本实用新型专利技术公开了一种可控硅阵列开关及带有该开关的脉冲发生器，可控硅阵列开关包括至少两个并联的可控硅单元，可控硅单元包括至少两个串联的可控硅，且每个可控硅并联一个电阻，每个可控硅的栅极与可控硅阵列开关的触发端连接，每个可控硅的阳极与可控硅阵列开关的输入端连接，每个可控硅的阴极与可控硅阵列开关的输出端连接；脉冲发生器包括触发形成电路、可控硅阵列开关、脉冲形成电路。本实用新型专利技术将可控硅串联解决单个可控硅触发的耐压问题，将串联的可控硅单元再并联，可以防止某个串联的可控硅单元回路被击穿导致开关不能导通，提高了开关电路的可行性和稳定性。
【技术实现步骤摘要】
本技术设及一种可控娃阵列开关及带有该开关的脉冲发生器，属于电磁脉冲
技术介绍
电磁脉冲是一种瞬变电磁现象，电磁脉冲可W通过缝隙、线缆等的强禪合作用，使 电子元器件、系统W及设备受到干扰和破坏，因此，有关电磁脉冲W及脉冲功率技术成为当 代研究的热点之一。 脉冲开关的性能影响着脉冲发生器的性能，脉冲开关起到了极其重要的作用，甚 至是脉冲发生器的成败的关键。脉冲发生器通常使用气体火花开关，气体火花开关通过过 压击穿特性进行放电，但是其也存在着开关过于复杂繁琐、成本太高等缺点。近些年来，随 着功率半导体本身的性能的提高，脉冲功率系统可W使用功率半导体作为开关，利用其方 便串联或并联运行的特点，运对解决开关耐压和通断问题有特别重要的意义。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是:提供一种可控娃阵列开关及带有该开关的脉 冲发生器，利用可控娃的串联增加开关的耐压值，而若干个串联的可控娃再并联解决了某 个串联的可控娃回路被击穿导致开关不能导通的问题。[000引本技术为解决上述技术问题采用W下技术方案： -种可控娃阵列开关，包括至少两个并联的可控娃单元，所述可控娃单元包括至 少两个串联的可控娃，且每个可控娃并联一个电阻，每个可控娃的栅极与可控娃阵列开关 的触发端连接，每个可控娃的阳极与可控娃阵列开关的输入端连接，每个可控娃的阴极与 可控娃阵列开关的输出端连接。 优选的，所述并联的可控娃单元的个数为10。 优选的，所述串联的可控娃的个数为5。 -种带有可控娃阵列开关的脉冲发生器，包括触发形成电路、可控娃阵列开关、脉 冲形成电路，所述脉冲形成电路包括开关、第四~第五电阻、第二电容;第四电阻的一端经开 关与直流电源的正极连接，另一端分别连接第二电容的一端和可控娃阵列开关的输入端， 第二电容的另一端分别连接直流电源的负极和第五电阻的一端，第五电阻的另一端连接可 控娃阵列开关的输出端;所述可控娃阵列开关的触发端连接触发形成电路的输出端。 优选的，所述触发形成电路包括按键开关、第一~第=电阻、可变电阻、第一电容、 第一~第二二极管、双向触发二极管、发光二极管;所述第一电阻的一端经按键开关与交流 电源的一端连接，另一端与可变电阻的一端连接;可变电阻的另一端分别连接可变电阻的 滑动端和第一二极管的阳极;第一二极管的阴极分别连接第一电容的一端和双向触发二极 管的一端，第一电容的另一端分别连接交流电源的另一端和地;双向触发二极管的另一端 分别连接第二二极管的阳极和发光二极管的阳极，第二二极管的阴极经第=电阻连接该触 发形成电路的输出端;发光二极管的阴极经第二电阻接地。 本技术采用W上技术方案与现有技术相比，具有W下技术效果： 1、本技术可控娃阵列开关及带有该开关的脉冲发生器，将可控娃进行串联解 决单个可控娃触发的耐压问题，增加耐压值;将串联的可控娃单元再并联，当某个串联的可 控娃单元回路可控娃被击穿时，触发信号可W从其它串联的可控娃单元回路触发导通，可 W防止某个串联的可控娃单元回路被击穿导致开关不能导通，提高了开关电路的可行性和 稳定性，从而增强了脉冲发生器的性能。 2、本技术可控娃阵列开关及带有该开关的脉冲发生器，可W实现单次触发和 连续触发，可W根据需求选择触发方式。 3、本技术可控娃阵列开关及带有该开关的脉冲发生器，方便连接制作，开关 成本也大大降低，减少了气体火花开关带来的复杂繁琐。【附图说明】 图1是本技术中触发形成电路的电路结构图。 图2是本技术中可控娃阵列开关的电路结构图。 图3是本技术中脉冲形成电路的电路结构图。 其中，SW为按键开关、S为开关、IU~R5为第一~第五电阻、RW为可变电阻、D2为 第一~第二二极管、DB为双向触发二极管、LH)为发光二极管、a~C2为第一~第二电容。