和在低溫下的冲击强度W及阻燃性得到认可。然而，运种嵌段共聚物的特性可能基 于娃酬起始材料的来源而显著改变。此外，由于聚合物的整个分子量分布上的折射率和紫 外吸收信号的可变性，使用传统方法评估娃酬材料，如径基芳基封端的聚二有机硅氧烷聚 合物可能是具有挑战性的。 存在对于具有一致的光学特性的聚二有机硅氧烷-聚碳酸醋嵌段共聚物，W及生 产该嵌段共聚物的方法的需要。此外，存在对于完全表征娃酬聚合物，如径基芳基封端的聚 二有机硅氧烷的特性的分析方法的需要。
技术实现思路
在方面，本专利技术公开了用于制备聚二有机硅氧烷-聚碳酸醋嵌段共聚物的方法，该 方法包括： (a)提供包含具有W下式(la)的径基芳基封端的聚二有机硅氧烷单体的组合物：其中：[000引每个R独立地是打-Ci3-价有机基团； 每个X独立地是C2-C4亚烷基(aA^en^)基团； 每个R'独立地选自由面素、氯基、硝基、Ci-Cs烷基、Ci-Cs烷氧基、Ci-Cs硫代烷氧基、 C2-C8链締基、C2-C8链締氧基、C3-C挪烷基、C3-C8环烷氧基、Cs-ClQ芳基、Cs-ClQ芳氧基、C7-C12 芳烷基、和C7-C12芳烷氧基； 每个m独立地是0、1、2、3或4;并且 η是约2至约200; 其中，组合物具有通过尺寸排阻色谱与紫外（UV)和折射率(RI)检测测量的小于 2.2的多分散性指数(1*/^11);并且 其中，组合物具有小于15%的低分子量组分％ ; W及 (b)使组合物与碳酸醋前体和式（ia)的二径基单体反应W形成聚二有机硅氧烷- 聚碳酸醋嵌段共聚物： 册-Ri-OH (ia) 其中，Ri包括脂肪族、脂环族或芳香族基团或它们的任意组合。 在另一方面，本专利技术公开了一种制备聚二有机硅氧烷-聚碳酸醋嵌段共聚物的方 法，该方法包括： (a)提供包括具有W下式(la)的径基芳基封端的聚二有机硅氧烷单体的组合物： 其中： 每个R独立地是打-Ci3-价有机基团； 每个X独立地是C2-C4亚烷基基团； 每个R'独立地选自由面素、氯基、硝基、Ci-Cs烷基、Ci-Cs烷氧基、Ci-Cs硫代烷氧基、 C2-C8链締基、C2-C8链締氧基、C3-C8环烷基、C3-C8环烷氧基、Cs-ClQ芳基、Cs-ClQ芳氧基、C7-C12 芳烷基、和C7-C12芳烷氧基组成的组； 每个m独立地是0、1、2、3或4;并且 η是约2至约200;其中，通过尺寸排阻色谱与紫外(UV)和折射率(RI)检测测量的组合物的多分散性 指数(1*/^11)小于2.3;并且[002引其中，组合物的低分子量组分％小于15%;且 (b)使具有碳酸醋前体的组合物与式(ia)的二径基单体反应W形成聚二有机娃氧 烧-聚碳酸醋嵌段共聚物： 册-Ri-OH (ia) 其中，Ri包括脂肪族、脂环族或芳香族基团或它们的任意组合。 根据下文的描述和附图，其他方面和实施方式将变得明显。【附图说明】 图1示出了 W下示图：a)对于由聚二甲基硅氧烷-聚碳酸醋嵌段共聚物制造的 3.15mm模制板测量的浊度％值相对于相同的模制板的测量的化值的图；b)前文描述的测量 的化值相对于用于制备嵌段共聚物的下香酪封端的聚二甲基硅氧烷起始材料的多分散性 指数(PDI)的图；和C)前文描述的测量的浊度％值相对于用于制备嵌段共聚物的下香酪封 端的聚二甲基硅氧烷起始材料的PDI的图。 图2示出了 W下示图：曰)使用前文描述的SEC-UV-RI方法测定的下香酪封端的聚二 甲基硅氧烷起始材料的低分子量组分％相对于相同下香酪封端的聚二甲基硅氧烷起始材 料的PDI;和b)使用前文描述的SEC-UV-RI方法测定的下香酪封端的聚二甲基硅氧烷起始材 料的高分子量组分比相同的下香酪封端的聚二甲基硅氧烷起始材料的PDI的图。 图3示出了 W下示图：曰)使用前文描述的SEC-UV-RI方法测定的下香酪封端的聚二 甲基硅氧烷起始材料的低分子量组分％相对于由聚二甲基硅氧烷-聚碳酸醋嵌段共聚物制 造的3.15mm模制板的测量的浊度％值的图，该嵌段共聚物由下香酪封端的聚二甲基硅氧烷 起始材料制备；和b)使用前文描述的SEC-UV-RI方法测定的下香酪封端的聚二甲基硅氧烷 起始材料高分子量组分％相对于由聚二甲基硅氧烷-聚碳酸醋嵌段共聚物制造的3.15mm模 制板的浊度％值的图，该嵌段共聚物由下香酪封端的聚二甲基硅氧烷起始材料制备。 