本实用新型专利技术公开一种真空场发射晶体管框架，包括架体，架体内设有引线框部件，引线框部件在架体内呈矩阵排列，相邻两个引线框部件之间通过连接部进行连接，引线框部件包括两个结构相同的引线框子部件，每个引线框子部件的载片区上均设有与晶体管引脚相匹配的引线，晶体管通过塑封胶固定于引线框子部件的载片区上，引线框部件内的两个引线框子部件之间设有条形部件，四个引线框部件结合处设有十字部件。相对现有技术，本实用新型专利技术密度较高，框架利用率高，降低了成本，生产工序更加简单，空间利用率高。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种框架，具体涉及一种真空场发射晶体管框架。
技术介绍
引线框架是一种载体，用于承载集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料实现芯片内部电路引出端与引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，引线框架是电子信息产业中重要的基础材料，其主要是通过模具冲压法和化学蚀刻法进行生成。目前，引线框架主要有单排引线框架和双排引线框架，如获中华人民共和国国家技术专利的一种半导体用的引线框架(申请日:20130416，公开日:20131106)，其技术方案为:由十个引线单元单排组成，所述引线单元之间通过连接筋连接;如获中华人民共和国国家技术专利的一种双排引线框(申请日:20120711，公开日，20130313)，其技术方案是:它包括两队引线框架，在每个引线框架的一端装有接垫，高温胶带与引线框架水平垂直且将两条平行的引线框架连接起来形成一横排引线框架，两横排引线框上下对应排列形成上横排引线框和下横排引线框，上横排引线框的引线框架的接垫与下横排引线框的引线框架的接垫位置相对应，上横排引线框架与下横排引线框架之间通过连接筋连接起来。上述两种引线框架对设备的使用率和材料的利用率都低。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种密度较高，框架利用率高，降低了成本，生产工序更加简单，空间利用率高的真空场发射晶体管框架。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案:—种真空场发射晶体管框架，包括架体，架体内设有引线框部件，引线框部件在架体内呈矩阵排列，相邻两个引线框部件之间通过连接部进行连接，引线框部件包括两个结构相同的引线框子部件，每个引线框子部件的载片区上均设有与晶体管引脚相匹配的引线，晶体管通过塑封胶固定于引线框子部件的载片区上，引线框部件内的两个引线框子部件之间设有条形部件，四个引线框部件结合处设有十字部件。作为上述技术的进一步改进，所述架体为方形结构。作为上述技术的进一步改进，所述相邻两个引线框部件之间间距相等。作为上述技术的进一步改进，所述条形部件两端分别设有凸出部。作为上述技术的进一步改进，所述两个凸出部朝向相反。与现有技术相比，本技术的有益效果是:架体内设有若干个引线框部件，引线框部件呈矩阵排列，形成规则的形状，并且能够节约空间，相邻两个引线框部件之间通过连接部进行连接，连接性能可靠，结构合理，每个引线框子部件的载片区上均设有与晶体管引脚相匹配的引线，引线框子部件的载片区通过塑封胶固定连接晶体管，并且通过引线与晶体管引脚进行电连接，每个载片区均连接有晶体管，架体内连接多个晶体管，架体密度较高，提高了框架利用率，降低了成本，生产工序更加简单，空间利用率高。【附图说明】图1为本技术的结构示意图。图2为引线框部件的结构示意图。图中:1_架体、2-引线框部件、3-连接部、4-引线框子部件、5-载片区、6-条形部件、7-凸出部、8-十字部件。【具体实施方式】下面结合【具体实施方式】对本专利的技术方案作进一步详细地说明。