【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背景
本专利技术的实施例一般涉及用于半导体器件的制造中的装置及方法。更具体地,本专利技术的实施例一般涉及用于可旋转的基板支撑件的装置及方法,该可旋转的基板支撑件被用于施加在半导体器件的制造中所使用的射频功率。
技术介绍
对于半导体器件的下一代超大规模集成电路(VLSI)与极大规模集成电路(ULSI)而言,可靠地生产亚半微米或更小的特征是关键技术挑战之一。然而,由于推进电路技术的极限,VLSI与ULSI互连技术的收缩尺寸对于处理能力产生额外的需求。在基板上可靠地形成栅极结构对于VLSI与ULSI成功以及对于增加电路密度与各个基板与管芯的质量的不断努力而言是重要的。用于形成这些结构的一种工艺包括等离子体处理。在这些等离子体工艺之一中,将基板定位在腔室中的基板支撑件上,并且工艺气体被激励,以形成工艺气体的等离子体。等离子体可被用于材料的沉积或材料的蚀刻以便形成结构。可通过向来自腔室内的喷头的气体的射频(RF)施加、耦接至腔室的电感耦合RF设备、由基板支撑件或穿过基板支撑件所施加的RF以及其组合,来促进等离子体形成。能够进行RF施加(即,RF“热(hot)”或偏压功率)的可旋转的基板支撑件遭受严重的缺点。历史上,已经通过例如滚动的RF环、RF刷、RF集电弓和电容结构,来达成任何旋转的零件之间的电连接。然而,当在RF匹配之后进行这些连接时,由于高电压/电流而产生 ...
【技术保护点】
一种基板支撑组件,包括:轴组件;底座,所述底座耦接至所述轴组件的一部分;以及第一旋转连接器,所述第一旋转连接器耦接至所述轴组件,其中所述第一旋转连接器包括可旋转的射频施加器,所述可旋转的射频施加器包括:第一线圈构件,所述第一线圈构件围绕可旋转的轴,所述可旋转的轴在操作期间与所述轴组件电磁耦合,所述第一线圈构件在操作期间可与所述可旋转的轴一起旋转;以及第二线圈构件,所述第二线圈构件围绕所述第一线圈构件,所述第二线圈构件相对于所述第一线圈构件是固定的,其中所述第一线圈构件在所述可旋转的射频施加器被激励时与所述第二线圈构件电磁耦合并且通过所述轴组件向所述底座提供射频功率。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.09.26 US 61/882,942;2013.11.26 US 14/091,0571.一种基板支撑组件,包括:
轴组件;
底座,所述底座耦接至所述轴组件的一部分;以及
第一旋转连接器,所述第一旋转连接器耦接至所述轴组
件,其中所述第一旋转连接器包括可旋转的射频施加器,所述
可旋转的射频施加器包括:
第一线圈构件,所述第一线圈构件围绕可旋转的轴,
所述可旋转的轴在操作期间与所述轴组件电磁耦合,所述
第一线圈构件在操作期间可与所述可旋转的轴一起旋转;
以及
第二线圈构件,所述第二线圈构件围绕所述第一线圈
构件,所述第二线圈构件相对于所述第一线圈构件是固定
的,其中所述第一线圈构件在所述可旋转的射频施加器被
激励时与所述第二线圈构件电磁耦合并且通过所述轴组件
向所述底座提供射频功率。
2.如权利要求1所述的基板支撑组件,其特征在于,在操作
期间,形成两个分离的RF回程路径,以建立统一的DC接地参
考。
3.如权利要求1所述的基板支撑组件,其特征在于,可旋转
的轴构件包括介电材料。
4.如权利要求3所述的基板支撑组件,其特征在于,所述可
旋转的轴包括铁氧体结构。
5.如权利要求1所述的基板支撑组件,其特征在于,进一步
\t包括:
第二旋转连接器,用于向底座提供冷却剂。
6.如权利要求5所述的基板支撑组件,其特征在于,进一步
包括:
第三旋转连接器,用于向所述底座传输电信号/功率和从所
述底座传输电信号/功率。
7.如权利要求1所述的基板支撑组件,其特征在于,所述轴
组件进一步包括:
导电中央轴,所述导电中央轴与所述第一线圈构件电磁耦
合,其中所述导电中央轴包括圆形导电板,所述圆形导电板被
设置在所述底座中所设置的所述导电中央轴的一端处。
8.一种基板支撑组件,包括:
轴组件;
底座,所述底座耦接至所述轴组件的一部分;以及
第一旋转连接器,所述第一旋转连接器耦接至所述轴组
件...
【专利技术属性】
技术研发人员:小林悟,K·H·弗劳德,塙广二,S·朴,D·卢博米尔斯基,J·A·肯尼,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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