半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法，其包括：采用EKC溶液对刻蚀后的半导体晶圆进行第一次清洗，其中，EKC溶液为NMP溶剂和带有碱性的胺的混合溶液；采用NMP溶剂对半导体晶圆进行第二次清洗；采用IPA溶剂对半导体晶圆进行第三次清洗；采用纯水对半导体晶圆进行第四次清洗；对半导体晶圆进行干燥。通过上述方式，本发明专利技术能够完全清洗深孔中的聚合物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺
，特别是涉及一种。
技术介绍
在半导体器件的生产过程中，需要清洗刻蚀出的深孔，而深孔清洗直接关系着半导体器件的最终功能的实现。深孔通常经过干法蚀刻制程形成，刻蚀深度可以达到lOOum。然而，在干法蚀刻过程中会产生聚合物，如果无法在清洗过程中将聚合物完全清洗干净，就会直接影响后续镀金制程中形成的金属层的导通能力，继而导致器件的接地性能受到影响，会严重影响成品的性能、成品率及可靠性。但是，由于深孔的深度较大，现有的深孔清洗技术难以完全清洗干净深孔中的聚合物。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种，能够完全清洗深孔中的聚合物。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是:提供一种，包括:采用EKC溶液对刻蚀后的半导体晶圆进行第一次清洗，其中，EKC溶液为NMP溶剂和带有碱性的胺的混合溶液;采用NMP溶剂对所述半导体晶圆进行第二次清洗;采用IPA溶剂对所述半导体晶圆进行第三次清洗;采用纯水对所述半导体晶圆进行第四次清洗;对所述半导体晶圆进行干燥。优选地，所述第一次清洗、第二次清洗、第三次清洗和第四次清洗的方式为浸泡或喷射。优选地，所述第一次清洗的方式为浸泡时，浸泡时间为30分钟，浸泡温度为90°。优选地，所述第二次清洗的方式为浸泡时，浸泡时间为30分钟，浸泡温度为90°。优选地，所述第二次浸泡的浸泡时间为30分钟，浸泡温度为90°。优选地，所述第三次清洗的方式为浸泡时，浸泡时间为5分钟。优选地，所述第四次清洗的方式为浸泡时，浸泡时间为5分钟。优选地，所述干燥的方式为旋转甩干或氮气吹干。优选地，所述干燥的持续时间为5分钟。优选地，所述NMP溶剂的浓度为95 %以上，所述IPA溶剂的浓度为95 %以上。区别于现有技术的情况，本专利技术的有益效果是:通过在进行NMP溶剂浸泡之前，进行EKC溶液浸泡，从而能够完全清洗深孔中的聚合物，保证半导体器件的成品性能、成品率及可靠性。【附图说明】图1是本专利技术实施例的流程示意图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。参见图1，是本专利技术实施例的流程示意图。本专利技术实施例的深孔清洗方法包括以下步骤:S1:采用EKC溶液对刻蚀后的半导体晶圆进行第一次清洗，其中，EKC溶液为NMP溶剂和带有碱性的胺的混合溶液。其中，EKC溶液由于含有NMP(N-甲基吡咯烷酮，N-Methyl pyrrolidon)溶剂并带有碱性，对半导体晶圆的本体有一定的蚀刻作用，但是通过调整胺的添加比例，可以在清洗聚合物时起到显著作用同时能够避免或者尽量降低蚀刻作用。在本实施例中，第一次清洗的方式为浸泡或喷射，当清洗方式为浸泡时，浸泡时间为30分钟，浸泡温度为90°。S2:采用NMP溶剂对所述半导体晶圆进行第二次清洗。其中，NMP溶剂为纯有机溶剂且不具腐蚀性，可以在清洗聚合物的过程中起到显著的作用，不会对半导体晶圆本体产生时刻作用。可选地，NMP溶剂的浓度为95 %以上。