一种制备悬挂可变电容的工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种制备悬挂可变电容的工艺方法，步骤包括：（１）利用标准ＣＭＯＳ工艺制备金属－电介质－金属结构；（２）在上极板上的钝化层中刻蚀窗口，其中，窗口边缘线相对上极板的电容部分的边缘外扩１ｕｍ～２ｕｍ；（３）对上极板进行悬挂处理，将已开窗口范围内的两极板间两层电介质，和下极板与衬底间电介质腐蚀掉；（４）进行干燥防粘处理。本发明专利技术具有低寄生电容电阻和宽调节范围高品质因数，所采用的悬挂结构能减小衬底涡漩电流及串联电阻来提高品质因数，减小寄生电容增加调制范围和线性度。基于体硅互补金属氧化物半导体工艺，无需额外掩模板，后期处理引入微机电系统悬挂工艺，制作成本低，成品率高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制备悬挂可变电容的工艺方法，其步骤包括：（１）利用标准ＣＭＯＳ工艺制备金属－电介质－金属结构（２）在上极板上的钝化层中刻蚀窗口，其中，窗口边缘线相对上极板的电容部分的边缘外扩１ｕｍ～２ｕｍ；（３）对上极板进行悬挂处理，将已开窗口范围内的两极板间两层电介质，和下极板与衬底间电介质腐蚀掉；（４）进行干燥防粘处理。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：雷鑑铭，代小伍，张涛，邹雪城，邹志革，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：83[]