一种用于手机信号放大的场效应晶体管系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种用于手机信号放大的场效应晶体管系统，包括场效应晶体管系统本体、晶体管系统集成电路板、晶体管系统工作开关，所述场效应晶体管系统本体上安装有所述晶体管系统集成电路板；所述晶体管系统集成电路板上安装着所述晶体管系统工作开关；所述晶体管系统集成电路板侧面安装着系统工作指示灯；所述系统工作指示灯连接着所述晶体管系统工作开关；所述场效应晶体管系统本体上端安装着手机信号输入源极；所述手机信号输入源极连接着多晶硅处理中心；所述多晶硅处理中心安装在所述晶体管系统集成电路板上。本实用新型专利技术结构简单，功能齐全，体积较小，生产成本低，节能效果好，可以有效的对信号进行放大，手机信号放大。

Field effect transistor system for mobile phone signal amplification

The utility model discloses a field effect transistor for mobile phone signal amplification system, including system body, field effect transistor transistor system integrated circuit, transistor switch system, the FET system body installed on the transistor system integrated circuit board; integrated circuit board of the transistor is arranged on the system the system of the switch transistor; transistor system integrated circuit board is installed on the side of a work indicating lamp; the operating lamp is connected with the transistor switch system; the FET system body is arranged on the upper end of a mobile phone signal input source; the mobile phone is connected with the signal input source polysilicon processing center; the polysilicon processing center installed on the integrated circuit board of the transistor system. The utility model has the advantages of simple structure, complete functions, small size, low production cost and good energy saving effect.

