一种新型永磁体复合磁场触头结构及其应用的真空灭弧室，该触头结构包括一对横向磁场触头片以及置于横向磁场触头片背后的一对永磁体组合结构；静端永磁体组和动端永磁体组配合之后在触头间隙产生磁场，与静端横向磁场触头片和动端横向磁场触头片在燃弧过程中产生的磁场共同作用于电弧，实现对于电弧的有效控制；本发明专利技术解决了现有复合磁场触头结构以及永磁体触头结构存在的触头表面结构过于复杂，永磁体电弧控制能力有限的问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于大电流真空断路器
，具体涉及一种新型永磁体复合磁场触头结构及其应用的真空灭弧室。
技术介绍
真空断路器在整个电力系统中的应用迅速发展，但是，在发展的过程中，对于真空断路器的要求也是不断的提高。为了提高真空灭弧室的短路开断能力，在灭弧室中引入了电弧的磁场控制技术。磁场控制技术主要包括了横向磁场控制技术和纵向磁场控制技术。其中，横向磁场技术是通过特定的触头结构，使得在燃弧过程中形成的电流通路在触头及其触头间隙区域形成与电弧电流流向垂直的横向磁场。横向磁场作用于真空电弧，驱动其在触头表面旋转运动，避免了电弧对于触头局部的过度烧蚀，提高了开关的开断能力。纵向磁场技术也是通过触头结构，形成与电弧电流流向平行的磁场。纵向磁场技术使得真空电弧更加均匀，减少了真空电弧的集聚，减轻电弧对于触头表面的烧蚀，提高了开关的开断能力。在现有的真空灭弧室中，纵向磁场触头结构主要为杯状纵磁触头结构和线圈式纵磁触头结构。横向磁场触头结构主要为杯状横磁触头结构、万字形等开槽式横磁触头结构。纵向磁场触头结构的优势是电弧的控制能力强，开断能力强;缺点是触头结构复杂，触头结构导通电阻大，对于额定电流有较大限制。横向磁场触头结构的优势是触头结构简单，触头导通电阻小，可以导通较大额定电流;缺点是横向磁场控制技术作用下，真空电弧在快速旋转过程中，对于触头有一定的烧蚀，电弧的喷溅也会对屏蔽罩造成一定程度的烧蚀。此外横向磁场结构触头在大开距条件下磁场的衰弱明显，制约了其在更高电压等级下的应用。综上所述，现有的横向和纵向磁场结构触头在断路器中的应用中各有优劣，其结构也在不断的改进和完善。—种全新的设计思路是将横向磁场与纵向磁场相结合，将形成复合磁场，充分发挥横向磁场和纵向磁场各自的优势和特点。随着高温永磁体材料技术的发展，永磁体应用于真空开断
的制约因素将逐步被解决，有利于永磁体在真空开断和真空灭弧室领域的快速应用和发展。目前，复合磁场触头结构的研究也取得了一定的发展，尤其是ABB公司提出的复合触头结构设计方案(EUROPEAN PATENT APPLICAT1N；Applicat1n number: 11006056.3)。其设计的触头结构如图1所示。其触头结构主要由外侧触头结构40和内侧触头结构52组成。外侧触头结构40为环状结构，并且在外侧开槽；内侧触头结构52为直径较小的触头结构，置于环状的外侧触头结构内部。通过其开槽的设计，其外侧触头结构40和内部触头结构52均可以产生磁场，对真空电弧进行约束和控制。外侧触头结构40通过开槽的方向的配合可以形成横向磁场和纵向磁场；内侧触头结构5 2通过开槽方向的配合，也可以形成横向磁场和纵向磁场。此复合触头结构，通过外侧触头和内侧触头的配合，分别可以形成横向磁场一纵向磁场组合;横向磁场一横向磁场组合;纵向磁场一纵向磁场组合。这种触头结构在燃弧过程中，充分发挥了横向磁场和纵向磁场对于真空电弧的控制。如果仅考虑触头磁场对于电弧的约束，上述触头结构通过组合形成复合磁场，强化并且充分利用了横向和纵向磁场对于电弧的控制。西安交通大学刘志远等也提出了一种复合磁场触头结构(公布号:CN 105047470A)。其设计结构如图2所示。其设计触头开槽结构和角度的配合，在燃弧期间，电弧电流不仅需要经过横向磁场触头片103、104产生横向磁场，还要经过励磁触头结构102、105，再次产生横向磁场。这一设计，通过不同直径的横向磁场触头片103、104与励磁触头结构102、105的配合，延长了电流在触头结构中的流通路径；同时通过直径的配合，强化了触头间隙特别是触头中心区域的横向磁场的强度。另外，武汉大学陈仕修等提出了一种利用永磁体触头设计的真空开关(申请号:201210176297.8)。其设计结构如图3所示。其设计的真空开关上导电杆I和下导电杆8伸入金属屏蔽筒9内的一端上设有上电极触头座2和下电极触头座7;该高电压真空开关还包括一个能在上电极触头座2和下电极触头座7的间隙中产生与上电极触头座2和下电极触头座7之间的轴向电场垂直的X轴向磁场的第一永磁体和第二永磁体，所述第一永磁体和第二永磁体分别设置在上电极触头座2和下电极触头座7的空腔内，或者分别设置在金属屏蔽筒9左侧外壁和右侧外壁。但是，在实际的应用中，上述ABB公司以及西安交通大学刘志远提出的复合磁场触头在触头部分的结构设计都是比较复杂的，不可避免的会增加触头部分的电阻以及触头的加工成本。而武汉大学陈仕修提出的永磁体触头设计过度依赖永磁体的作用，由于永磁体的磁场强度是确定的，在大电流条件下，不利于成功的开断。
