本发明专利技术实施例提供了一种发光器件及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可解决发光器件中由于高能激子传递而导致的发光色偏问题，同时可降低器件能耗。该发光器件包括：相对设置的阳极与阴极，靠近所述阳极的空穴传输层、靠近所述阴极的电子传输层；位于所述空穴传输层与所述电子传输层之间的发光功能层；所述发光功能层包括：至少两层发出不同颜色光的量子点发光层；位于任意相邻的两层量子点发光层之间的透明绝缘层。用于发光器件及包括该发光器件的显示装置的制备。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种发光器件及其制备方法、显示装置。
技术介绍
量子点(Quantum dot)具有发光波长可调谐、发光波段窄(15?30nm)、光、热及化学稳定性好，易于采用溶液法制备等优点，被广泛应用于量子点电致发光器件(Quantumdot light-emitting d1de，简称QLED)。由于QLED结合了量子点材料的独特光电优势和较为成熟的0LED(0rganic light-emitting d1de，有机发光二极管)溶液法成膜工艺，有望应用于新一代高色彩质量、低功耗的平板显示及照明，受到本领域技术人员越来越多的关注。目前QLED主要是作为白光光源，如图1所示，其器件结构为:依次设置在衬底基板100上的阳极10、空穴传输层11、量子点发光层、电子传输层21以及阴极20。其中，阳极10与阴极20的相对位置可互换，图1中仅为示例。量子点发光层由逐层设置的R(Red，红)、G(Green，绿)、B(Blue，蓝)三色量子点薄膜构成(图中分别标记为R、G、B)，由于发不同颜色光的量子点相互之间排列紧密，存在能量转移现象。其中，蓝光量子点由于发出的蓝光波段较短(430?470nm)，其电子、空穴形成的激子能量较高，能量容易传递给发光波长相对较长的绿光量子点(绿光波段为500?560nm)、红光量子点(红光波段为620?780nm)；绿光量子点由于发出的绿光较红光较短，其电子、空穴形成的激子能量较高，能量也容易传递给发光波长相对较长的红光量子点，从而导致长波长的绿光量子点或红光量子点发光增强，而相对短波长的蓝光量子点或绿光量子点发光减弱，伴随着上述的高能量激子转化成低能量激子，白光QLED中存在能量损失现象，导致器件能耗增加；同时，由于相对短波长的蓝光量子点或绿光量子点发光减弱，导致原本的发光平衡被打破，引起白光QLED发光色偏，影响器件的发光效果。
技术实现思路
鉴于此，为解决现有技术的问题，本专利技术的实施例提供一种发光器件及其制备方法、显示装置，可解决发光器件中由于高能激子传递而导致的发光色偏问题，同时可降低器件能耗。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:—方面、本专利技术实施例提供了一种发光器件，所述发光器件包括:相对设置的阳极与阴极，靠近所述阳极的空穴传输层、靠近所述阴极的电子传输层;位于所述空穴传输层与所述电子传输层之间的发光功能层;所述发光功能层包括:至少两层发出不同颜色光的量子点发光层;位于任意相邻的两层量子点发光层之间的透明绝缘层。可选的，所述至少两层发出不同颜色光的量子点发光层，包括:蓝光量子点发光层与黄光量子点发光层;或者，蓝光量子点发光层、绿光量子点发光层和红光量子点发光层。优选的，所述阳极或所述阴极中的一者为透明电极，所述量子点发光层发出的光从所述透明电极一侧射出；相对于所述黄光量子点发光层，所述蓝光量子点靠近于所述透明电极设置;或者，相对于所述绿光量子点发光层和所述红光量子点发光层，所述蓝光量子点靠近于所述透明电极设置。可选的，构成所述透明绝缘层的材料包括:聚甲基丙烯酸甲酯、CsC03、Ba(0H)2中的至少一种。 可选的，所述透明绝缘层的厚度取值范围为5?lOOnm。可选的，构成所述空穴传输层的材料包括:聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)_聚(苯乙烯磺酸)、附0、1003、胃03、聚(9-乙烯咔唑)、聚、聚(N，Y双(4-丁基苯基)-N，Y -双(苯基)联苯胺、4，V -双(N-咔唑)-1,17 -联苯、N，Y -二苯基-N，Y _(1-萘基)-1，I7 -联苯-4，V -二胺中的至少一种。