本发明专利技术公开了一种发光二极体照明装置，其包含基板、第一、第二下电极、第一、第二垂直式发光二极体、第一、第二下透明绝缘层以及上透明电极。基板具有第一、第二凹槽，第一、第二凹槽具有底面与斜侧面。第一、第二下电极分别设置于第一、第二凹槽中，且可以反射光线并分别覆盖第一、第二凹槽的部分底面与斜侧面。第一、第二垂直式发光二极体分别设置于第一、第二下电极上。第一、第二下透明绝缘层分别设置于第一、第二凹槽中。上透明电极电性连接第一垂直式发光二极体与第二下电极。借由将第一、第二垂直式发光二极体串联，本发明专利技术的发光二极体照明装置将具有高功率与高发光效率，同时因为其电流维持较小，于是寿命可以延长。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光二极体照明装置。
技术介绍
近年来，发光二极体技术提高，高功率、高亮度的发光二极体陆续上市，再加上发光二极体作为灯具具有寿命长的优点，使得这类灯具渐有取代其他传统光源之势。发光二极体可应用于众多灯具，如日光灯、红绿灯、路灯或手电筒。因为发光二极体已经逐渐成为主流灯具，为了进一步改善发光二极体的各项特性，相关领域莫不费尽心思开发。如何能提供一种具有优选特性的发光二极体，实属当前重要的研发课题之一，也成为当前相关领域亟需改进的目标。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种具有高功率、高发光效率以及长寿命的发光二极体照明装置。根据本专利技术一实施方式，一种发光二极体照明装置，其包含基板、第一下电极、第二下电极、至少一个第一垂直式发光二极体、至少一个第二垂直式发光二极体、第一下透明绝缘层、第二下透明绝缘层以及上透明电极。基板具有至少一个第一凹槽与至少一个第二凹槽于其中，其中第一凹槽与第二凹槽的至少其中一个具有底面以及相邻于底面的至少一个斜侧面。第一下电极设置于第一凹槽中。第二下电极设置于第二凹槽中，其中第一下电极与第二下电极的至少其中一个可以反射光线，并覆盖至少部分底面与至少部分斜侧面。第一垂直式发光二极体设置于第一凹槽中，并设置于第一下电极上。第二垂直式发光二极体设置于第二凹槽中，并设置于第二下电极上。第一下透明绝缘层设置于第一凹槽中，其中第一下透明绝缘层具有至少一个开口于其中，用以裸露出至少部分第一垂直式发光二极体。第二下透明绝缘层设置于第二凹槽中，其中第二下透明绝缘层具有至少一个开口于其中，用以裸露出至少部分第二垂直式发光二极体。上透明电极电性连接第一垂直式发光二极体与第二下电极。本专利技术不同实施方式借由将第一垂直式发光二极体、第二垂直式发光二极体串联，发光二极体照明装置将可以在连接高电压的外接电源时具有高功率与高发光效率。另夕卜，在达到高功率与高发光效率的同时，通过垂直式发光二极体的电流可以维持较小，于是垂直式发光二极体的寿命可以延长，其散热也不再是问题。【附图说明】图1绘示依照本专利技术一实施方式的发光二极体照明装置的剖面示意图。图2绘示依照本专利技术另一实施方式的发光二极体照明装置的剖面示意图。图3A绘示依照本专利技术一实施方式的发光二极体照明装置的俯视示意图。图3B绘示依照本专利技术另一实施方式的发光二极体照明装置的俯视示意图。图4A至图4C绘示依照本专利技术不同实施方式的图案化介电层的水平剖面图。图5绘示依照本专利技术又一实施方式的发光二极体照明装置的剖面示意图。图6绘示依照本专利技术再一实施方式的发光二极体照明装置的剖面示意图。图7绘示依照本专利技术再一实施方式的发光二极体照明装置的剖面示意图。【具体实施方式】以下将以图式公开本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些现有惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示。图1绘示依照本专利技术一实施方式的发光二极体照明装置100的剖面示意图。如图1所绘示，发光二极体照明装置100包含基板110、下电极121、126、至少一个垂直式发光二极体200、至少一个垂直式发光二极体400、下透明绝缘层130、131以及上透明电极144。基板110具有至少一个凹槽113与至少一个凹槽116于其中。凹槽113具有底面114以及相邻于底面114的至少一个斜侧面115，凹槽116具有底面117以及相邻于底面117的至少一个斜侧面118。下电极121设置于凹槽113中，下电极121可以反射光线，并覆盖至少部分底面114与至少部分斜侧面115。下电极126设置于凹槽116中，下电极126可以反射光线，并覆盖至少部分底面117与至少部分斜侧面118。