本发明专利技术公开了一种银面高压平面式MOS肖特基二极管，所述银面高压平面式MOS肖特基二极管包括主芯片、导线、肖特基阴极头、肖特基阳极头和外壳，所述主芯片固定于所述外壳内部，所述肖特基阴极头和所述肖特基阳极头分别通过所述导线连接所述主芯片，所述外壳内部设有第一滑槽和所述第二滑槽，所述肖特基阴极头一部分可滑动地置于所述第一滑槽内，另一部分延伸至所述外壳外部，所述肖特基阳极头一部分可滑动地置于所述第二滑槽内，另一部分延伸至所述外壳外部。解决了传统的银面高压平面式MOS肖特基二极管，其阳极头和阴极头比较长，在运输或存放过程中容易折弯或折断，大大减少了其使用寿命的问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及二极管，特别涉及一种银面高压平面式MOS肖特基二极管。
技术介绍
肖特基二极管，又称肖特基势垒二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短，正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。传统的银面高压平面式MOS肖特基二极管，其阳极头和阴极头比较长，在运输或存放过程中容易折弯或折断，大大减少了其使用寿命。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种银面高压平面式MOS肖特基二极管，解决了传统的银面高压平面式MOS肖特基二极管，其阳极头和阴极头比较长，在运输或存放过程中容易折弯或折断，大大减少了其使用寿命的问题。为实现上述目的，本专利技术提供以下的技术方案：一种银面高压平面式MOS肖特基二极管，其中，包括主芯片、导线、肖特基阴极头、肖特基阳极头和外壳，所述主芯片固定于所述外壳内部，所述肖特基阴极头和所述肖特基阳极头分别通过所述导线连接所述主芯片，所述外壳内部设有第一滑槽和所述第二滑槽，所述肖特基阴极头一部分可滑动地置于所述第一滑槽内，另一部分延伸至所述外壳外部，所述肖特基阳极头一部分可滑动地置于所述第二滑槽内，另一部分延伸至所述外壳外部。优选的，所述第一滑槽的内壁设有第一卡槽，所述肖特基阴极头表面固接有第一弹性卡片，当滑动所述肖特基阴极头时，所述第一弹性卡片可以卡合在所述第一卡槽内。优选的，所述第二滑槽的内壁设有第二卡槽，所述肖特基阳极头表面固接有第二弹性卡片，当滑动所述肖特基阳极头时，所述第二弹性卡片可以卡合在所述第二卡槽内。优选的，所述肖特基阴极头和所述肖特基阳极头平行设置。优选的，所述肖特基阴极头和所述肖特基阳极头位于所述外壳外部的部分上都套接有橡胶套。有益效果：本专利技术提供了一种银面高压平面式MOS肖特基二极管，其中，所述银面高压平面式MOS肖特基二极管包括主芯片、导线、肖特基阴极头、肖特基阳极头和外壳，使用前，所述肖特基阳极头和所述肖特基阴极头是位于所述外壳内部的，可以有效的防止阴极头和阳极头在运输或存放过程中折弯或折断，使用时，将所述肖特基阳极头和所述肖特基阴极头从外壳内抽出，所述肖特基阳极头和所述肖特基阴极头表面设有弹性卡片结构，当其从外壳抽出时，弹性卡片可以卡合在滑槽内的卡槽上，可以增加阴极头和阳极头的稳定性，防止使用时阴极头和阳极头缩回外壳内部。本专利技术提供的银面高压平面式MOS肖特基二极管可以有效解决统的银面高压平面式MOS肖特基二极管，其阳极头和阴极头比较长，在运输或存放过程中容易折弯或折断，大大减少了其使用寿命的问题。附图说明图1是本专利技术的结构示意图。图2是本专利技术的工作时的结构示意图。其中，1主芯片、2外壳、3导线、4第一滑槽、5肖特基阴极头、6第一弹性卡片、7肖特基阳极头、8第二弹性卡片、9第二滑槽。