图4示出了 W下示图：曰)使用前文描述的SEC-UV-RI方法测定的下香酪封端的聚二 甲基硅氧烷起始材料的低分子量组分％相对于由聚二甲基硅氧烷-聚碳酸醋嵌段共聚物制 造的3.15mm模制板的测量的化值的图，该嵌段共聚物由下香酪封端的聚二甲基硅氧烷起始 材料制备；和b)使用前文描述的SEC-UV-RI方法测定的下香酪封端的聚二甲基硅氧烷起始 材料的高分子量组分％相对于由聚二甲基硅氧烷-聚碳酸醋嵌段共聚物制造的3.15mm模制 板的测量的化值的图，该嵌段共聚物由下香酪封端的聚二甲基硅氧烷起始材料制备。 图5示出了由聚二甲基硅氧烷-聚碳酸醋嵌段共聚物制造的模制品的预期的浊 度％值相对于实验的浊度％值的图。 图6示出了由聚二甲基硅氧烷-聚碳酸醋嵌段共聚物制备的模制品的预期化值相 对于实验化值的图。 图7示出了各种制剂的化的图。【具体实施方式】 本专利技术设及聚二有机硅氧烷-聚碳酸醋嵌段共聚物及其制备方法。对于运种嵌段 共聚物的最终特性而言，尽管对于运类嵌段共聚物的最终特性，如聚二有机硅氧烷嵌段的 长度、在最终的嵌段共聚物中聚二有机硅氧烷的负载、W及嵌段共聚物的总的分子量的特 定参数的效果具有广泛理解，当由不同批次的聚二有机硅氧烷单体制备共聚物时，可W观 察到光学树脂品质的显著改变。本文描述的分析工具是尺寸排阻色谱(SEC)与紫外化V)和 折射率(RI)检测的结合，其可W用于获得聚二有机硅氧烷单体的化学成分的详细信息，该 聚二有机硅氧烷单体用作形成最终嵌段共聚物。分析工具包括在SEC-UV和SEC-RI数据的基 础上的间接经典最小平方（indirect classical least square,Lies)计算W测量并计算 分子量分布(MwD)和聚二有机硅氧烷单体的组分的含量和化学成分分布(CCD)。计算允许在 聚二有机硅氧烷的多分散性指数(PDI)和高分子量组分和低分子量组分的百分比与最终嵌 段共聚物的关键光学特性，如浊度％之间发生关联。 除非另外限定，本文中使用的所有技术术语和科学术语具有与本领域普通技术人 员通常理解的相同的含义。在冲突的情况下，包括的定义的本文献控制。将在下文中描述优 选的方法和材料，但相似或等同于本文描述的运些的方法和材料也可W应用于本专利技术的实 践或测试中。本文提及的全部的公开内容、专利申请、专利和其它参考文件均结合通过引证 W其整体结合于此。本文公开的材料、方法和实例仅是说明性的且并不旨在进行限制。 本文中使用的术语"包括"、"包含"、"具有"、"有"、"可妒'、"含有"和它们的变体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制备聚二有机硅氧烷‑聚碳酸酯嵌段共聚物的方法，所述方法包括：(a)提供包含具有以下式(Ia)的羟基芳基封端的聚二有机硅氧烷单体的组合物：其中：每个R独立地是C1‑C13一价有机基团；每个X独立地是C2‑C4亚烷基基团；每个R’独立地选自由卤素、氰基、硝基、C1‑C8烷基、C1‑C8烷氧基、C1‑C8硫代烷氧基、C2‑C8链烯基、C2‑C8链烯氧基、C3‑C8环烷基、C3‑C8环烷氧基、C6‑C10芳基、C6‑C10芳氧基、C7‑C12芳烷基、和C7‑C12芳基烷氧基组成的组；每个m独立地是0、1、2、3或4；并且n是约2至约200；其中，所述组合物具有通过尺寸排阻色谱与紫外(UV)和折射率(RI)检测测得的小于2.2的多分散性指数(Mw/Mn)；并且其中，所述组合物具有小于15％的低分子量组分％；以及(b)使所述组合物与碳酸酯前体和式(ia)的二羟基单体反应以形成所述聚二有机硅氧烷‑聚碳酸酯嵌段共聚物：HO‑R1‑OH (ia)其中，R1包括脂肪族、脂环族或芳香族基团或它们的任意组合。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：奈尔斯·理查德·罗森库斯特，法布里齐奥·米奇凯，约苏瓦·德希尔，罗伯特·迪尔克·范德格兰佩尔，詹姆斯·F·胡韦尔，纳萨利·冈萨雷斯维达尔，
申请(专利权)人：沙特基础全球技术有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL