光反应性化合物的纯化方法和光反应性化合物技术

本发明专利技术提供光反应性化合物的纯化方法和光反应物化合物。根据本发明专利技术的纯化方法，可以以高纯度纯化光敏和热敏的光反应性化合物，从而聚合得到具有改进的物理性质的光反应性聚合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请设及光反应性化合物的纯化方法和光反应性化合物。更具体而言，本申请 设及通过分子蒸馈W高纯度纯化光敏和热敏的光反应性化合物的方法。 本申请基于并要求分别于2013年8月2日和2014年7月31日提交的韩国专利申请号 10-2013-0091892和10-2014-0098440的优先权，其公开内容特此通过引用的方式全部纳入 本说明书中。
技术介绍
近年来，随着液晶显示器变得越来越大，其应用已从个人手机或笔记本电脑扩展 至家庭壁装电视，因此，对于液晶显示器而言，需要确保其高清晰度、高质量和宽视角。特别 是，由于通过薄膜晶体管驱动的薄膜晶体管-液晶显示器(TFT-LCD)独立地驱动各个像素， 液晶的响应速率非常高，所W能够实现高质量的动态图像。因此，其应用范围得到扩展。 为了将液晶用作TFT-LCD中的光学开关，需要将液晶最初定向于薄膜晶体管上的 预定方向，所述薄膜晶体管被设置于显示单元的最内部。为此，使用液晶取向膜(alignment film) ο 为了实现在液晶显示器中的液晶取向，迄今为止已使用了通过摩擦取向膜来使液 晶对齐的摩擦工艺，或通过光(在下文中称为"光控取向"）来使液晶对齐的工艺。 所述光控取向是指运样一种机理，其中由于线性偏振的UV，连接于聚合物的光敏 基团发生光反应，且在运样的过程中，聚合物的主链单向对齐，从而形成液晶对齐的光可聚 合的液晶取向膜。 其代表性的实例为由M.Scha化等人(Jpn.J.Appl.Phys.，第31 卷，1992,2155)、Dae S.Kang等人（US专利号5,464,669)和化riyReznikov(化n.J.Appl.Phys.第：M卷，1995， L1000)公开的通过光聚合反应的光控取向。的环加成反应形成环下烧，且因此形成各向异性 的性能W单向地使液晶分子对齐，引起液晶的对齐。 关于已知的光控取向的聚合物，日本专利公开号特开平11-181127公开了一种制 造聚合物型取向膜的方法，所述聚合物型取向膜包含主链(如丙締酸醋和甲基丙締酸醋）和 含有光敏基团（如肉桂酸醋基团）的侧链，W及由此制造的取向膜。然而，在该情况下，所述 聚合物主链具有差的热稳定性，使得其对取向膜的稳定性具有负面影响。而且，通过肉桂酸 醋取代基来控制光反应速率也是不容易的。 为了制备具有优异性能的光控取向的聚合物，需要高纯度的光反应性化合物作为 单体。然而，由于光反应性化合物对光和热敏感，且具有高沸点的特性，因此W高纯度纯化 光反应性化合物是不容易的。
技术实现思路
为了解决传统的难题，本专利技术的目的是提供W高纯度纯化光反应性化合物的方法 W及光反应性化合物。 为实现上述目的，本专利技术的一个方面提供纯化光反应性化合物的方法，所述方法 包括步骤： 制备包含光反应性化合物的粗产品，所述光反应性化合物含有一个或多个选自W 下化学式2至4的光反应性基团和可聚合的不饱和键； 将包含光反应性化合物的粗产品进行分子蒸馈;W及 回收光反应性化合物。 下面将详细描述化学式2、3和4中的取代基。 根据一个实施方案，可在50至300°C的溫度下和0.01至lOOmmbar的压力下进行粗 产品的分子蒸馈步骤。 此外，根据一个实施方案，所述方法还可包括在进行粗产品的分子蒸馈步骤之前， 在20至200°C的溫度下和0.01至lOOmmbar的压力下进行初蒸馈步骤。 此外，本专利技术的另一方面提供光反应性化合物，其包含一个或多个选自化学式2至 4的光反应性基团和可聚合的不饱和键，且其APHA值低于50。 根据本专利技术的纯化光反应性化合物的方法，可W高纯度纯化光反应性化合物，且 由此纯化的光反应性化合物可用于W高收率获得高分子量的光控取向聚合物。【具体实施方式】 本专利技术的纯化光反应性化合物的方法包括步骤： 制备包含光反应性化合物的粗产品，所述光反应性化合物包含一个或多个选自W 下化学式2至4的光反应性基团和可聚合的不饱和键； 将包含光反应性化合物的粗产品进行分子蒸馈;W及 回收光反应性化合物。 此外，本专利技术的光反应性化合物包含一个或多个选自化学式2至4的光反应性基团 和可聚合的不饱和键，且其APHA值低于50。 通过本专利技术的纯化方法获得的高纯度的光反应性化合物可用于W高收率获得高 分子量的光控取向聚合物。 在下文中将详细描述本专利技术。 在本专利技术的纯化光反应性化合物的方法中，制备包含光反应性化合物的粗产品， 所述光反应性化合物含有一个或多个选自W下化学式2至4的光反应性基团和可聚合的不 饱和键。 在化学式2、3和4中，A选自单键、取代或未取代的C1-C20亚烷基、幾基、簇基、取代或 未取代的C6-C40亚芳基，和取代或未取代的C6-C40杂亚芳基；[004引 B为单键、氧、硫或-NH-; X为氧或硫； R9选自单键、取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的C2-C20亚締基、取代或 未取代的C3-C12亚环烷基、取代或未取代的C6-C40亚芳基、取代或未取代的C7-C15亚芳烷基和 取代或未取代的C2-C20亚烘基;且[00川 Rid、Rii、Ri2、Ri3和虹4彼此相同或不同，且各自独立地选自W下基团：氨、径基、面素 基团、取代或未取代的C7-C15芳烷基、取代或未取代的C2-C20烘基、取代或未取代的C1-C20烧 基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C6-C40芳 基、包含第14族、第15族或第16族的杂原子的C6-C40杂芳基，W及取代或未取代的C6-C40烧氧 基芳基。 根据本专利技术的一个实施方案，所述光反应性化合物可为基于乙締基的化合物，基 于环締控的具有双键的化合物，或基于（甲基)丙締酸醋的化合物。 此外，根据本专利技术的一个实施方案，所述光反应性化合物可由W下化学式1所表 示： [化学式。 其中P为0至4的整数，虹、化、R3和R4中的至少一个为选自W下化学式2、3和4的基团，[005引并且其他各自独立地为氨、面素、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C2- C20締基、取代或未取代的C3-Cl2环烷基、取代或未取代的C6-C40芳基、取代或未取代的C7-Cl5 芳烷基;取代或未取代的C2-C2O烘基，或极性官能团，所述极性官能团包括含有至少一个选 自氧、氮、憐、硫、娃和棚的元素的非控极性基团，且 如果Ri、R2、R3和R4不为氨、面素或极性官能团，则I?谢R2,或R3和R河彼此相连形成 &-ClO亚烷基，或者Rl或R2可连接至R3和R4中的任何一个而形成C4-C12饱和或不饱和的环状 基团或C6-C24芳环化合物； 化学式2、3和4中的取代基与上述定义相同。 根据本专利技术的一个实施方案，化学式1的Ri可为由化学式2表示的化合物，且R2、R3 和R4中的至少一个可选自化学式2、3和4。 在运方面，非控极性基团可包括W下化合物： 选自 W下中的一个或多个：-0R6、-R日0R6、-0C(0)0R6、-R日0C(0)0R6、-C(0)0R6、-R已C (0)01?6、-(：(0)1?6、-1?5(：(0)1?6、-0(：(0)1?6、-1?50(：(0)1?6、-(1?50)。-(?6(口为1至10的整数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纯化光反应性化合物的方法，所述方法包括步骤：制备包含光反应性化合物的粗产品，所述光反应性化合物含有一个或多个选自以下化学式2至4的光反应性基团和可聚合的不饱和键；将包含光反应性化合物的粗产品进行分子蒸馏；以及回收光反应性化合物：[化学式2][化学式3][化学式4]其中A选自单键、取代或未取代的C1‑C20亚烷基、羰基、羧基、取代或未取代的C6‑C40亚芳基，和取代或未取代的C6‑C40杂亚芳基；B为单键、氧、硫或‑NH‑；X为氧或硫；R9选自单键、取代或未取代的C1‑C20亚烷基、取代或未取代的C2‑C20亚烯基、取代或未取代的C3‑C12亚环烷基、取代或未取代的C6‑C40亚芳基、取代或未取代的C7‑C15亚芳烷基和取代或未取代的C2‑C20亚炔基；且R10、R11、R12、R13和R14彼此相同或不同，且各自独立地选自以下基团：氢、羟基、卤素基团、取代或未取代的C7‑C15芳烷基、取代或未取代的C2‑C20炔基、取代或未取代的C1‑C20烷基、取代或未取代的C1‑C20烷氧基、取代或未取代的C6‑C30芳氧基、取代或未取代的C6‑C40芳基、包含第14族、第15族或第16族的杂原子的C6‑C40杂芳基，以及取代或未取代的C6‑C40烷氧基芳基。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔大胜，全成浩，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国;KR