具体实施方式下面结合附图详细说明本专利技术的优选实施方式。图1和图2出示本专利技术的具体实施方式：一种银面高压平面式MOS肖特基二极管，其中，包括主芯片1、导线3、肖特基阴极头5、肖特基阳极头7和外壳2，所述主芯片1固定于所述外壳2内部，所述肖特基阴极头5和所述肖特基阳极头7分别通过所述导线3连接所述主芯片1，所述外壳2内部设有第一滑槽4和所述第二滑槽9，所述肖特基阴极头5一部分可滑动地置于所述第一滑槽4内，另一部分延伸至所述外壳2外部，所述肖特基阳极头7一部分可滑动地置于所述第二滑槽9内，另一部分延伸至所述外壳2外部。其中，所述第一滑槽4的内壁设有第一卡槽，所述肖特基阴极头5表面固接有第一弹性卡片6，当滑动所述肖特基阴极头5时，所述第一弹性卡片6可以卡合在所述第一卡槽内，所述第二滑槽9的内壁设有第二卡槽，所述肖特基阳极头7表面固接有第二弹性卡片8，当滑动所述肖特基阳极头7时，所述第二弹性卡片8可以卡合在所述第二卡槽内，所述肖特基阴极头5和所述肖特基阳极头7平行设置，所述肖特基阴极头5和所述肖特基阳极头7位于所述外壳2外部的部分上都套接有橡胶套。本专利技术提供了一种银面高压平面式MOS肖特基二极管，其中，所述银面高压平面式MOS肖特基二极管包括主芯片、导线、肖特基阴极头、肖特基阳极头和外壳，使用前，所述肖特基阳极头和所述肖特基阴极头是位于所述外壳内部的，可以有效的防止阴极头和阳极头在运输或存放过程中折弯或折断，使用时，将所述肖特基阳极头和所述肖特基阴极头从外壳内抽出，所述肖特基阳极头和所述肖特基阴极头表面设有弹性卡片结构，当其从外壳抽出时，弹性卡片可以卡合在滑槽内的卡槽上，可以增加阴极头和阳极头的稳定性，防止使用时阴极头和阳极头缩回外壳内部。本专利技术提供的银面高压平面式MOS肖特基二极管可以有效解决统的银面高压平面式MOS肖特基二极管，其阳极头和阴极头比较长，在运输或存放过程中容易折弯或折断，大大减少了其使用寿命的问题。以上所述的仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种银面高压平面式MOS肖特基二极管，其特征在于，包括主芯片、导线、肖特基阴极头、肖特基阳极头和外壳，所述主芯片固定于所述外壳内部，所述肖特基阴极头和所述肖特基阳极头分别通过所述导线连接所述主芯片，所述外壳内部设有第一滑槽和所述第二滑槽，所述肖特基阴极头一部分可滑动地置于所述第一滑槽内，另一部分延伸至所述外壳外部，所述肖特基阳极头一部分可滑动地置于所述第二滑槽内，另一部分延伸至所述外壳外部。
【技术特征摘要】
1.一种银面高压平面式MOS肖特基二极管，其特征在于，包括主芯片、导线、肖特基阴极头、肖特基阳极头和外壳，所述主芯片固定于所述外壳内部，所述肖特基阴极头和所述肖特基阳极头分别通过所述导线连接所述主芯片，所述外壳内部设有第一滑槽和所述第二滑槽，所述肖特基阴极头一部分可滑动地置于所述第一滑槽内，另一部分延伸至所述外壳外部，所述肖特基阳极头一部分可滑动地置于所述第二滑槽内，另一部分延伸至所述外壳外部。
2.根据权利要求1所述的银面高压平面式MOS肖特基二极管，其特征在于，所述第一滑槽的内壁设有第一卡槽，所述肖特基阴极头表面固接有第一弹性卡片，当滑动所述肖特...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄仲濬，蒋文甄，
申请(专利权)人：泰州优宾晶圆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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