一种宽频阻抗变换器制造技术

本发明专利技术涉及一种电子元器件，特别涉及一种宽频阻抗变换器。其变换器本体包括有数量为3-5层的高阻端层及与高阻端层依次层状设置的低阻端层，所述高阻端层及低阻端层之间还设置有绝缘隔离层；每一个高阻端层包括3个以上依次串联的高阻端，每一个低阻端层包括依次串联的且与每一个高阻端层包括的高阻端数量相同的低阻端；所述高阻端层的末高阻端与下一层高阻端层的首高阻端电连接；每一个低阻端层的首低阻端依次电连接，每一个低阻端层的末低阻端依次电连接。其分层分段处理的分布电容的处理把高频部分旁路造成输送损失，大幅度的减少分布电容，克服分布电容的影响，使得电子管变换器的频宽可以做到和晶体管的那么宽，可以达到10HZ-80KHZ-0.1DB的技术效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子元器件，具体涉及一种宽频阻抗变换器。
技术介绍
电子管是一个高电压小电流的高阻放大器件，在输出功率推动低阻抗的耳机和扬声器时必须阻抗变换，比如一个大功率的电子管阳极阻抗是6000欧姆，推动8欧姆的喇叭必须把6000欧姆转化为8欧姆才能和扬声器很好的对接功率输送，以前的阻抗变换器不能达到音频的频响范围(音频要求20HZ-20KHZ)，目前就是号称世界频响最宽的日本的铁木兰(TAMRAD10)和天狗(TANGO)也只能做到20HZ-20KHZ-1.5DB，包括美国、瑞士、法国、德国、英国等的国家都是在音频范围内衰减很大，都具有一定的技术局限性。
技术实现思路
为克服上述缺陷，本专利技术的目的即在于提供一种宽频阻抗变换器。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的:本专利技术的一种宽频阻抗变换器，包括有变换器本体，所述变换器本体包括有数量为3-5层的高阻端层及与高阻端层依次层状设置的低阻端层，所述高阻端层及低阻端层之间还设置有绝缘隔离层；每一个高阻端层包括3个以上依次串联的高阻端，每一个低阻端层包括依次串联的且与每一个高阻端层包括的高阻端数量相同的低阻端;所述高阻端层的末高阻端与下一层高阻端层的首高阻端电连接;每一个低阻端层的首低阻端依次电连接，每一个低阻端层的末低阻端依次电连接。进一步，所述层状设置的最上层为高阻端层。进一步，所述高阻端与低阻端上下位置相对应。进一步，所述变换器本体还包括有铁芯，所述高阻端层及低阻端层均缠绕在铁芯上形成层状设置。进一步，所述高阻端层的数量为4层，每一个高阻端层包括6个依次串联的高阻端。进一步，所述高阻端层的数量为3层，每一个高阻端层包括3个依次串联的高阻端。更进一步，所述高阻端层的数量为5层，每一个高阻端层包括8个依次串联的高阻端。本专利技术提供的一种宽频阻抗变换器，当变换器的低阻部分高于8欧姆时采用分层分段处理，分层分段处理可以把分布电容减少，即分布电容的存在把高频部分旁路造成输送损失，大幅度的减少分布电容，克服分布电容的影响，继而克服变换器阻抗变换的瓶颈，使得电子管变换器的频宽可以做到和晶体管的那么宽，甚至可以达到10HZ-80KHZ-0.1DB的技术效果，同时该变换器具有输出阻抗低、控制能力强、高音润滑、中音饱满、低音不会拖泥带水等特点。其还可以应用到其他领域，如雷达和需要阻抗变换的任何地方。【附图说明】为了易于说明，本专利技术由下述的较佳实施例及附图作详细描述。图1为本专利技术一种宽频阻抗变换器的结构示意图；图2为本专利技术一种宽频阻抗变换器工作中整机频响测试图；图3为本专利技术一种宽频阻抗变换器工作中整机频响另一测试图。【具体实施方式】为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。请参阅图1-3，本专利技术的一种宽频阻抗变换器，包括有变换器本体，该变换器本体包括有数量为3-5层的高阻端层a及与高阻端层a依次层状设置的低阻端层b，该高阻端层a及低阻端层b之间还设置有绝缘隔离层c;作为优选，该高阻端与低阻端上下位置相对应，层状设置的最上层为高阻端层a。每一个高阻端层a包括3个以上依次串联的高阻端，每一个低阻端层b包括依次串联的且与每一个高阻端层a包括的高阻端数量相同的低阻端;该高阻端层a的末高阻端与下一层高阻端层a的首高阻端电连接;每一个低阻端层b的首低阻端依次电连接，每一个低阻端层b的末低阻端依次电连接，即依次串联。