一种采用光刻胶作保护层的LED白光芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种采用光刻胶作保护层的LED白光芯片，包括衬底，衬底上依次设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆，其中半导体层上设置有金属电极，LED晶圆外设置有光阻层，光阻层由透明绝缘的光刻胶通过光刻工艺形成，光刻胶内均匀混合有荧光粉。采用光刻胶制成的光阻层覆盖LED晶圆，由于光刻胶是软性材料，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO2更为优秀，因此光阻层可取代钝化层更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED发光芯片的生产效率，并降低制造成本；同时由于光阻层内带有荧光粉，可将LED晶圆发出的光线调节为白光，得到LED白光芯片。

LED white light chip using photoresist as protective layer

The utility model discloses a white light LED chip, a protective layer using photoresist comprises a substrate, the substrate is provided with a N type semiconductor layer, a light-emitting layer and the P type semiconductor layer, forming a LED wafer, wherein the semiconductor layer is arranged on the metal electrode, photoresist layer of LED wafer is arranged outside the photoresist, photoresist the insulation layer is made of a transparent form through the lithography process, fluorescent powder is uniformly mixed in the photoresist. The photoresist layer is made of LED photoresist covering the wafer, because the photoresist is soft material, impact resistance, compressive ability than SiO2 rigid material is more excellent, so the photoresist layer can replace the passivation layer better protect photoresist layer; replace the passivation layer also reduces the etching and passivation layer set the passivation layer two processes, improve the LED light emitting chip production efficiency, and reduce the manufacturing cost; at the same time as the photoresist layer with fluorescent powder, the LED wafer light regulation for white, white chip LED.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及LED领域，具体涉及一种采用光刻胶作保护层的LED白光芯片。
技术介绍
LED灯是现在广泛应用的照明灯具，具有体积小、亮度高、耗电量低、发热少、使用寿命长、环保等优点，并且具有繁多的颜色种类，深受消费者的喜爱。其中白光和黄光的LED灯主要用于日常照明。LED灯的生产可大致分为三个步骤：一是LED发光芯片的制作，二是线路板的制作和LED发光芯片的封装，三是LED灯的组装。LED灯内最重要的部件是LED发光芯片，LED发光芯片的主体是一个发光PN结，主要由N型半导体、P型半导体和夹在两者之间的发光层组成，N型半导体和P型半导体上分别设置有金属电极，并在通电后发光。LED发光芯片发出的光线颜色主要由芯片材料决定，如现有的LED发光芯片大多采用氮化镓半导体材料制作，发出蓝光。采用蓝光LED发光芯片制作白光LED灯时，需要在封装步骤中渗入黄色荧光粉，黄色荧光粉受激发后发出黄光，与LED发光芯片的蓝光混合后成为人眼中的白光。此外，现有的LED发光芯片一般在发光PN结外覆盖一层钝化层（SiO2层），起保护作用，钝化层外设置有光阻层，光阻层由光刻胶形成。由于现有的LED发光芯片在制作过程中需要分别添加钝化层和光阻层，之后还需对金属电极上方的光阻层和钝化层分别进行蚀刻，使金属电极外露，工序繁琐，制作麻烦，且当芯片最终制作完成后，还需用去胶液把光阻层去掉，增加成本；同时，由于SiO2是硬性材料，抗冲击、抗压的能力较差，钝化层不能很好起到保护作用。
技术实现思路
为克服现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种采用光刻胶作保护层的LED白光芯片，利用软性材料的光刻胶取代钝化层对芯片主体进行保护，同时在光刻胶内渗入荧光粉，使LED发光芯片发出白光。本技术为解决其技术问题采用的技术方案是：一种采用光刻胶作保护层的LED白光芯片，包括衬底，所述衬底上依次设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆，所述N型半导体层和P型半导体层上分别设置有金属电极，还包括直接覆盖在LED晶圆外的光阻层，所述光阻层由透明绝缘的光刻胶通过光刻工艺形成，所述光刻胶内均匀混合有荧光粉。作为上述技术方案的进一步改进，所述LED晶圆采用氮化镓材料制作并发出蓝光。作为上述技术方案的进一步改进，所述光刻胶内均匀混合有黄色荧光粉。作为上述技术方案的进一步改进，所述光刻胶内还混合有红色荧光粉。作为上述技术方案的进一步改进，所述光阻层上设置有使金属电极外露的缺口。本技术的有益效果是：本技术采用渗有荧光粉的光刻胶制成的光阻层覆盖LED晶圆，由于光刻胶是软性材料，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO2更为优秀，因此光阻层可取代钝化层更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED发光芯片的生产效率，并降低制造成本；同时由于光阻层内带有荧光粉，可将LED晶圆发出的光线调节为白光，得到LED白光芯片。附图说明以下结合附图和实例作进一步说明。图1是本技术的一种采用光刻胶作保护层的LED白光芯片的结构示意图。具体实施方式参照图1，本技术提供的一种采用光刻胶作保护层的LED白光芯片，包括衬底10，所述衬底10上由下至上依次设置有N型半导体层20、发光层30和P型半导体层40，形成LED晶圆，其中N型半导体层20上设置有与电源负极连接的金属电极52，P型半导体层40上设置有与电源正极连接的金属电极51。本实施例的LED晶圆采用氮化镓材料制作，通电激发后发出蓝光。LED晶圆外设置有光阻层60，光阻层60是采用渗有黄色荧光粉的光刻胶通过光刻工艺形成。光刻胶直接覆盖LED晶圆，光阻层60上对应两个金属电极51、52分别设置有使金属电极51、52外露的缺口。进一步，光刻胶内还可以混合有红色荧光粉。上述荧光粉都是均匀渗入光刻胶内。本技术采用渗有荧光粉的光刻胶制成的光阻层60覆盖LED晶圆，由于光刻胶是软性材料，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO2更为优秀，因此光阻层60可取代钝化层更好的起到保护作用；光阻层60取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED发光芯片的生产效率，并降低制造成本；同时由于光阻层内带有黄色荧光粉或者黄色和红色荧光粉，可将LED晶圆发出的蓝光调节为白光，得到LED白光芯片。以上所述，只是本技术的较佳实施例而已，本技术并不局限于上述实施方式，只要其以相同的手段达到本技术的技术效果，都应属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用光刻胶作保护层的LED白光芯片，包括衬底（10），所述衬底（10）上依次设置有N型半导体层（20）、发光层（30）和P型半导体层（40），形成LED晶圆，所述N型半导体层（20）和P型半导体层（40）上分别设置有金属电极（51；52），其特征在于：还包括直接覆盖在LED晶圆外的光阻层（60），所述光阻层（60）由透明绝缘的光刻胶通过光刻工艺形成，所述光刻胶内均匀混合有荧光粉。

【技术特征摘要】
1.一种采用光刻胶作保护层的LED白光芯片，包括衬底（10），所述衬底（10）上依次设置有N型半导体层（20）、发光层（30）和P型半导体层（40），形成LED晶圆，所述N型半导体层（20）和P型半导体层（40）上分别设置有金属电极（51；52），其特征在于：还包括直接覆盖在LED晶圆外的光阻层（60），所述光阻层（60）由透明绝缘的光刻胶通过光刻工艺形成，所述光刻胶内均匀混合有荧光粉。
2.根据权利要求1所述的一种采用光刻胶作保护层的LED白光芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝锐，易翰翔，刘洋，许徳裕，
申请(专利权)人：广东德力光电有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44