参阅图1-2，一种真空场发射晶体管框架，包括架体I，架体I为方形结构，架体I内设有引线框部件2，引线框部件2在架体I内呈矩阵排列，相邻两个引线框部件2之间通过连接部3进行连接，便于在后序工序中对引线框部件2进行分割，即将连接部3上的引线框子部件4分割成单独的引线框子部件4备用，并且相邻两个引线框部件2之间间距相等，引线框部件2包括两个结构相同的引线框子部件4，每个引线框子部件4的载片区5上均设有与晶体管引脚相匹配的引线，晶体管通过塑封胶固定于引线框子部件4的载片区5上，连接性能可靠，引线框部件2内的两个引线框子部件4之间设有条形部件6，条形部件6两端分别设有凸出部7，两个凸出部7朝向相反，通过条形部件6进行分隔，四个引线框部件2结合处设有十字部件8。本技术工作时，架体I内设有若干个引线框部件2，引线框部件2呈矩阵排列，形成规则的形状，并且能够节约空间，相邻两个引线框部件2之间通过连接部3进行连接，连接性能可靠，结构合理，每个引线框子部件4的载片区5上均设有与晶体管引脚相匹配的引线，引线框子部件4的载片区5通过塑封胶固定连接晶体管，并且通过引线与晶体管引脚进行电连接，每个载片区5均连接有晶体管，本技术架体内连接多个晶体管，架体I密度较高，提高了框架利用率，降低了成本，生产工序更加简单，空间利用率高。以上所述仅为本技术较佳的实施例，并非因此限制本技术的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本技术说明书及图示内容作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本技术的保护范围内。【主权项】1.一种真空场发射晶体管框架，包括架体，其特征在于，架体内设有引线框部件，引线框部件在架体内呈矩阵排列，相邻两个引线框部件之间通过连接部进行连接，引线框部件包括两个结构相同的引线框子部件，每个引线框子部件的载片区上均设有与晶体管引脚相匹配的引线，晶体管通过塑封胶固定于引线框子部件的载片区上，引线框部件内的两个引线框子部件之间设有条形部件，四个引线框部件结合处设有十字部件。2.根据权利要求1所述的真空场发射晶体管框架，其特征在于，所述架体为方形结构。3.根据权利要求1所述的真空场发射晶体管框架，其特征在于，所述相邻两个引线框部件之间间距相等。4.根据权利要求1所述的真空场发射晶体管框架，其特征在于，所述条形部件两端分别设有凸出部。5.根据权利要求4所述的真空场发射晶体管框架，其特征在于，所述两个凸出部朝向相反。【专利摘要】本技术公开一种真空场发射晶体管框架，包括架体，架体内设有引线框部件，引线框部件在架体内呈矩阵排列，相邻两个引线框部件之间通过连接部进行连接，引线框部件包括两个结构相同的引线框子部件，每个引线框子部件的载片区上均设有与晶体管引脚相匹配的引线，晶体管通过塑封胶固定于引线框子部件的载片区上，引线框部件内的两个引线框子部件之间设有条形部件，四个引线框部件结合处设有十字部件。相对现有技术，本技术密度较高，框架利用率高，降低了成本，生产工序更加简单，空间利用率高。【IPC分类】H01L23/495【公开号】CN205231048【申请号】CN201520996378【专利技术人】曾旭, 吕淑英, 龙先祖, 杨丹, 郭永华, 黄春胜 【申请人】宁波东盛集成电路元件有限公司【公开日】2016年5月11日【申请日】2015年12月4日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种真空场发射晶体管框架，包括架体，其特征在于，架体内设有引线框部件，引线框部件在架体内呈矩阵排列，相邻两个引线框部件之间通过连接部进行连接，引线框部件包括两个结构相同的引线框子部件，每个引线框子部件的载片区上均设有与晶体管引脚相匹配的引线，晶体管通过塑封胶固定于引线框子部件的载片区上，引线框部件内的两个引线框子部件之间设有条形部件，四个引线框部件结合处设有十字部件。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曾旭，吕淑英，龙先祖，杨丹，郭永华，黄春胜，
申请(专利权)人：宁波东盛集成电路元件有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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