下面以具体的实施例对该宽频阻抗变换器进行详细描述:具体参见图1，该宽频阻抗变换器为4层6段分布，即是高阻端层a的数量为4层，每一个高阻端层a包括6个依次串联的高阻端，该分布可以获得较佳的分布效果，可以更好的把分布电容减少;作为优选，该宽频阻抗变换器可以为3层3段分布或5层8段分布，该两种分布也可以较好的把分布电容减少。其高阻端层a及低阻端层b均缠绕在铁芯15上，高阻端层a的首高阻端分别为首高阻端1、5、9、13，高阻端层a的末高阻端分别为末高阻端2、6、10、14，其中的末高阻端2与首高阻端5连接，末高阻端6与首高阻端9连接，末高阻端10与首高阻端13连接;低阻端层b的首低阻端分别为首低阻端3、7、11，低阻端层b的末低阻端分别为末低阻端4、8、12，其中的首低阻端3、7、11依次电连接，末低阻端4、8、12依次电连接，即是3个低阻端层b相并联;最下层的高阻端层a与铁芯15之间可设置低阻端层b，也可以不设置，如图1为不设置的情况。参见图2，为本宽频阻抗变换器的测试图，一格为0.5DB，可达到20-20KHZ-0.1DB，中间直的一段为20HZ-20KHZ;参见图3，为本宽频阻抗变换器的另一测试图，即是WEILY阻抗变换器带载测试图，每一格为0.5DB，整段为20-80KHZ，其衰减就在80KHZ附近-0.1-0.2左右。本专利技术提供的一种宽频阻抗变换器，当变换器的低阻部分低于8欧姆时，不使用分段处理；当变换器的低阻部分高于8欧姆时采用分层分段处理，分层分段处理的分布电容的存在把高频部分旁路造成输送损失，大幅度的减少分布电容，克服分布电容的影响，继而克服变换器阻抗变换的瓶颈，使得电子管变换器的频宽可以做到和晶体管的那么宽，甚至可以达到10HZ-80KHZ-0.1DB的技术效果，同时该变换器具有输出阻抗低、控制能力强、高音润滑、中音饱满、低音不会拖泥带水等特点。其还可以应用到其他领域，如雷达和需要阻抗变换的任何地方。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。【主权项】1.一种宽频阻抗变换器，包括有变换器本体，其特征在于，所述变换器本体包括有数量为3-5层的高阻端层及与高阻端层依次层状设置的低阻端层，所述高阻端层及低阻端层之间还设置有绝缘隔离层； 每一个高阻端层包括3个以上依次串联的高阻端，每一个低阻端层包括依次串联的且与每一个高阻端层包括的高阻端数量相同的低阻端;所述高阻端层的末高阻端与下一层高阻端层的首高阻端电连接;每一个低阻端层的首低阻端依次电连接，每一个低阻端层的末低阻端依次电连接。2.根据权利要求1所述的一种宽频阻抗变换器，其特征在于，所述层状设置的最上层为高阻端层。3.根据权利要求1或2所述的一种宽频阻抗变换器，其特征在于，所述高阻端与低阻端上下位置相对应。4.根据权利要求3所述的一种宽频阻抗变换器，其特征在于，所述变换器本体还包括有铁芯，所述高阻端层及低阻端层均缠绕在铁芯上形成层状设置。5.根据权利要求4所述的一种宽频阻抗变换器，其特征在于，所述高阻端层的数量为4层，每一个高阻端层包括6个依次串联的高阻端。6.根据权利要求4所述的一种宽频阻抗变换器，其特征在于，所述高阻端层的数量为3层，每一个高阻端层包括3个依次串联的高阻端。7.根据权利要求4所述的一种宽频阻抗变换器，其特征在于，所述高阻端层的数量为5层，每一个高阻端层包括8个依次串联的高阻端。【专利摘要】本专利技术涉及一种电子元器件，特别涉及一种宽频阻抗变换器。其变换器本体包括有数量为3-5层的高阻端层及与高阻端层依次层状设置的低阻端层，所述高阻端层及低阻端层之间还设置有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种宽频阻抗变换器，包括有变换器本体，其特征在于，所述变换器本体包括有数量为3‑5层的高阻端层及与高阻端层依次层状设置的低阻端层，所述高阻端层及低阻端层之间还设置有绝缘隔离层；每一个高阻端层包括3个以上依次串联的高阻端，每一个低阻端层包括依次串联的且与每一个高阻端层包括的高阻端数量相同的低阻端；所述高阻端层的末高阻端与下一层高阻端层的首高阻端电连接；每一个低阻端层的首低阻端依次电连接，每一个低阻端层的末低阻端依次电连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韦利跃，韦晓娟，
申请(专利权)人：韦晓娟，
类型：发明
国别省市：广东;44