本发明专利技术公开一种太阳能电池片加工工艺，其包括：S101、切片；S102、清洗；S103、制备绒面；S104、磷扩散；S105、周边刻蚀；S106、去除背面PN+结；S107、制作上下电极；S108、制作减反射膜；S109、烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。本发明专利技术过程简单，对设备的要求低，而且效率高，易实现，太阳能电池片的残次率低。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池片领域，尤其涉及一种太阳能电池片加工工艺。
技术介绍
多晶硅太阳电池使用的材料，多半是含有大量单晶颗粒的集合体，或用废次单晶硅材料和冶金级硅材料熔化浇铸而成，然后注入石墨铸模中，待慢慢凝固冷却后，即得多晶硅锭。这种硅锭可铸成立方体，以便切片加工成方形太阳电池片，可提高材料利用率和方便组装。多晶硅太阳电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多，其光电转换效率在12%左右，稍低于单晶硅太阳电池，但其材料制造简便，电耗低，总的生产成本较低，因此得到广泛应用。但是，传统的太阳能电池片加工工艺的效率低，残次率较高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于通过一种太阳能电池片加工工艺，来解决以上
技术介绍
部分提到的问题。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案:一种太阳能电池片加工工艺，其包括如下步骤:S101、切片:采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片；S102、清洗:先常规清洗，然后用酸溶液将硅片表面切割损伤层除去；S103、制备绒面:用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面；S104、磷扩散:采用涂布源进行扩散，制成PN+结，结深0.3 — 0.5um ；S105、周边刻蚀:用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层；S106、去除背面PN+结:用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN+结；S107、制作上下电极:用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结工艺，先制作下电极，然后制作上电极；S108、制作减反射膜:用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法的任一种制作减反射膜；S109、烧结:将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。特别地，所述太阳能电池片加工工艺还包括:S1010、测试分档:按规定参数规范，测试分类。本专利技术提出的太阳能电池片加工工艺的过程简单，对设备的要求低，而且效率高，易实现，太阳能电池片的残次率低。【附图说明】图1为本专利技术实施例提供的太阳能电池片加工工艺流程图。【具体实施方式】下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部内容。请参照图1所示，图1为本专利技术实施例提供的太阳能电池片加工工艺流程图。本实施例中太阳能电池片加工工艺具体包括如下步骤:S101、切片:采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。S102、清洗:先常规清洗，然后用酸溶液将硅片表面切割损伤层除去30-50um。S103、制备绒面:用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。S104、磷扩散:采用涂布源进行扩散，制成PN+结，结深0.3 — 0.5um。S105、周边刻蚀:用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。S106、去除背面PN+结:用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN+结。S107、制作上下电极:用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结工艺，先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。S108、制作减反射膜:用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法的任一种制作减反射膜。S109、烧结:将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。S1010、测试分档:按规定参数规范，测试分类。本专利技术的技术方案降低了传统工艺的复杂程度，过程简单，对设备的要求低，而且效率闻，易实现，太阳能电池片的残次率低。注意，上述仅为本专利技术的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本专利技术不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本专利技术的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本专利技术进行了较为详细的说明，但是本专利技术不仅仅限于以上实施例，在不脱离本专利技术构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本专利技术的范围由所附的权利要求范围决定。【主权项】1.一种太阳能电池片加工工艺，其特征在于，包括如下步骤: 5101、切片:采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片； 5102、清洗:先常规清洗，然后用酸溶液将硅片表面切割损伤层除去； 5103、制备绒面:用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面； 5104、磷扩散:采用涂布源进行扩散，制成PN+结，结深0.3 — 0.5um ； 5105、周边刻蚀:用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层； 5106、去除背面PN+结:用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN+结； 5107、制作上下电极:用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结工艺，先制作下电极，然后制作上电极； 5108、制作减反射膜:用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法的任一种制作减反射膜； 5109、烧结:将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。2.根据权利要求1所述的太阳能电池片加工工艺，其特征在于，还包括: S1010、测试分档:按规定参数规范，测试分类。【专利摘要】本专利技术公开一种太阳能电池片加工工艺，其包括：S101、切片；S102、清洗；S103、制备绒面；S104、磷扩散；S105、周边刻蚀；S106、去除背面PN+结；S107、制作上下电极；S108、制作减反射膜；S109、烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。本专利技术过程简单，对设备的要求低，而且效率高，易实现，太阳能电池片的残次率低。【IPC分类】H01L31/18【公开号】CN105576075【申请号】CN201410551314【专利技术人】华源兴 【申请人】江苏凯旋涂装自动化工程有限公司【公开日】2016年5月11日【申请日】2014年10月16日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种太阳能电池片加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：S101、切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片；S102、清洗：先常规清洗，然后用酸溶液将硅片表面切割损伤层除去；S103、制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面；S104、磷扩散：采用涂布源进行扩散，制成PN+结，结深0.3－0.5um；S105、周边刻蚀：用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层；S106、去除背面PN+结：用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN+结；S107、制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结工艺，先制作下电极，然后制作上电极；S108、制作减反射膜：用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法的任一种制作减反射膜；S109、烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：华源兴，
申请(专利权)人：江苏凯旋涂装自动化工程有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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