垂直式发光二极体200设置于凹槽113中，并设置于下电极121上，垂直式发光二极体400设置于凹槽116中，并设置于下电极126上。下透明绝缘层130设置于凹槽113中，其中下透明绝缘层130具有至少一个开口 132于其中，用以裸露出至少部分垂直式发光二极体200。下透明绝缘层131设置于凹槽116中，其中下透明绝缘层131具有至少一个开口 136于其中，用以裸露出至少部分垂直式发光二极体400。上透明电极144电性连接垂直式发光二极体400与下电极121，因而电性串联垂直式发光二极体200、400。借由将垂直式发光二极体200、400串联，发光二极体照明装置100将可以具有高功率与高发光效率。在此同时，因为通过垂直式发光二极体200、400的电流可以维持较小，于是垂直式发光二极体200、400的寿命可以延长，其产生的热能也会较少。具体而言，举例来说，假如每个垂直式发光二极体200、400的电压差为3.125伏特，且通过垂直式发光二极体200、400的电流为I安培，则垂直式发光二极体200、400的功率总合将为6.25瓦特。若是仅使用单一个发光二极体来产生相同的功率，则通过发光二极体的电流须为2安培。于是，若是使用单一个发光二极体来产生相同的功率，因为其较大的电流，寿命将会较短，且散热也会较为困难。因为发光二极体照明装置100使用上透明电极144作为连接不同电子元件的上电极，因此可以省略打线工艺。于是，发光二极体照明装置100的良率得以提升，发光二极体照明装置100的制造成本也因此可以降低。基板110具有尚导热系数。具体而目，基板110的材质为娃，例如无惨杂杂质的娃、P型硅或N型硅，或者基板110的材质为陶瓷材质。当基板110的材质为硅时，基板110的电位可以调节为最低，因此基板110与设置于其上的导电元件(举例来说，下电极121或上透明电极144)的接触面部分或完全形成PN接面的逆向偏压状态。于是，基板110将电姓绝缘于设置于其上的导电元件。但本专利技术并不限制于前述描述。图2绘示依照本专利技术另一实施方式的发光二极体照明装置100的剖面示意图。如图2所绘示，基板110包含绝缘层111与导电层112。绝缘层111的材质可为二氧化硅，其可由硅氧化而形成。导电层112的材质可为金属，例如铝，且导电层112可作为散热层。基板110的电位可被调整为发光二极体照明装置100的所有元件的最大电位与最小电位的中间值，因此基板110与设置于其上的导电元件(举例来说，下电极121或上透明电极142)之间的电位差不会过大。于是，电流将不会通过绝缘层111，因此基板110将电性绝缘于设置于其上的导电元件。凹槽113的深度可为约5微米至约50微米。应了解到，以上所举的凹槽113的深度仅为例示，并非用以限制本专利技术，本专利技术所属
中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择凹槽113的深度。底面114与斜侧面115之间的夹角为约120°至约160°，且底面117与斜侧面118之间的夹角也为约120°至约160°。若基板110的材质为硅，且凹槽113为借由湿蚀刻工艺所形成，则底面114与斜侧面115之间的夹角为约125.3°。下电极12当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光二极体照明装置，其特征在于，所述发光二极体照明装置包含：基板，其具有至少一个第一凹槽与至少一个第二凹槽，其中所述第一凹槽与所述第二凹槽的至少其中一个具有底面以及相邻于所述底面的至少一个斜侧面；第一下电极，其设置于所述第一凹槽中；第二下电极，其设置于所述第二凹槽中，其中所述第一下电极与所述第二下电极的至少其中一个能够反射光线，并覆盖至少部分所述底面与至少部分所述斜侧面；至少一个第一垂直式发光二极体，其设置于所述第一凹槽中，并设置于所述第一下电极上；至少一个第二垂直式发光二极体，其设置于所述第二凹槽中，并设置于所述第二下电极上；第一下透明绝缘层，其设置于所述第一凹槽中，其中所述第一下透明绝缘层具有至少一个开口，用以裸露出至少部分所述第一垂直式发光二极体；第二下透明绝缘层，其设置于所述第二凹槽中，其中所述第二下透明绝缘层具有至少一个开口，用以裸露出至少部分所述第二垂直式发光二极体；以及上透明电极，其电性连接所述第一垂直式发光二极体与所述第二下电极。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：张珮瑜，
申请(专利权)人：美科米尚技术有限公司，
类型：发明
国别省市：萨摩亚;WS
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