【技术实现步骤摘要】

本技术属于晶体管设备领域，具体涉及一种用于手机信号放大的场效应晶体管系统。
技术介绍
目前，在晶体管中安装有一种晶体管式信息处理器，在晶体管中安装有新型技术，使得数值更加准确，但是存在着很多问题。申请号：201420443561.4的中国专利文献报道了一种晶体管，一种晶体管式信息处理器，属于信息
，由手机，多功能插座，三极管式逻辑电路，装机盒共同组成，多功能插座插入手机插座中，不损坏手机本体的同时引出手机振铃信号线与手机电源线，当手机有了振铃信号后，根据振铃信号的长短，由三极管式逻辑电路转换分辨出开与关的可用信号，由配套发射发出，形成开门与关门的逻辑，各部分同时装入装机盒中，形成一个整体，增强了密级度，同时还具备系列的优点与时尚元素，从而丰富电话开门产品的品种。本新型结构含有上述专利有的优点，但是功能单一，结构复杂，生产成本高，所以我设计了一种用于手机信号放大的场效应晶体管系统。
技术实现思路
为了解决上述存在的问题，本技术提供一种用于手机信号放大的场效应晶体管系统。本技术通过以下技术方案来实现上述目的：一种用于手机信号放大的场效应晶体管系统，包括场效应晶体管系统本体、晶体管系统集成电路板、晶体管系统工作开关，所述场效应晶体管系统本体上安装有所述晶体管系统集成电路板；所述晶体管系统集成电路板上安装着所述晶体管系统工作开关；所述晶体管系统集成电路板侧面安装着系统工作指示灯；所述系统工作指示灯连接着所述晶体管系统工作开关；所述场效应晶体管系统本体上端安装着手机信号输入源极；所述手机信号输入源极连接着多晶硅处理中心；所述多晶硅处理中心安装在所述晶体管系统集成电路板上。作为本技术的进一步优化方案，所述晶体管系统工作开关连接着电源输入口；所述电源输入口安装在所述场效应晶体管系统本体侧面；所述电源输入口连接着直流电源稳压器。作为本技术的进一步优化方案，所述晶体管系统集成电路板上设置有过载保护电路；所述过载保护电路连接着直流电源稳压器；所述多晶硅处理中心连接着场效应管栅极；所述场效应管栅极连接着信号放大处理器；所述信号放大处理器连接着放大信号发射极。与现有的技术相比，本技术的有益效果是：本技术结构简单，功能齐全，体积较小，生产成本低，节能效果好，可以有效的对信号进行放大，手机信号放大。附图说明图1是本技术的结构示意图；图2是本技术的结构主视图；图中：1、场效应晶体管系统本体；2、晶体管系统集成电路板；3、晶体管系统工作开关；4、系统工作指示灯；5、手机信号输入源极；6、多晶硅处理中心；7、电源输入口；8、直流电源稳压器；9、过载保护电路；10、场效应管栅极；11、信号放大处理器；12、放大信号发射极。具体实施方式下面结合附图与具体实施方式对本技术作进一步详细描述：如图1、图2所示，一种用于手机信号放大的场效应晶体管系统，包括场效应晶体管系统本体1、晶体管系统集成电路板2、晶体管系统工作开关3，所述场效应晶体管系统本体1上安装有所述晶体管系统集成电路板2；所述晶体管系统集成电路板2上安装着所述晶体管系统工作开关3；所述晶体管系统集成电路板2侧面安装着系统工作指示灯4；所述系统工作指示灯4连接着所述晶体管系统工作开关3；所述场效应晶体管系统本体1上端安装着手机信号输入源极5；所述手机信号输入源极5连接着多晶硅处理中心6；所述多晶硅处理中心6安装在所述晶体管系统集成电路板2上。所述晶体管系统工作开关3连接着电源输入口7；所述电源输入口7安装在所述场效应晶体管系统本体1侧面；所述电源输入口7连接着直流电源稳压器8；所述晶体管系统集成电路板2上设置有过载保护电路9；所述过载保护电路9连接着直流电源稳压器8；所述多晶硅处理中心6连接着场效应管栅极10；所述场效应管栅极10连接着信号放大处理器11；所述信号放大处理器11连接着放大信号发射极12。所述本新型结构安装有晶体管系统集成电路板，在场效应晶体管系统本体上端安装有晶体管系统工作开关用于控制系统的开关，系统工作指示灯用来反映系统是否处于工作状态，手机信号输入源极是信号的输入端，多晶硅处理中心对输入信号进行处理，电源输入口对系统提供电源，直流电源稳压器将输入的电源稳定在合适范围，过载保护电路防止系统过载，场效应管栅极和信号放大处理器以及放大信号发射极用于对信号做出最终处理最后发射出去。以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于手机信号放大的场效应晶体管系统，其特征在于：包括场效应晶体管系统本体、晶体管系统集成电路板、晶体管系统工作开关，所述场效应晶体管系统本体上安装有所述晶体管系统集成电路板；所述晶体管系统集成电路板上安装着所述晶体管系统工作开关；所述晶体管系统集成电路板侧面安装着系统工作指示灯；所述系统工作指示灯连接着所述晶体管系统工作开关；所述场效应晶体管系统本体上端安装着手机信号输入源极；所述手机信号输入源极连接着多晶硅处理中心；所述多晶硅处理中心安装在所述晶体管系统集成电路板上。

【技术特征摘要】
1.一种用于手机信号放大的场效应晶体管系统，其特征在于：包括场效应晶体管系统
本体、晶体管系统集成电路板、晶体管系统工作开关，所述场效应晶体管系统本体上安装有
所述晶体管系统集成电路板；所述晶体管系统集成电路板上安装着所述晶体管系统工作开
关；所述晶体管系统集成电路板侧面安装着系统工作指示灯；所述系统工作指示灯连接着
所述晶体管系统工作开关；所述场效应晶体管系统本体上端安装着手机信号输入源极；所
述手机信号输入源极连接着多晶硅处理中心；所述多晶硅处理中心安装在所述晶体管系统
集成电路板上。
2.根据权利要求1所述的一种用于手机信号放大...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎国伟，
申请(专利权)人：广州贝禾电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44