【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种聚焦离子束注入结合氟化氙气体辅助刻蚀的微纳加工方法，采用带有氟化氙气体辅助刻蚀的聚焦离子束设备，包括下列步骤： ａ）将待加工基底置于聚焦离子束样品室； ｂ）通过离子束成像系统对其进行形貌观测； ｃ）利用聚焦离子束对基底 按照目标加工图案进行离子注入加工； ｄ）在所述的聚焦离子束样品室内，原位利用聚焦离子束氟化氙气体辅助刻蚀的方法对离子注入区域进行微纳加工。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：房丰洲，徐宗伟，胡小唐，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]
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