【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种微机电系统压力传感器的制作方法，其特征在于，包括下列步骤： 在半导体衬底中形成压力腔开口； 在半导体衬底上键合绝缘体上硅基片，形成压力腔，所述绝缘体上硅基片包括顶层硅层、埋氧层和衬底硅层，其中顶层硅与半导体衬底键合；去除衬底硅层至露出埋氧层； 在埋氧层上形成氧化硅层； 蚀刻氧化硅层和埋氧层至露出顶层硅层，形成与后续敏感电阻位置对应的开口； 沿开口向顶层硅层注入离子，形成敏感电阻； 在氧化硅层上形成导电层，且导电层填充满开口，形成与敏感电阻连通的电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘蓓，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。