技术实现思路
为了解决上述现有技术存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种新型永磁体复合磁场触头结构及其应用的真空灭弧室，解决了现有复合磁场触头结构以及永磁体触头结构存在的触头表面结构过于复杂，永磁体电弧控制能力有限的问题。为达到以上目的，本专利技术采用如下技术方案:—种新型永磁体复合磁场触头结构，包括一对横向磁场触头片以及置于横向磁场触头片背后的一对永磁体组合结构;所述一对横向磁场触头片包括静端横向磁场触头片105和动端横向磁场触头片106，静端横向磁场触头片105背部的静端导电杆101上焊接有静端永磁体组合结构201，动端横向磁场触头片106背部的动端导电杆110上焊接有动端永磁体组合结构202，静端永磁体组合结构201和动端永磁体组合结构202分别靠近静端横向磁场触头片105和动端横向磁场触头片106的背部，但并不接触;所述静端永磁体组合结构201包括周向均匀开有多个槽口的静端永磁体支撑环102，置于静端永磁体支撑环102槽口内的静端永磁体组103以及覆盖静端永磁体组103的静端永磁体支撑盖板104;所述动端永磁体组合结构202与静端永磁体组合结构201的结构组成相同，包括周向均匀开有多个槽口的动端永磁体支撑环109，置于动端永磁体支撑环109槽口内的动端永磁体组108以及覆盖动端永磁体组108的动端永磁体支撑盖板107;所述静端永磁体组103中的永磁体的S极和N极保持一致，动端永磁体组108中的永磁体的S极和N极也保持一致;所述静端永磁体组103和动端永磁体组108配合之后在触头间隙产生磁场，与静端横向磁场触头片105和动端横向磁场触头片106在燃弧过程中产生的磁场共同作用于电弧，实现对于电弧的有效控制。所述静端横向磁场触头片15和动端横向磁场触头片1 6为螺旋槽横向磁场触头结构或“万”字形横向磁场触头结构，且开槽方向匹配。所述静端永磁体组103和动端永磁体组108的数量相同，为3-20个。所述静端永磁体组103和动端永磁体组108中的永磁体的轴线分别与静端导电杆101和动端导电杆110的轴线平行或保持预设的夹角。所述预设的夹角为I?70°。所述静端永磁体组103和动端永磁体组108中的永磁体为S极和N极相对、N极和S极相对、S极和S极相对或N极和N极相对。所述静端永磁体组合结构201和动端永磁体组合结构202分别与静端横向磁场触头片105和动端横向磁场触头片106的距离为l-10mm。—种真空灭弧室，所述真空灭弧室包括权利要求上述所述的新型永磁体复合磁场触头结构。本专利技术新型永磁体复合磁场触头结构在不影响燃弧过程中触头间隙的横向本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种新型永磁体复合磁场触头结构，其特征在于：包括一对横向磁场触头片以及置于横向磁场触头片背后的一对永磁体组合结构；所述一对横向磁场触头片包括静端横向磁场触头片(105)和动端横向磁场触头片(106)，静端横向磁场触头片(105)背部的静端导电杆(101)上焊接有静端永磁体组合结构(201)，动端横向磁场触头片(106)背部的动端导电杆(110)上焊接有动端永磁体组合结构(202)，静端永磁体组合结构(201)和动端永磁体组合结构(202)分别靠近静端横向磁场触头片(105)和动端横向磁场触头片(106)的背部，但并不接触；所述静端永磁体组合结构(201)包括周向均匀开有多个槽口的静端永磁体支撑环(102)，置于静端永磁体支撑环(102)槽口内的静端永磁体组(103)以及覆盖静端永磁体组(103)的静端永磁体支撑盖板(104)；所述动端永磁体组合结构(202)与静端永磁体组合结构(201)的结构组成相同，包括周向均匀开有多个槽口的动端永磁体支撑环(109)，置于动端永磁体支撑环(109)槽口内的动端永磁体组(108)以及覆盖动端永磁体组(108)的动端永磁体支撑盖板(107)；所述静端永磁体组(103)中的永磁体的S极和N极保持一致，动端永磁体组(108)中的永磁体的S极和N极也保持一致；所述静端永磁体组(103)和动端永磁体组(108)配合之后在触头间隙产生磁场，与静端横向磁场触头片(105)和动端横向磁场触头片(106)在燃弧过程中产生的磁场共同作用于电弧，实现对于电弧的有效控制。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘志远，马慧，王建华，耿英三，闫静，王振兴，张在秦，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。