一种晶硅电池及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种晶硅电池，包括设置在电池片正面的正面电极，所述正面电极包括向侧边延伸的细栅线，所述细栅线的上侧边所在的平面与所述电池片表面的垂直方向的夹角α大于等于太阳光的入射角α0。除此之外，本发明专利技术还提供了一种所述晶硅电池制造方法，应用于如上述所述的晶硅电池。所述晶硅电池以及晶硅电池制造方法，通过将电池片表面的细栅线的上侧边所在的平面与所述电池片表面的垂直方向的夹角α大于等于太阳光的入射角α0，使得在太阳光入射到电池片表面时，不会被细栅线遮挡，降低了在电池片的表面存在放入阴影区域面积，提高了电池片的接收阳光的面积，提高了对照射在电池片表面的阳光的利用率，提高了电池片的发电功率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏组件领域，特别是涉及。
技术介绍
典型晶硅电池包含有基板、表面结构粗糙化、P-N二极体、抗反射层、金属电极等五个部份，其中，金属电极包含电池正面和背面电极，而正面电极(亦即电池主栅线)还会往侧边伸展出一系列很细的金属手指，一般称为格子线(亦即电池细栅线)，金属电极主要作用是收集和引出电流。—般而言，正面金属线会遮挡掉3?5%的入射光面积，金属材料一般为银合金，银浆通过丝网印刷技术吸附到基材上。经过丝网印刷后的硅片需经烧结炉快速烧结，形成几乎纯粹的、由于玻璃质作用而密合在硅片上的栅线。细栅线截面一般呈矩形结构(实际为不规则的类似矩形的形状)，会有一定高度存在，当光线以一定入射角照到电池表面时，会有一定程度的阴影，称为阴影效应，随着太阳光线角度变化，电池阴影面积随之变化。并且细栅线的金属平面结构还会将入射光反射出去，从而降低单片电池总体效率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，提高了发电效率，提高了晶硅电池及光伏组件的功率。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种晶硅电池，包括设置在电池片正面的正面电极，所述正面电极包括向侧边延伸的细栅线，所述细栅线的上侧边所在的平面与所述电池片表面的垂直方向的夹角α大于等于太阳光的入射角α0。其中，还包括设置在所述细栅线表面的增反膜。其中，所述增反膜为T12薄膜或AlO薄膜。其中，所述细栅线的表面镀设有银薄膜。其中，所述细栅线的上侧边所在的平面与所述电池片表面的垂直方向的夹角α: α<90° -β0/2，其中βο为盖板玻璃的全反射临界角。其中，所述细栅线的纵截面为等腰三角形或等腰梯形。其中，所述细栅线为宽度为50μπι-55μπι，高度为11μπι-15μπι的细栅线。除此之外，本专利技术还提供了一种晶硅电池制造方法，应用于如上述任一项所述的晶娃电池，包括:对完成烧结的电池片，进行丝网印刷；在每一条所述电池片的细栅上印刷一层银浆；在所述银浆还没完全凝固之前，使用一个倒V型的模具进行压制，在每条所述细栅上得到金字塔状结构。本专利技术实施例所提供的晶硅电池及其制造方法，与现有技术相比，具有以下优点:本专利技术实施例提供了晶硅电池，包括设置在电池片正面的正面电极，所述正面电极包括向侧边延伸的细栅线，所述细栅线的上侧边所在的平面与所述电池片表面的垂直方向的夹角α大于等于太阳光的入射角α0。除此之外，本专利技术实施例还提供的所述晶硅电池制造方法，应用于如上述所述的晶娃电池，包括:对完成烧结的电池片，进行丝网印刷；在每一条所述电池片的细栅上印刷一层银浆；在所述银浆还没完全凝固之前，使用一个倒V型的模具进行压制，在每条所述细栅上得到金字塔状结构。所述晶硅电池以及晶硅电池制造方法，通过将电池片表面的细栅线的上侧边所在的平面与所述电池片表面的垂直方向的夹角α大于等于太阳光的入射角αο，使得在太阳光入射到电池片表面时，不会被细栅线遮挡，降低了在电池片的表面存在放入阴影区域面积，提高了电池片的接收阳光的面积，提高了对照射在电池片表面的阳光的利用率，提高了电池片的发电功率。