可选的，构成所述电子传输层的材料包括:Ti02、Zn0、Sn02中的至少一种半导体材料;和/或，Al、Mg、Ag中的至少一种金属离子掺杂Ti02、Zn0、Sn02中的至少一种半导体材料。优选的，构成所述蓝光量子点发光层的量子点包括:I1-VI族元素半导体纳米晶、I1-1I1-VI族兀素半导体纳米晶、II1-V族兀素半导体纳米晶、1-1I1-VI族兀素半导体纳米晶中的至少一种半导体纳米晶。优选的，构成所述黄光量子点发光层的量子点包括:Cu、Mn、Ag中的至少一种金属离子掺杂I1-VI族元素半导体纳米晶、I1-1I1-VI族元素半导体纳米晶、111-V族元素半导体纳米晶、1-1I1-VI族元素半导体纳米晶中的至少一种半导体纳米晶。另一方面、本专利技术实施例还提供了一种发光器件的制备方法，所述制备方法包括:形成依次层级设置的阳极、空穴传输层、发光功能层、电子传输层和阴极;形成的所述发光功能层的步骤包括:形成至少两层发出不同颜色光的量子点发光层；以及形成位于任意相邻的两层量子点发光层之间的透明绝缘层。可选的，所述量子点发光层采用旋涂、微接触印刷、喷墨印刷、卷对卷印刷中的任一种方法形成。可选的，所述阳极直接形成在所述衬底基板上；在形成靠近所述阳极的空穴传输层之前，所述制备方法还包括:对形成的所述阳极进行表面处理，以使所述阳极的表面轮廓算术平均值Ra<2nm，和/或，以使所述阳极的表面轮廓最高点与最低点之间的距离Rmax<20nmo可选的，所述阳极直接形成在所述衬底基板上；在形成靠近所述阳极的空穴传输层之前，所述制备方法还包括:对形成的所述阳极进行等离子体处理和/或UV照射处理，以增加所述阳极的功函数。可选的，所述阴极直接形成在所述衬底基板上；在形成靠近所述阴极的电子传输层之前，所述制备方法还包括:对形成的所述阴极进行表面处理，以使所述阴极的表面轮廓算术平均值Ra<2nm，和/或，以使所述阴极的表面轮廓最高点与最低点之间的距离Rmax<20nmo再一方面、本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的发光器件。基于此，通过本专利技术实施例提供的上述发光器件，由于在任意相邻的两层发出不同颜色光的量子点发光层之间设置有透明绝缘层，使得发出相对短波长的量子点发光层中的高能激子不会转化成低能量激子，其发光效果不会减弱，避免了发光器件中出现能量损失现象，减少了对能耗的增加；同时，由于发出相对短波长的量子点发光层发光效果不会被削弱，发光器件原本的发光平衡(如白光QLED发出白光的白平衡)也不会被打破，从而避免了发光器件不会出现色偏(如现有技术提供的白光QLED由于高能激子能量传递机制而出现的白光偏黄)现象，保证了发光器件良好的发光效果。并且，由于在上述发光器件中增加了透明绝缘层，能够减少发光器件在通电状态下可能出现的漏电问题，同时，透明绝缘层作为一层缓冲层，设置在任意相邻的两层量子点发光层之间还可以在制备后一层的量子点发光层时保护位于下层的量子点发光层，避免采用溶液制程法制备后一层的量子点发光层时对上一层的量子点发光层产生影响。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术提供的白光QLED发光器件的剖面结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种发光器件的剖面结构示意图一；图3为本专利技术实施例提供的一种发光器件的剖面本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光器件，所述发光器件包括：相对设置的阳极与阴极，靠近所述阳极的空穴传输层、靠近所述阴极的电子传输层；位于所述空穴传输层与所述电子传输层之间的发光功能层；其特征在于，所述发光功能层包括：至少两层发出不同颜色光的量子点发光层；位于任意相邻的两层量子点发光层之间的透明绝缘层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐威，舒适，何晓龙，姚继开，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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