一种应用于干刻设备工艺腔室中的边环及边环单元制造技术

本实用新型专利技术公开了一种应用于干刻设备工艺腔室中的边环，其特征在于，包括：多个边环单元；各边环单元分别设置有连接结构，所述连接结构设置在各边环单元的两端；各边环单元通过所述连接结构连接在一起构成所述边环，使得所述边环存在的各缝隙大小均小于规定阈值。相比于现有技术中的边环而言，边环存在的缝隙大小，可由该连接结构决定，无需技术人员凭经验控制，从而相对于现有技术而言，可以实现精确控制缝隙大小。同时，由于通过所述连接结构构成的边环存在的各缝隙大小均小于规定阈值，因此本实用新型专利技术公开的边环上的缝隙小于氦气能够泄露的最小缝隙，避免边环面临氦侧漏的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及干刻
，尤其涉及一种边环及边环单元。
技术介绍
在真空加工室中采用干刻蚀技术对基片进行加工的过程中，用于支承基片的结构，往往包括边环(edgering)，该边环如图1阴影部分所示。边环存在的目的，主要是要将等离子体限制在工作区域内及防止氦气侧漏。在现有技术中，边环是由多个边环单元(如图1所示)组合构成的。边环单元一般为长条形或“L”形，并且，所述长条形或“L”形的两端，各边环单元连接的接触面一般均为光滑平面(如图2a和图2b所示)。由于边环存在较大的缝隙，将导致刻蚀过程中发生氦气侧漏，进而使得基板上漂，工作平台上发生弧光放电，对设备产生严重损害。因此，需要对边环单元之间的缝隙大小进行严格的控制。目前，利用边环单元构建边环时，为防止边环单元之间的缝隙过大，需要技术人员依靠经验，对边环单元进行放置，使得边环单元之间的各个缝隙大小均匀，不至于出现边环单元之间的缝隙过大导致氦侧漏的问题。上述方式存在的问题在于，需要依靠技术人员凭经验控制缝隙大小，因而精确度较低，从而构建完成的边环仍然可能面临氦侧漏的问题。
技术实现思路
本技术实施例提供一种边环，用以解决现有技术中依靠技术人员凭经验控制缝隙大小，因而精确度较低，从而构建完成的边环仍然可能面临氦侧漏的问题。本技术实施例还提供一种边环单元。本技术实施例采用下述技术方案：一种应用于干刻设备工艺腔室中的边环，包括：多个边环单元；各边环单元分别设置有连接结构，所述连接结构设置在各边环单元的两端；各边环单元通过所述连接结构连接在一起构成所述边环，使得所述边环存在的各缝隙大小均小于规定阈值。可选的，所述连接结构可以包括下述至少一种：卡槽连接结构、螺纹连接结构。可选的，分别设置在边环单元的两端的连接结构为第一卡槽连接结构和第二卡槽连接结构，其中，所述第一卡槽连接结构包括凸起物或凹槽，所述第二卡槽连接结构包括凸起物或凹槽。本技术实施例还提供一种边环单元，包括：连接结构，所述连接结构分别设置在边环单元的两端。可选的，所述的连接结构包括下述至少一种：卡槽连接结构、螺纹连接结构。可选的，分别设置在边环单元的两端的连接结构为第一卡槽连接结构和第二卡槽连接结构；其中，所述第一卡槽连接结构包括凸起物或凹槽，所述第二卡槽连接结构包括凸起物或凹槽。本技术实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：由于可以采用连接结构对不同边环单元进行连接构成边环，边环存在的缝隙大小，可由该连接结构决定，无需技术人员凭经验控制，从而相对于现有技术而言，可以实现精确控制缝隙大小。当连接结构使得构建而成的边环存在的各缝隙大小均小于规定阈值时，相比于现有技术而言，可以避免构建完成的边环面临氦侧漏的问题。附图说明此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本技术的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1为边环的结构示意图；图2a为现有技术中长条形边环单元示意图；图2b为现有技术中“L”形边环单元示意图；图3a为本技术实施例中两端设置有凹槽的边环单元示意图；图3b为本技术实施例中两端设置有凸起物的边环单元示意图；图3c为本技术实施例中一端设置凹槽，一端设置凸起物的边环单元示意图；图4为本技术实施例中边环单元卡槽结构连接的示意图。