一系列深蓝金属铱磷光OLED材料制造技术

本发明专利技术公开了一系列深蓝金属铱磷光OLED材料。该有机电致磷光材料，其结构通式如式I-1和式I-2所示。本发明专利技术的磷光材料具有高的热稳定性、高的量子效率，同时具有较低的掺杂比例，提供了一系列具有1,2,4-三氮唑环的铱配合物电致磷光发光材料。该类化合物具有发光效率高、热稳定性好等特点，而且原料易得，制备简便，总体收率高，大大降低的磷光材料的成本，具有重要的应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于有机电致发光显示
，涉及一系列深蓝金属铱磷光0LED材料。
技术介绍
有机电致发光二极管（简称0LED)及相关的研究早在1963年pope等人首先发现了 有机化合物单晶蒽的电致发光现象。1987年美国的柯达公司用蒸镀有机小分子的方法制成 了一种非晶膜型器件，将驱动电压降到了20V以内。这类器件由于具有超轻薄、全固化、自发 光、亮度高、视角宽、响应速度快，驱动电压低、功耗小、色彩鲜艳、对比度高、工艺过程简单、 温度特性好、可实现柔软显示等优点，可广泛应用于平板显示器和面光源，因此得到了广泛 地研究、开发和使用。 有机电致发光材料分为两大类:有机电致荧光材料和有机电致磷光材料，其中有 机电致荧光是单重态激子辐射失活的结果，与光致发光不同，在有机电致发光过程中，三线 态激子和单线态激子是同时生成的。通常单线态激子和三线态激子的生成比例是1:3,而根 据量子统计的禁计的禁阻效应，三线态激子主要发生非辐射衰减，对发光贡献极小，只有单 线态激子辐射发光，因此，对有机/聚合物电荧光器件来说，发光效率难以提高的根本原因 在于发光过程为单线态激子的发光。 在有机发光器件研究的早期，人们即提出了三线态发光的设想，Forrest小组用八 乙基卟啉铂掺杂在小分子主体材料八羟基喹啉铝中制成了红色电致磷光发光器件，外量子 效率达到4%，至此，电致磷光的研究开始得到学术界极大的关注，并在随后的几年里有机 电致磷光研究得到了迅速发展。其中铱配合物因其三线态寿命较短，具有较好的发光性能， 是开发得最多也是应用前景最好的一种磷光材料，由于磷光材料在固体中有较强的三线态 猝灭，一般都是用铱配合物作为掺杂客体材料，用较宽带隙的材料作掺杂主体材料，通过能 量转移或直接将激子陷在客体上发光获得高发光效率。 有机电致绿色磷光材料是研究的最早，也是发展最成熟的一类材料。2004年Hino 等用旋涂的方式制作了磷光器件，外量子效率最大为29cd/A，这种简单器件结构实现的高 效率可归因于材料良好的成膜性和主体到客体材料的能量转移。Adachi等将（ppy) 2Ir (acac)掺杂到TAZ中，以HMITD作为空穴传输层，获得了最大外量子效率为20%，能量效率为 651m/W的绿光器件，经计算，其内量子效率几乎接近100%，三线态激子和单线态激子同时 得到利用。 目前用于0LED显示技术中的蓝光金属铱磷光配合物无法同时满足高色纯度和高 发光效率的要求，新型配体的开发应用是解决这一问题的有效途径。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一系列深蓝金属铱磷光0LED材料。 本专利技术提供的深蓝金属铱磷光0LED材料，其结构通式如式1-1或式1-2所示化合 物， 所述式1-1和式1-2中， 选自氢原子、甲基、氰基和三氟甲基中的任意一种； Μ选自金属铱原子或铂原子； An、Ar2选自取代的或未取代的C6-C6Q芳基、取代的或未取代的C 6-C6Q芳氧基、取代 的或未取代的C6-C6Q芳硫基、取代的或未取代的C6-C6Q芳硅基、取代的或未取代的C 6-C6Q芳硼 基、取代的或未取代的C2-C6Q杂环芳基中的任意一种； 所述取代的C6-C6Q芳基、取代的C6-C 6Q芳氧基、取代的C6-C6Q芳硫基、取代的C6-C 60芳 膦基、取代的C6-C6Q芳硅基、取代的C6-C 6Q芳硼基、取代的(：2-〇5〇杂环芳基中，取代基选自甲 基、乙基、叔丁基、甲氧基、氰基、苯氧基、卤原子和含有2~8个碳原子的脂肪烃基中的任意 一种； 所述取代的或未取代的(：2-〇5〇杂环芳基中，至少一个含有N、0和S原子中至少一种 的环状结构； 所述式1-1中，X为1或2; R2选自乙酰丙酮基、C1-C50的带有支链的乙酰乙酰基脂肪烃基、取代的或未取代 的2-吡啶甲酰氧基和取代的或未取代的2-吡啶磺酰基中的任意一种； 其中，所述取代的2-吡啶甲酰氧基、取代的2-吡啶磺酰基中，取代基选自氟原子、 烷基、烷氧基、氛基和二氣甲基其中的一种。 上述式1-1和式1-2所示化合物中，所述C6-C60芳基选自苯基、萘基、联苯基、蒽基、 联蒽基、对叔丁基苯基、2,4-二氟苯基、4-(叱^二甲基胺基)苯基、4-(叱^二苯基胺基）苯 基、3-(N，N-二苯基胺基)苯基、芘基、并四苯基、菲基、苯并菲基、苯并蒽基、苯并芘基和芴基 中的任意一种； 所述C6-C6Q芳氧基选自4-苯氧基苯基、二苯并呋喃-2-基、二苯并呋喃- 4-基、苯并呋喃-2-基、苯并呋喃-5-基和苯并呋喃-7-基中的任意一种； 所述C6-C6Q芳硫基选自二苯并噻吩-2-基、二苯并噻吩-4-基、4-苯亚砜 基苯基、4-苯砜基苯基、苯并噻吩-2-基、苯并噻吩-5-基和苯并噻吩-7-基中的任意一种； 所述C6-C6Q芳膦基选自4-(二苯基氧膦基)苯基、3-(二苯基氧膦基)苯基和二苯并 氧膦-5-(4-苯基)-4-基中的任意一种； 所述C6-C6Q芳硅基选自4_(三苯基硅基）苯基、4_(二苯基甲基硅基）苯基、3_(三苯 基硅基)苯基和3-(二苯基甲基硅基)苯基中的任意一种； 所述C6-C6Q芳硼基选自4-(二(2，4，6-三甲基)苯基)-硼烷苯基、二苯并硼烷- 5-苯基-4-基和三苯基硼基中的任意一种； 所述C2-C6Q的杂环芳基选自如下式II-1至式11-15所示基团中的任意一种：所述式II-1~11-15中，独立的选自氢、氘氢、齒原子、羟基、腈基、硝基、 氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或其羧酸盐、磺酸基或其磺酸盐、磷酸基或其磷酸盐、&-〇?烷 基、C2-C6Q烯基、C2-C6Q炔基、Cl_C6Q烷氧基、C3-C6Q环烷烃基、C3-C6Q环稀经基、C6-C6Q芳基、含有 烷基的C 6-C6Q芳基、取代的或未取代的C6-C6Q芳氧基、取代的或未取代的C 6-C6Q芳硫基、 取代的或未取代的C2-C6Q杂环芳基中的任意一种； xl为1~4的整数;x2为1~3的整数;x3为1~2的整数;x4为1~6的整数;x5为1~5 的整数； Τι为氧或硫原子； 优选的，所述式I所示化合物具体可为以下SLC-GIR01~SLC-GIR125所示结构，但 本专利技术并不仅限于以下化合物： 另外，含有上述本专利技术提供的式1-1或式1-2所示化合物的发光材料及该式1-1或 式1-2所示化合物在制备发光材料中的应用，以及式1-1或式1-2所示化合物作为发光层在 制备有机电致发光器件中的应用和含有式1-1或式1-2所示化合物作为发光层的有机电致 发光器件，也属于本专利技术的保护范围。其中，所述发光材料为有机电致磷光发光材料，更具 体为磷光发射波长为460-560nm的有机电致磷光发光材料。所述有机电致发光器件为有机 电致磷光发光器件。所述磷光发射波长具体可为452、470、476或490nm。 更具体的，所述有机电致发光器件由下至上依次由透明基片、阳极、空穴注入层、 空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极层组成； 其中，构成所述透明基片的材料为玻璃或柔性基片； 构成所述阳极层的材料为无机材料或有机导电聚合物;其中，所述无机材料为氧 化铟锡、氧化锌、氧化锡锌、金、银或铜;所述有机导电聚合物选自聚噻吩、聚乙烯基苯磺酸 钠和聚苯胺中的至少一种；本文档来自技高网...

【技术保护点】
式I‑1或式I‑2所示化合物，所述式I‑1和式I‑2中，R1选自氢原子、甲基、氰基和三氟甲基中的任意一种；M选自金属铱原子或铂原子；Ar1、Ar2选自取代的或未取代的C6‑C60芳基、取代的或未取代的C6‑C60芳氧基、取代的或未取代的C6‑C60芳硫基、取代的或未取代的C6‑C60芳硅基、取代的或未取代的C6‑C60芳硼基、取代的或未取代的C2‑C60杂环芳基中的任意一种；所述取代的C6‑C60芳基、取代的C6‑C60芳氧基、取代的C6‑C60芳硫基、取代的C6‑C60芳膦基、取代的C6‑C60芳硅基、取代的C6‑C60芳硼基、取代的C2‑C60杂环芳基中，取代基选自甲基、乙基、叔丁基、甲氧基、氰基、苯氧基、卤原子和含有2～8个碳原子的脂肪烃基中的任意一种；所述取代的或未取代的C2‑C60杂环芳基中，至少一个含有N、O和S原子中至少一种的环状结构；所述式I‑1中，X为1或2；R2选自乙酰丙酮基、C1‑C50的带有支链的乙酰乙酰基脂肪烃基、取代的或未取代的2‑吡啶甲酰氧基和取代的或未取代的2‑吡啶磺酰基中的任意一种；其中，所述取代的2‑吡啶甲酰氧基、取代的2‑吡啶磺酰基中，取代基选自氟原子、烷基、烷氧基、氰基和三氟甲基其中的一种。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹建华，
申请(专利权)人：石家庄诚志永华显示材料有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13