半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

半导体装置的制造方法具有：准备工序，在该准备工序中，准备被安装于基板且沿着第一方向彼此隔开间隔的多个半导体元件；以及密封工序，在该密封工序中，含有粒子的多个密封层以与各所述半导体元件一一对应且沿着所述第一方向隔开间隔的方式将多个所述半导体元件密封。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，详细而言，涉及一种半导体装置的制造方法以及利用该制造方法制造出来的半导体装置。
技术介绍
以往，公知有一种制造半导体装置的方法，在该方法中，利用密封片密封安装于基板的发光二极管(LED)等半导体元件来制造出半导体装置。例如，提出一种LED装置的制造方法，在该方法中，利用密封片以使密封树脂层与沿着长度方向隔开间隔地配置的多个LED相对配置的方式密封LED，该密封片在长条状的剥离片上以在长度方向连续的方式层叠含有荧光体、硅石等粒子的密封树脂层而形成(例如，参照下记专利文献I。)。专利文献专利文献I:(日本)特开2012-142364号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在利用专利文献I所记载的方法获得的LED装置中，位于距离各LED较近的位置的密封树脂层(即、密封区域)覆盖LED的上表面和侧面等，有助于LED的密封。另一方面，在LED装置中，位于距离各LED较远的位置的密封树脂层、具体而言，位于邻接的LED间的中央(长度方向中途)的密封树脂层(即、非密封区域)对于LED的密封没有实质性帮助。因此。在LED装置中，非密封区域的密封树脂层在LED的密封中成为不需要的区域，含有上述粒子的密封树脂层的成品率相应下降。其结果，存在使LED装置的制造成本增加这样的不良情况。另一方面，在LED装置的制造方法中，虽然也试行了在上述非密封区域临时形成了密封树脂层后再将非密封区域去除掉的方案，但是，密封树脂层除了上述粒子以外还含有树脂、添加物，因此，难以从去除掉的非密封区域只对粒子进行回收和再利用。因此，依然存在如下不良情况:非密封区域的形成造成的密封树脂层的成品率降低以及不能防止由此带来的LED装置的制造成本的增加。本专利技术的目的在于提供一种半导体装置的制造方法以及利用该方法制造出的半导体装置，利用该半导体装置的制造方法能够使密封层的成品率提高且使半导体装置的制造成本降低。用于解决问题的方案本专利技术的半导体装置的制造方法的特征在于，其包括如下工序:准备工序，在该准备工序中，准备被安装于基板且沿着第一方向彼此隔开间隔的多个半导体元件；以及密封工序，在该密封工序中，含有粒子的多个密封层以与各所述半导体元件一一对应且沿着所述第一方向隔开间隔的方式将多个所述半导体元件密封。采用该方法，在密封工序中，具有粒子的多个密封层以与各半导体元件一一对应且沿着第一方向隔开间隔的方式将多个半导体元件密封。也就是说，多个密封层全部能够有助于多个半导体元件的密封。因此，能够有效地利用密封层。其结果，能够使密封层的成品率提高且使半导体装置的制造成本降低。另外，在本专利技术的半导体装置的制造方法中，优选的是，在所述准备工序中，将多个所述半导体元件沿着与所述第一方向交叉的第二方向彼此隔开间隔地配置，在所述密封工序中，利用在所述第二方向上连续的所述密封层将所述半导体元件密封，在所述密封工序之后还具有切断工序，在切断工序中，以将所述密封层在所述第二方向上分割成多个的方式切断所述密封层和所述基板，而且优选的是，将多个所述半导体元件以在所述第二方向上邻接的所述半导体元件之间的间隔比在所述第一方向上邻接的所述半导体元件之间的间隔小的方式进行配置，此外，优选的是，在所述准备工序中也准备沿着所述第一方向延伸的所述基板。采用该方法，在准备工序中，将多个半导体元件沿着第一方向和第二方向这两个方向隔开间隔地配置，之后，通过密封工序，利用密封层将这些半导体元件密封，因此，能够高效地制造出半导体装置。另外，在密封工序中，利用在第二方向上连续的密封层将在第二方向上彼此隔开间隔地配置的半导体元件密封，从而能够简单且高效地将半导体元件密封。