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型具体实施例及相应的附图对本技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。以下结合附图，详细说明本技术各实施例提供的技术方案。实施例1：干刻设备的工作原理是利用辉光放电方式，产生包含离子、电子等电粒子以及具有高度化学性的中性原子，分子及自由基的电浆，来进行图案转印的刻蚀设备。工艺腔室通常包括一个真空处理室，所述的真空处理室设置一上电极和下电极，下电极上方设置一个静电吸盘，待处理的基片放置在所述的静电吸盘上。为防止在刻蚀过程中产生高温对工作环境及设备的影响，所述真空处理室设置有降温处理的氦孔，所述氦孔能够释放惰性气体氦气，所述待处理基片在所述刻蚀处理后，形成基板。由于干刻设备的工艺腔室，需要定期进行维护和保养，腔室中的边环需要拆卸下来清洗，清洗完成后再重新安装回设备中。而边环是由多个边环单元组成，在边环单元重新组成边环安装回设备中时，若未控制好边环存在的缝隙的大小，将会出现边环单元之间的缝隙过大而导致氦气侧漏的问题。现有技术中边环存在的缝隙大小是由技术人员凭经验控制，因而精确度较低，从而构建完成的边环仍然可能面临氦侧漏的问题。相比于现有技术中各边环单元连接的接触面一般均为光滑平面，本实用新型实施例采用一种新型的边环，构成所述边环的边环单元设置有连接结构。本技术实施例采用的边环单元设置的连接结构比如可以是卡槽连接结构、螺纹连接结构等。由于边环单元经常会被拆卸与安装，采用螺纹连接结构相比卡槽连接结构较为复杂，拆装也比较繁琐，且螺纹连接结构中用到的螺丝容易被氧化腐蚀，因此，本技术实施例中边环单元设置的连接结构可以采用卡槽连接结构。以下以所述连接结构为卡槽连接结构为例，对本技术实施例进行介绍。可以理解，所述连接结构为卡槽连接结构，并不构成对本技术实施例的限制。如图3a、图3b、图3c所示，为本技术实施例提供的三种设置有卡槽连接结构的边环单元的示意图。由图可见，边环单元两端均设置有卡槽连接结构，其中，单端设置的卡槽连接结构可以包括凹槽301或凸起物302。具体而言，图3a中的边环单元两端均设置凹槽301，凹槽301的作用是与另一个边环单元的凸起物302相嵌合；图3b中的边环单元两端均设置凸起物302，凸起物302的作用是与另一个边环的凹槽301相嵌合；图3c中的边环单元一端设置凹槽301，另一端设置凸起物302。总结图3a、图3b、图3c所示的卡槽连接结构可知，若将边环单元一端的卡槽连接结构称为第一卡槽连接结构，则该第一卡槽连接结构可以包括凸起物或凹槽；若将边环单元另外一端的卡槽连接结构称本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于干刻设备工艺腔室中的边环，其特征在于，包括：多个边环单元；各边环单元分别设置有连接结构，所述连接结构设置在各边环单元的两端；各边环单元通过所述连接结构连接在一起构成所述边环，使得所述边环存在的各缝隙大小均小于规定阈值。

【技术特征摘要】
1.一种应用于干刻设备工艺腔室中的边环，其特征在于，包括：
多个边环单元；
各边环单元分别设置有连接结构，所述连接结构设置在各边环单元的两
端；各边环单元通过所述连接结构连接在一起构成所述边环，使得所述边环存
在的各缝隙大小均小于规定阈值。
2.根据权利要求1所述的边环，其特征在于，所述的连接结构包括下述
至少一种：
卡槽连接结构、螺纹连接结构。
3.根据权利要求2所述的边环，其特征在于，分别设置在边环单元的两
端的连接结构为第一卡槽连接结构和第二卡槽连接结构；
所述第一卡槽连接结构包...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴梦琳，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32