MEMS器件制造技术

一种在衬底上制造微机电系统（ＭＥＭＳ）装置的方法，包括步骤：处理衬底（１０）以便制作电子电路（１１）；沉积可操作地与所述电子电路（１１）耦合的第一电极（１５）；沉积薄膜（１６），使其机械耦合至所述第一电极（１５）；施加牺牲层（５０）；沉积结构层（１８）以及可操作地与所述电子电路（１１）耦合的第二电极（１７），使得所述牺牲层（５０）安置在所述薄膜（１６）和所述结构层（１８）之间从而形成初步结构；单元化所述衬底（１０）；以及去除所述牺牲层（５０）从而形成ＭＥＭＳ结构，其中单元化所述衬底（１０）的步骤在去除所述牺牲层（５０）的步骤之前进行。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种在衬底（１０）上制作微机电系统（ＭＥＭＳ）装置的方法，该方法包括以下步骤：　处理所述衬底（１０）以便制作电子电路（１１）；　沉积可操作地与所述电路（１１）耦合的第一电极（１５）；　沉积薄膜（１６）使其机械耦合至所述第一 电极（１５）；　施加牺牲层（５０）；　沉积结构层（１８）以及可操作地与所述电子电路（１１）耦合的第二电极（１７），这样所述牺牲层（５０）被放置在所述薄膜（１６）和所述结构层（１８）之间从而形成初步结构；　单元化该衬底（１０ ）；以及　去除所述牺牲层（５０）从而形成ＭＥＭＳ结构，　其中单元化所述衬底（１０）的步骤在去除所述牺牲层（５０）的步骤之前进行。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：RI拉明，A特雷纳，
申请(专利权)人：沃福森微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]