与此同时，通过切断工序，以将密封层在第二方向上分割成多个的方式切断密封层和基板，因此，能够有效地利用在第二方向上连续的密封层。尤其是，在该方法中，以使密封层在第一方向上隔开间隔的方式配置密封层，另一方面，例如，即使以使密封层在第二方向上连续的方式配置密封层，也以在第二方向上邻接的半导体元件之间的间隔比在第一方向上邻接的半导体元件之间的间隔小的方式配置多个半导体元件。如此一来，利用切断工序，使以在第二方向上被分割成多个的方式被切断的密封层能够高效地帮助在第二方向上邻接的半导体元件的密封。因此，能够有效地利用密封层。此外，尤其是，在准备工序中，准备沿着第一方向延伸的基板，因此，能够在第一方向上连续供给基板。因此，能够高效地制造出半导体装置。而且，在切断工序中，因为将在第一方向上延伸的基板以在第二方向上分割成多个的方式进行切断，所以得到的半导体装置以在第一方向上延伸的方式形成。因此，将该半导体装置的第一方向的长度调节到所希望的尺寸，能够应用在各种用途中。其结果，在能够使密封层的成品率提高且降低半导体装置的制造成本的同时，能够高效地制造出半导体装置。此外，在本专利技术的半导体装置的制造方法中，优选的是，在所述密封工序中，利用预先形成为片状的所述密封层密封所述半导体元件。采用该方法，因为利用预先形成为片状的密封层将半导体元件密封，所以能够预先正确地调整密封层的厚度，因此，能够使密封的精度提高。因此，能够制造出可靠性优异的半导体装置。此外，本专利技术的半导体装置的制造方法优选是一种光半导体装置的制造方法，在该光半导体装置的制造方法中，所述粒子含有荧光体，所述半导体元件是光半导体元件。采用该方法，能够使密封层的成品率提高且降低光半导体装置的制造成本。此外，本专利技术的半导体装置的特征在于，是利用上述半导体装置的制造方法而获得的。对于该半导体装置而言，提高了密封层的成品率，降低了制造成本。专利技术的效果采用本专利技术的半导体装置的制造方法，能够使密封层的成品率提高且使半导体装置的制造成本降低。对于本专利技术的半导体装置而言，提高了密封层的成品率，降低了制造成本。【附图说明】图1是表示用于说明作为本专利技术的第一实施方式的光半导体装置的制造方法的概略俯视图。图2示出了用于说明图1所记载的光半导体装置的制造方法的、沿着左右方向的概略剖视图。图3A?E是用于说明图1所记载的光半导体装置的制造方法的、沿着前后方向的概略剖视工序图，图3A和图3B表示准备工序，图3C表示密封工序，图3D表示切断工序，图3E表示剥离工序。图4是表示说明作为本专利技术的第二实施方式的光半导体装置的制造方法的概略俯视图。图5是表示说明图4所记载的光半导体装置的制造方法的、沿着左右方向的概略剖视图。图6A?D是说明图4所记载的光半导体装置的制造方法的、沿着前后方向的概略剖视工序图，图6A和图6B表示准备工序，图6C表示密封工序，图6D表示剥离工序。图7是表示说明作为本专利技术的第三实施方式的光半导体装置的制造方法的概略俯视图。图8是表示说明作为本专利技术的第四实施方式的光半导体装置的制造方法的概略俯视图。图9是表示说明作为本专利技术的第五实施方式的光半导体装置的制造方法的概略俯视图。【具体实施方式】(第一实施方式)在图1中，纸面右侧表示前侧(作为第一方向的一例的前后方向的一侧(输送方向下游侧))，纸面左侧表示后侧(前后方向的另一方侧(输送方向上游侧))，纸面上侧表示右侦叭作为第二方向的一例，相对于前后方向正交的左右方向的一侧)、纸面下侧表示左侧(左右方向的另一侧)、纸面近前侧表示上侧(作为相对于前后方向和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其包括如下工序：准备工序，在该准备工序中，准备被安装于基板且沿着第一方向彼此隔开间隔的多个半导体元件；以及密封工序，在该密封工序中，含有粒子的多个密封层以与各所述半导体元件一一对应且沿着所述第一方向隔开间隔的方式将多个所述半导体元件密封。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：大藪恭也，二宫明人，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP