一种光刻胶清洗液制造技术

本发明专利技术公开了一种去除光阻残留物的清洗液含有(a)醇胺；(b)溶剂；(c)C4-C6的多元醇；(d)氮唑衍生物。该清洗液能够更为有效地去除晶圆上的光阻残留物，该去除光阻残留物的清洗液不含有水、羟胺和氟化物。对金属铜、铝等极低腐蚀；有非常好的耐水性，在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术公开了光刻胶清洗液，尤其涉及一种有效地去除光刻胶残留物的清洗液。
技术介绍
在通常的LED和半导体制造工艺中，通过在一些材料的表面上形成光刻胶的掩 膜，曝光后进行图形转移，在得到需要的图形之后，进行下一道工序之前，需要剥去残留的 光刻胶。在这个过程中要求完全除去不需要的光刻胶，同时不能腐蚀任何基材。 目前，光刻胶清洗液主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通过将半导体晶 片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶。其中一类 是含有水的光刻胶清洗液，其含水量一般大于5% ;如JP1998239865公开了一种含水体系 的清洗液，其组成是四甲基氢氧化铵（TMAH)、二甲基亚砜（DMS0)、1，3'_二甲基-2-咪唑烷 酮（DMI)和水。将晶片浸入该清洗液中，于50~KKTC下除去金属和电介质基材上的20 μ m 以上的光刻胶；其对半导体晶片基材的腐蚀略高，且不能完全去除半导体晶片上的光刻胶， 清洗能力不足；又例如US5529887公开了由氢氧化钾（Κ0Η)、烷基二醇单烷基醚、水溶性氟 化物和水等组成碱性清洗液，将晶片浸入该清洗液中，在40~90°C下除去金属和电介质基 材上的光刻胶。其对半导体晶片基材的腐蚀较高。在这类清洗液中由于含有游离的强碱性 基团一0H，而且存在水，故其对金属基材往往会造成一定的腐蚀。而另一类是基本上不含有 水的光刻胶清洗液，其含水量一般小于5%，甚至基本上不含有水。如US5480585公开了一 种含非水体系的清洗液，其组成是乙醇胺、环丁砜或二甲亚砜和邻苯二酚，能在40~120°C 下除去金属和电介质基材上的光刻胶，对金属基本无腐蚀。又例如US2005119142公开了一 种含有烷氧基的聚合物、二丙二醇烷基醚、N-甲基吡咯烷酮和甲基异丁基酮的非水性清洗 液。该清洗液可以同时适用于正性光刻胶和负性光刻胶的清洗。非水性光刻胶清洗液由于 不含有水，其对金属基材基本无腐蚀；但该类清洗液在操作体系中混有少量的水的时候，其 金属的腐蚀速率会显著上升，从而导致金属基材的腐蚀。故存在操作窗口较小的问题。 由此可见，寻找更为有效抑制金属腐蚀抑制方法和较大操作窗口的光刻胶清洗液 该类光刻胶清洗液努力改进的优先方向。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了提供一种有效地去除光刻胶残留物的光刻胶剥离液组成及 其应用。这种光刻胶清洗液，具有对半导体中光刻胶的快速去除能力，同时对金属铝等具有 非常低的蚀刻速率，还具有很好耐水性。该光刻胶清洗液既能有效的去除光刻胶又能保护 金属，还能预防吸水带来的金属腐蚀速率升高问题。 该光刻胶剥离液含有C4_C6的多元醇及氮唑衍生物作为主要的腐蚀抑制剂，两者 同时使用，使得该剥离液在有效的去除晶圆上的光刻胶的同时，能有效的保护基材如金属 铝、铜等基本无腐蚀。 本专利技术的一方面在于提供一种光刻胶清洗液，该光刻胶清洗液，含有醇胺，溶剂和 腐蚀抑制剂，且蚀抑制剂至少包括如下组分： C4_C6的多元醇 氮唑衍生物。 其中，醇胺选自单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二 乙醇胺、N，N_二乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙基）乙醇胺和二甘醇胺。优选单乙醇胺、三乙醇 胺及其混合物中的一种或多种。其中，醇胺的含量为质量百分比5-50%，优选为质量百分比 10-45%〇 其中，溶剂选自亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醇醚中的一种或 多种。优选地，亚砜选自二甲基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或多种；砜选自甲基砜、环丁 砜中的一种或多种；咪唑烷酮选自2-咪唑烷酮和1，3-二甲基-2-咪唑烷酮中的一种或 多种；吡咯烷酮选自N-甲基吡咯烷酮和N-环己基吡咯烷酮中的一种或多种；咪唑啉酮选 自1，3_二甲基-2-咪唑啉酮；酰胺选自二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一种或多种； 醇醚选自二乙二醇单丁醚和二丙二醇单甲醚中的一种或多种。溶剂的含量为质量百分比 40-90 %，优选地为质量百分比50-85 %。 其中，(：4_(：6的多元醇（碳原子数为4-6的多元醇）选自苏阿糖、阿拉伯糖、木糖、核 糖、核酮糖、木酮糖、葡萄糖、甘露糖、半乳糖、塔格糖、阿洛糖、阿卓糖、艾杜糖、塔罗糖、山梨 糖、阿洛酮糖、果糖、苏糖醇、赤藓醇、核糖醇、阿拉伯糖醇、木糖醇、塔罗糖醇、山梨醇、甘露 醇、艾杜糖醇和半乳糖醇中的一种或多种。(： 4-(：6的多元醇的含量为质量百分比0. 1~10%。 优选地，为质量百分比0. 5~5%。 其中，氮唑衍生物选自3-氨基-1，2, 4-三氮唑，4-氨基-1，2, 4-三氮唑，5-氨 基-1，2, 4-三氮唑，苯并三氮唑，1，2, 4-三氮唑，甲基苯并三氮唑，5-羧基-苯并三氮唑， 3_氨基_5巯基-1，2, 4-三氮唑，3-氨基-5羧基-1，2, 4-三氮唑。1-羟基-苯并三氮唑 中的一种或多种。氮唑衍生物的含量为质量百分比0.01~5%。优选地为质量百分比 0.01-3%。 本专利技术的另一方面在于提供以上所述清洗液的应用，即将含有光阻残留物的LED 金属垫（Pad)晶圆分别浸入上述清洗液中，在50°C至90°C下利用恒温振荡器以约60转/ 分的振动频率振荡10~30分钟，然后经漂洗后用高纯氮气吹干。 本专利技术的积极进步效果在于：本专利技术的清洗液在有效去除晶圆上的光阻残留物 的同时，对于基材如金属铝、铜等基本无腐蚀，在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前 旦【具体实施方式】 下面通过具体实施例进一步阐述本专利技术的优点，但本专利技术的保护范围不仅仅局限 于下述实施例。 本专利技术所用试剂及原料均市售可得。本专利技术的清洗液由上述成分简单均匀混合即 可制得。 表1实施例及对比例清洗液的组分和含量 效果实施例 为了进一步考察该类清洗液的清洗情况，本专利技术采用了如下技术手段：即将含有当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻胶清洗液，含有醇胺，溶剂和腐蚀抑制剂，其特征在于，所述腐蚀抑制剂至少包括如下组分： C4‑C6的多元醇 氮唑衍生物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙广胜，刘兵，郑玢，黄达辉，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31