一种片式多层电容电阻复合元件，属于电子元器件领域。包括上保护层、介质膜、电阻电极、基板、电容电极和下保护层；其特征在于：基板、介质膜、电阻电极、电容电极位于上保护层与下保护层之间，且介质膜、电阻电极、电容电极设置于同一基板上；在每一片介质膜上设置有电容电极和电阻电极；电容电极位于介质膜的中间位置，电阻电极位于介质膜的一侧。通过合理的多层结构设置，提高了各种电路的元器件安装密度，节省空间，为元器件的体积减小提供了可能性。本发明专利技术所述片式多层电容电阻复合元件的结构简单，易于推广使用。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子元器件领域，尤其涉及一种片式多层电容电阻复合元件。
技术介绍
随着科技的飞速发展，对于电子元器件的要求越来越高，各种新型的元器件及材料也被大量使用。电路元器件在当今电子产业中已越来越重要，目前开发人员正在加速开发高频、超高速数字系统和微型小型化设计等电路元器件新技术，与此同时元器件厂商也在全力提高各种电路的元器件安装密度，因此发展复合元器件已成为当今发展的必然趋势。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种片式多层电容电阻复合元件。一种片式多层电容电阻复合元件，包括上保护层、介质膜、电阻电极、基板、电容电极和下保护层；其特征在于:基板、介质膜、电阻电极、电容电极位于上保护层与下保护层之间，且介质膜、电阻电极、电容电极设置于同一基板上；在每一片介质膜上设置有电容电极和电阻电极；电容电极位于介质膜的中间位置，电阻电极位于介质膜的一侧。本专利技术所述的片式多层电容电阻复合元件，其特征在于:上保护层与下保护层之间设置有四层基板，每一层基板上都设置有介质膜、电阻电极和电容电极。本专利技术所述的片式多层电容电阻复合元件，其特征在于所述电阻电极，自上而下，设置于第一块基板的右侧；设置于第二块基板的左侧；设置于第三块基板的右侧；设置于第四块基板的左侧。本专利技术所述的片式多层电容电阻复合元件，其特征在于所述片式多层电容电阻复合元件的尺寸为1.5mmX 0.75mm。本专利技术所述的片式多层电容电阻复合元件，其特征在于所述介质膜片的厚度为60imo本专利技术所述的片式多层电容电阻复合元件，其特征在于所述介质膜片的厚度为10im0本专利技术所述片式多层电容电阻复合元件，通过合理的多层结构设置，提高了各种电路的元器件安装密度，节省空间，为元器件的体积减小提供了可能性。本专利技术所述片式多层电容电阻复合元件的结构简单，易于推广使用。【具体实施方式】—种片式多层电容电阻复合元件，包括上保护层、介质膜、电阻电极、基板、电容电极和下保护层；其特征在于:基板、介质膜、电阻电极、电容电极位于上保护层与下保护层之间，且介质膜、电阻电极、电容电极设置于同一基板上；在每一片介质膜上设置有电容电极和电阻电极；电容电极位于介质膜的中间位置，电阻电极位于介质膜的一侧。本专利技术所述的片式多层电容电阻复合元件，上保护层与下保护层之间设置有四层基板，每一层基板上都设置有介质膜、电阻电极和电容电极。在上、下表面为一定厚度的保护性介质膜，中间的介质膜上均印有电容电极层和电阻电极层，并且电阻电极层搭接在电容电极层之上，介质膜互相叠加的层数与所要求的电容、电阻值有关；而电容值与介质膜叠加的层数、电容电极面积、介质膜介电常数成正比，与介质膜厚度成反比，电阻值与电阻电极面积、电阻电极浆料方阻成正比，与介质膜叠加的层数成反比，所述电阻电极，自上而下，设置于第一块基板的右侧；设置于第二块基板的左侧；设置于第三块基板的右侧；设置于第四块基板的左侧。所述片式多层电容电阻复合元件的尺寸为1.5_X0.75mm。所述介质膜片的厚度为60im。所述介质膜片的厚度为lOOim。【主权项】1.一种片式多层电容电阻复合元件，包括上保护层、介质膜、电阻电极、基板、电容电极和下保护层；其特征在于:基板、介质膜、电阻电极、电容电极位于上保护层与下保护层之间，且介质膜、电阻电极、电容电极设置于同一基板上；在每一片介质膜上设置有电容电极和电阻电极；电容电极位于介质膜的中间位置，电阻电极位于介质膜的一侧。2.如权利要求1所述的片式多层电容电阻复合元件，其特征在于:上保护层与下保护层之间设置有四层基板，每一层基板上都设置有介质膜、电阻电极和电容电极。3.如权利要求1或2所述的片式多层电容电阻复合元件，其特征在于所述电阻电极，自上而下，设置于第一块基板的右侧；设置于第二块基板的左侧；设置于第三块基板的右侧；设置于第四块基板的左侧。4.如权利要求1所述的片式多层电容电阻复合元件，其特征在于所述片式多层电容电阻复合元件的尺寸为1.5mmX 0.75mm。5.如权利要求1所述的片式多层电容电阻复合元件，其特征在于所述介质膜片的厚度为 60im。6.如权利要求1所述的片式多层电容电阻复合元件，其特征在于所述介质膜片的厚度为 10im0【专利摘要】一种片式多层电容电阻复合元件，属于电子元器件领域。包括上保护层、介质膜、电阻电极、基板、电容电极和下保护层；其特征在于：基板、介质膜、电阻电极、电容电极位于上保护层与下保护层之间，且介质膜、电阻电极、电容电极设置于同一基板上；在每一片介质膜上设置有电容电极和电阻电极；电容电极位于介质膜的中间位置，电阻电极位于介质膜的一侧。通过合理的多层结构设置，提高了各种电路的元器件安装密度，节省空间，为元器件的体积减小提供了可能性。本专利技术所述片式多层电容电阻复合元件的结构简单，易于推广使用。【IPC分类】H01G4/40【公开号】CN105551800【申请号】CN201410598084【专利技术人】刘秋丽 【申请人】陕西高华知本化工科技有限公司【公开日】2016年5月4日【申请日】2014年10月31日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种片式多层电容电阻复合元件，包括上保护层、介质膜、电阻电极、基板、电容电极和下保护层；其特征在于：基板、介质膜、电阻电极、电容电极位于上保护层与下保护层之间，且介质膜、电阻电极、电容电极设置于同一基板上；在每一片介质膜上设置有电容电极和电阻电极；电容电极位于介质膜的中间位置，电阻电极位于介质膜的一侧。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘秋丽，
申请(专利权)人：陕西高华知本化工科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。