在本实施例中，第二次清洗的方式为浸泡或喷射，当清洗方式为浸泡时，浸泡时间为30分钟，浸泡温度为90°。通过第二次清洗，可以将第一次清洗后残余的少量聚合物完全清洗掉。S3:采用IPA溶剂对所述半导体晶圆进行第三次清洗。其中，可选地，IPA(异丙醇，iso-Propyl alcohol)溶剂的浓度为95%以上。在本实施例中，第三次清洗的方式为浸泡或喷射，当清洗方式为浸泡时，浸泡时间为5分钟。S4:采用纯水对所述半导体晶圆进行第四次清洗。其中，在本实施例中，第四次清洗的方式为浸泡或喷射，当清洗方式为浸泡时，浸泡时间为5分钟。可选地，纯水为去离子水。S5:对所述半导体晶圆进行干燥。其中，干燥的方式可以为旋转甩干或氮气吹干，干燥的持续时间为5分钟。通过上述方式，本专利技术实施例的通过在进行NMP溶剂浸泡之前，进行EKC溶液浸泡，从而能够完全清洗深孔中的聚合物，保证半导体器件的成品性能、成品率及可靠性。以上所述仅为本专利技术的实施例，并非因此限制本专利技术的专利范围，凡是利用本专利技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本专利技术的专利保护范围内。【主权项】1.一种，其特征在于，包括: 采用EKC溶液对刻蚀后的半导体晶圆进行第一次清洗，其中，EKC溶液为NMP溶剂和带有碱性的胺的混合溶液； 采用NMP溶剂对所述半导体晶圆进行第二次清洗； 采用IPA溶剂对所述半导体晶圆进行第三次清洗； 采用纯水对所述半导体晶圆进行第四次清洗； 对所述半导体晶圆进行干燥。2.根据权利要求1所述的，其特征在于，所述第一次清洗、第二次清洗、第三次清洗和第四次清洗的方式为浸泡或喷射。3.根据权利要求2所述的，其特征在于，所述第一次清洗的方式为浸泡时，浸泡时间为30分钟，浸泡温度为90°。4.根据权利要求2所述的，其特征在于，所述第二次清洗的方式为浸泡时，浸泡时间为30分钟，浸泡温度为90°。5.根据权利要求2所述的，其特征在于，所述第三次清洗的方式为浸泡时，浸泡时间为5分钟。6.根据权利要求2所述的，其特征在于，所述第四次清洗的方式为浸泡时，浸泡时间为5分钟。7.根据权利要求1所述的，其特征在于，所述干燥的方式为旋转甩干或氮气吹干。8.根据权利要求7所述的，其特征在于，所述干燥的持续时间为5分钟。9.根据权利要求1所述的，其特征在于，所述NMP溶剂的浓度为95%以上，所述IPA溶剂的浓度为95%以上。【专利摘要】本专利技术提供了一种，其包括：采用EKC溶液对刻蚀后的半导体晶圆进行第一次清洗，其中，EKC溶液为NMP溶剂和带有碱性的胺的混合溶液；采用NMP溶剂对半导体晶圆进行第二次清洗；采用IPA溶剂对半导体晶圆进行第三次清洗；采用纯水对半导体晶圆进行第四次清洗；对半导体晶圆进行干燥。通过上述方式，本专利技术能够完全清洗深孔中的聚合物。【IPC分类】H01L21/02【公开号】CN105551942【申请号】CN201610024141【专利技术人】王超 【申请人】成都海威华芯科技有限公司【公开日】2016年5月4日【申请日】2016年1月14日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法，其特征在于，包括：采用EKC溶液对刻蚀后的半导体晶圆进行第一次清洗，其中，EKC溶液为NMP溶剂和带有碱性的胺的混合溶液；采用NMP溶剂对所述半导体晶圆进行第二次清洗；采用IPA溶剂对所述半导体晶圆进行第三次清洗；采用纯水对所述半导体晶圆进行第四次清洗；对所述半导体晶圆进行干燥。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王超，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51