本实用新型专利技术公开了一种安全性能高的可控硅结构,包括电源,所述电源的输出端与可控硅调压器的输入端电连接,所述可控硅调压器的输出端与升压器的输入端电连接,所述升压器的输出端与开关的输入端电连接,所述开关的输出端与可控硅控制模块的输入端电连接,所述可控硅控制模块的输出端与采集模块的输入端电连接,所述采集模块的输出端与磁通强度检测模块的输入端电连接,所述磁通强度检测模块的输出端与分析模块的输入端电连接,所述分析模块的输出端与对比模块的输入端电连接,所述对比模块的输出端分别与输出模块和反馈模块的输入端电连接。本安全性能高的可控硅结构,通过设置分析模块,能够保护可控硅结构,提高安全性。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及可控硅结构
,具体为一种安全性能高的可控硅结构。
技术介绍
可控硅是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,可用来做高电压和高电流的控制,可控硅器件主要用在开关方面,使器件从关闭或是阻断的状态转换为开启或是导通的状态,反之亦然,可控硅具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一,已被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等,家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光模块、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件,可控硅在实际应用中,由于受到大电流和高电压的冲击,经常会出现烧毁的现象,因此目前的可控硅结构安全性能太低。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种安全性能高的可控硅结构,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种安全性能高的可控硅结构,包括电源,所述电源的输出端与可控硅调压器的输入端电连接,所述可控硅调压器的输出端与升压器的输入端电连接,所述升压器的输出端与开关的输入端电连接,所述开关的输出端与可控硅控制模块的输入端电连接,所述可控硅控制模块的输出端与采集模块的输入端电连接,所述采集模块的输出端与磁通强度检测模块的输入端电连接,所述磁通强度检测模块的输出端与分析模块的输入端电连接。所述分析模块的输出端与对比模块的输入端电连接,所述对比模块的输出端分别与输出模块和反馈模块的输入端电连接,所述反馈模块的输出端分别与可控硅调压器、整流模块、电容组、开关和CPU的输入端电连接,所述整流模块的输出端与开关的输入端电连接,所述电容组的输出端与开关的输入端电连接。所述分析模块的输入端与CPU的输出端电连接,所述CPU的输入端与输入模块的输出端电连接。优选的,所述CPU与通讯装置双向电连接。优选的,所述CPU的输出端分别与报警装置和显示器的输入端电连接。优选的,所述升压器的内部和外部分别缠绕设置有低压线圈和高压线圈。优选的,所述报警装置包括蜂鸣报警器和触发器。与现有技术相比,本技术的有益效果是:本安全性能高的可控硅结构,通过设置分析模块,能够保护可控硅结构,提高安全性,通过设置升压器,具有考核可控硅的绝缘水平,发现可控硅的绝缘缺陷,衡量承受过电压的能力,通过设置可控硅调压器,具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点。【附图说明】图1为本技术结构不意图。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。请参阅图1,本技术提供一种技术方案:一种安全性能高的可控硅结构,包括电源,电源的输出端与可控硅调压器的输入端电连接,通过设置可控硅调压器,具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点,可控硅调压器的输出端与升压器的输入端电连接,升压器的内部和外部分别缠绕设置有低压线圈和高压线圈,通过设置升压器,具有考核可控硅的绝缘水平,发现可控硅的绝缘缺陷,衡量承受过电压的能力,升压器的输出端与开关的输入端电连接,开关的输出端与可控硅控制模块的输入端电连接,可控硅控制模块的输出端与采集模块的输入端电连接,采集模块的输出端与磁通强度检测模块的输入端电连接,磁通强度检测模块的输出端与分析模块的输入端电连接,通过设置分析模块,能够保护可控硅结构,提高安全性。分析模块的输出端与对比模块的输入端电连接,对比模块的输出端分别与输出模块和反馈模块的输入端电连接,反馈模块的输出端分别与可控硅调压器、整流模块、电容组、开关和CPU的输入端电连接,所述整流模块的输出端与开关的输入端电连接,所述电容组的输出端与开关的输入端电连接。分析模块的输入端与CPU的输出端电连接,CPU的输入端与输入模块的输出端电连接,CPU与通讯装置双向电连接,CPU的输出端分别与报警装置和显示器的输入端电连接,报警装置包括蜂鸣报警器和触发器,通过设置报警装置,能够起到提醒的作用。工作原理:使用时,输入模块将输入的电流和电压信息传递到CPU,CPU通过分析模块将输入的电流和电压信息分析后传递到对比模块,对比模块将输入的电流和电压信息与其内部的储存模块进行对比后,如果输入电压或者电流不合格,则将输入的电流和电压信息传递给反馈模块,反馈模块同时输入的电流和电压信息传递到可控硅调压器、整流模块、电容组、开关和CPU,CPU进行报警提醒,反馈模块切断开关,可控硅调压器通过升压器调节电压,整流模块调节电流,由于当母线接有硅整流等谐波源设备时,就有可能发生谐波过电压,电容组防止发生谐波过电压后开关开启,调节后的电压和电流经过分析模块分析和对比模块对比后,如果电压或者电流合格则将调节后的电流和电压信息输出,反之,重新进行调节。尽管已经示出和描述了本技术的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。【主权项】1.一种安全性能高的可控硅结构,包括电源,其特征在于:所述电源的输出端与可控硅调压器的输入端电连接,所述可控硅调压器的输出端与升压器的输入端电连接,所述升压器的输出端与开关的输入端电连接,所述开关的输出端与可控硅控制模块的输入端电连接,所述可控硅控制模块的输出端与采集模块的输入端电连接,所述采集模块的输出端与磁通强度检测模块的输入端电连接,所述磁通强度检测模块的输出端与分析模块的输入端电连接; 所述分析模块的输出端与对比模块的输入端电连接,所述对比模块的输出端分别与输出模块和反馈模块的输入端电连接,所述反馈模块的输出端分别与可控硅调压器、整流模块、电容组、开关和CHJ的输入端电连接,所述整流模块的输出端与开关的输入端电连接,所述电容组的输出端与开关的输入端电连接; 所述分析模块的输入端与CPU的输出端电连接,所述CPU的输入端与输入模块的输出端电连接。2.根据权利要求1所述的一种安全性能高的可控硅结构,其特征在于:所述CPU与通讯装置双向电连接。3.根据权利要求1所述的一种安全性能高的可控硅结构,其特征在于:所述CPU的输出端分别与报警装置和显示器的输入端电连接。4.根据权利要求1所述的一种安全性能高的可控硅结构,其特征在于:所述升压器的内部和外部分别缠绕设置有低压线圈和高压线圈。5.根据权利要求3所述的一种安全性能高的可控硅结构,其特征在于:所述报警装置包括蜂鸣报警器和触发器。【专利摘要】本技术公开了一种安全性能高的可控硅结构,包括电源,所述电源的输出端与可控硅调压器的输入端电连接,所述可控硅调压器的输出端与升压器的输入端电连接,所述升压器的输出端与开关的输入端电连接,所述开关的输出端与可控硅控制模块的输入端电连接,所述可控硅控制模块的输出端与采集模块的输入端电连接,所述采集模块的输出端与磁通强度检测模块的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种安全性能高的可控硅结构,包括电源,其特征在于:所述电源的输出端与可控硅调压器的输入端电连接,所述可控硅调压器的输出端与升压器的输入端电连接,所述升压器的输出端与开关的输入端电连接,所述开关的输出端与可控硅控制模块的输入端电连接,所述可控硅控制模块的输出端与采集模块的输入端电连接,所述采集模块的输出端与磁通强度检测模块的输入端电连接,所述磁通强度检测模块的输出端与分析模块的输入端电连接;所述分析模块的输出端与对比模块的输入端电连接,所述对比模块的输出端分别与输出模块和反馈模块的输入端电连接,所述反馈模块的输出端分别与可控硅调压器、整流模块、电容组、开关和CPU的输入端电连接,所述整流模块的输出端与开关的输入端电连接,所述电容组的输出端与开关的输入端电连接;所述分析模块的输入端与CPU的输出端电连接,所述CPU的输入端与输入模块的输出端电连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王朝刚,
申请(专利权)人:深圳市国王科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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