综上所述，本专利技术实施例所提供的晶硅电池以及晶硅电池制造方法，通过将电池片表面的细栅线的上侧边所在的平面与所述电池片表面的垂直方向的夹角α大于等于太阳光的入射角αο，提高了对照射在电池片表面的阳光的利用率，提高了电池片的发电功率。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中的娃晶电池的俯视图结构不意图；图2为现有技术中的晶硅电池的纵截面的接收太阳光的示意图；图3为本专利技术实施例所提供的晶硅电池的一种【具体实施方式】中的纵截面的接收太阳光的不意图；图4为本专利技术实施例所提供的晶硅电池的一种【具体实施方式】中的纵截面的接收太阳光的不意图；图5为本专利技术实施例所提供的晶硅电池的制造方法的一种【具体实施方式】中的步骤示意图。【具体实施方式】正如
技术介绍
部分所述，现有技术中，如图1和图2所示的细栅线I截面一般呈矩形结构(实际为不规则的类似矩形的形状)，会有一定高度存在，当光线以一定入射角照到电池表面时，会有一定程度的阴影2，称为阴影效应，随着太阳光线角度变化，电池阴影面积随之变化。并且细栅线的金属平面结构还会将入射光反射出去，从而降低单片电池总体效率。本专利技术的出发点是通过重新设计细栅线的结构，使得原来处于细栅线的阴影区域的电池片，可以吸收到太阳光，提高了电池片表面的吸收阳光的区域的利用率，将原来可能从细栅线反射回空中的阳光吸收，提高了太阳光吸收效率，提高了发电功率。在本专利技术中可以是在原有的细栅线的基础上，将原有的细栅线与阴影区域同时设计为新的细栅线，或者将原细栅线截取一个三棱柱，使得阴影区域消失，为了不增大细栅线的电阻，一般选择前一种方式。基于此，本专利技术实施例提供了一种晶硅电池，包括设置在电池片正面的正面电极，所述正面电极包括向侧边延伸的细栅线，所述细栅线的上侧边所在的平面与所述电池片表面的垂直方向的夹角α大于等于太阳光的入射角α0。除此之外，本专利技术还提供了一种所述晶硅电池制造方法，应用于如上述所述的晶硅电池，包括:对完成烧结的电池片，进行丝网印刷；在每一条所述电池片的细栅上印刷一层银浆；在所述银浆还没完全凝固之前，使用一个倒V型的模具进行压制，在每条所述细栅上得到金字塔状结构综上所述，本专利技术实施例提供的所述晶硅电池以及晶硅电池制造方法，通过将电池片表面的细栅线的上侧边所在的平面与所述电池片表面的垂直方向的夹角α大于等于太阳光的入射角αο，使得在太阳光入射到电池片表面时，不会被细栅线遮挡，降低了在电池片的表面存在放入阴影区域面积，提高了电池片的接收阳光的面积，提高了对照射在电池片表面的阳光的利用率，提高了电池片的发电功率。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】做详细的说明。在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广。因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。请参考图3-4，图3为本专利技术的晶硅电池的实施例的一种【具体实施方式】中的纵截面的接收太阳光的示意图；图4为本专利技术的晶硅电池的实施例的一种【具体实施方式】中的纵截面的接收太阳光的示意图当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶硅电池，包括设置在电池片正面的正面电极，其特征在于，所述正面电极包括向侧边延伸的细栅线，所述细栅线的上侧边所在的平面与所述电池片表面的垂直方向的夹角α大于等于太阳光的入射角α0。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘亚锋，覃武，刘增胜，金浩，
申请(专利权)人：晶科能源有限公司，浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36