【具体实施方式】 下面详细描述本技术的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中 自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通 过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本技术，而不能解释为对本实用 新型的限制。 如图1所示，为本技术中触发形成电路的电路结构图，交流电经过R1、RW，W及 二极管Dl进行整流变为直流电，对电容Cl充电，当Cl充满电时，使DB导通，电容Cl开始放电， 经过二极管D2，R3产生触发。其中开关SW用于控制触发的开断，通过调节可调电阻RW的大 小，可W改变电容Cl的充电电流，改变触发导通频率，实现单次触发或连续触发。发光二极 管L邸和电阻R2为显示回路，灯亮时代表触发。 如图2所示，为本技术中可控娃阵列开关的电路结构图，图2为其中的一个实 施例，将五个可控娃串联可W增加开关的耐压值，把各个可控娃的触发极连在一起，再把十 组串联着的五个可控娃并联，形成5心10的可控娃阵列，作为导通和关断的开关。当某个串 联的可控娃回路的可控娃被击穿时，触发信号可W从其它串联的可控娃回路触发导通，可 W防止某个串联的可控娃回路被击穿导致开关不能导通。每个可控娃并联一个电阻，起均 压和保护电路的作用。 如图3所示，为本技术中脉冲形成电路的电路结构图，脉冲形成电路主要使用 RC电路，直流电源对电容C2充电，当电容C2充满电时，在触发条件下，可控娃阵列开关导通， 对负载R5放电，形成所需的脉冲。 本技术工作时，触发形成电路产生的触发，即图1的输出与图2的触发相连使 可控娃阵列导通，图2的可控娃阵列开关为图3脉冲形成电路里的开关，从而脉冲形成电路 产生电磁脉冲。 W上实施例仅为说明本技术的技术思想，不能W此限定本技术的保护范 围，凡是按照本技术提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本实 用新型保护范围之内。【主权项】1. 一种可控硅阵列开关，其特征在于，包括至少两个并联的可控硅单元，所述可控硅单 元包括至少两个串联的可控硅，且每个可控硅并联一个电阻，每个可控硅的栅极与可控硅 阵列开关的触发端连接，每个可控硅的阳极与可控硅阵列开关的输入端连接，每个可控硅 的阴极与可控硅阵列开关的输出端连接。2. 如权利要求1所述可控硅阵列开关，其特征在于，所述并联的可控硅单元的个数为 10。3. 如权利要求1所述可控硅阵列开关，其特征在于，所述串联的可控硅的个数为5。4. 一种带有可控硅阵列开关的脉冲发生器，其特征在于，包括触发形成电路、可控硅阵 列开关、脉冲形成电路，所述脉冲形成电路包括开关、第四~第五电阻、第二电容;第四电阻 的一端经开关与直流电源的正极连接，另一端分别连接第二电容的一端和可控硅阵列开关 的输入端，第二电容的另一端分别连接直流电源的负极和第五电阻的一端，第五电阻的另 一端连接可控硅阵列开关的输出端;所述可控硅阵列开关的触发端连接触发形成电路的输 出端。5. 如权利要求4所述带有可控硅阵列开关的脉冲发生器，其特征在于，所述触发形成电 路包括按键开关、第一~第三电阻、可变电阻、第一电容、第一~第二二极管、双向触发二极 管、发光二极管;所述第一电阻的一端经按键开关与交流电源的一端连接，另一端与可变电 阻的一端连接;可变电阻的另一端分别连接可变电阻的滑动端和第一二极管的阳极;本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种可控硅阵列开关，其特征在于，包括至少两个并联的可控硅单元，所述可控硅单元包括至少两个串联的可控硅，且每个可控硅并联一个电阻，每个可控硅的栅极与可控硅阵列开关的触发端连接，每个可控硅的阳极与可控硅阵列开关的输入端连接，每个可控硅的阴极与可控硅阵列开关的输出端连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈炜峰，胡瑞成，黄锋，
申请(专利权)人：南京信息工程大学，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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