半导体封装件及其制法制造技术

技术编号:13178845 阅读:74 留言:0更新日期:2016-05-11 10:21
一种半导体封装件及其制法,半导体封装件包括封装胶体、半导体元件、多个导电柱以及增层结构。封装胶体具有相对的第一与第二表面。半导体元件嵌埋于封装胶体内并具有相对的主动面与被动面,且主动面与封装胶体的第一表面同侧。导电柱嵌埋于封装胶体内,并具有相对的第一与第二端部以分别外露于封装胶体的第一及第二表面。增层结构形成于封装胶体的第一表面上,并电性连接半导体元件及导电柱的第一端部。藉此,本发明专利技术无须精准对位,便可将增层结构电性连接至导电柱。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种半导体封装件及其制法,特别是指一种以导电柱电性连接增层结构的半导体封装件及其制法。
技术介绍
目前具有增层(build-up)结构或扇出(fan-out)结构的半导体封装件中,常见于封装胶体内形成多个贯穿孔,并于该封装胶体上与该些贯穿孔内形成线路层以电性连接增层结构的导电盲孔,但需对该些贯穿孔与该些导电盲孔进行精准对位。图1A至图1H为绘示现有技术的半导体封装件1及其制法的剖视示意图。如图1A所示,先提供第一承载板10,并设置具有多个焊垫111及相对的主动面11a与被动面11b的晶片11于该第一承载板10上。接着,形成具有相对的第一表面12a与第二表面12b的封装胶体12于该第一承载板10上,以包覆该晶片11并外露出该晶片11的被动面11b。如图1B所示,设置第二承载板13于该晶片11的被动面11b上,并将图1B的整体结构上下倒置,且移除该第一承载板10。如图1C所示,形成增层结构14于该晶片11的主动面11a与该封装胶体12的第一表面12a上。该增层结构14具有至少一介电层141、多个形成于该介电层141内的导电盲孔142、及至少一形成于该介电层141上的第一线路层143,且该第一线路层143具有多个电性接触垫144。接着,形成第一绝缘保护层15于该增层结构14上,并形成多个凸块底下金属层151于该第一绝缘保护层15上以分别电性连接该些电性接触垫144。如图1D所示,形成具有剥离层161的第三承载板16于该第一绝缘保护层15上。如图1E所示,将图1D的整体结构上下倒置,并移除该第二承载板13。如图1F所示,藉由激光于该封装胶体12内形成多个分别精准对位至该些导电盲孔142的端部122的贯穿孔121,且该些贯穿孔121贯穿该封装胶体12以分别外露出该些导电盲孔142的端部122。如图1G所示,形成晶种层(seedlayer)17于该晶片11的被动面11b、该封装胶体12的第二表面12b及该些贯穿孔121的壁面上,并形成第二线路层171于部分该晶种层17上以电性连接该些导电盲孔142的端部122。之后,移除对应于该第二线路层171以外的晶种层17。如图1H所示,形成第二绝缘保护层18于该晶片11的被动面11b与该封装胶体12的第二表面12b上,该第二绝缘保护层18具有多个开孔181以外露出该第二线路层171。之后,形成多个焊球19于该些凸块底下金属层151上,藉此形成半导体封装件1。上述现有技术的缺点在于:当欲形成图1F所示的贯穿孔121时,因该增层结构14的导电盲孔142隐藏于该封装胶体12的第一表面12a下方,使得该激光无法自该封装胶体12的第二表面12b精准对位至该些导电盲孔142的端部122,以致该激光所形成的贯穿孔121易偏离该些导电盲孔142的端部122而对位至该介电层141上,并易导致该些贯穿孔121的孔径123大于该些导电盲孔142的端部122的截面积,从而破坏该些导电盲孔142周围的介电层141。同时,图1G的贯穿孔121内的晶种层17与导电盲孔142的端部122的接触面积太小,以致该晶种层17上的第二线路层171与该些导电盲孔142的端部122之间的导电能力不佳。此外,需增设图1D的第三承载板16于该第一绝缘保护层15上,以致需增加该第三承载板16的材料成本及制程,且该半导体封装件1的制程过于繁琐复杂而不利于实作。因此,如何克服上述现有技术的问题,实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种半导体封装件及其制法,无须精准对位,便可将增层结构电性连接至导电柱。本专利技术的半导体封装件包括:封装胶体,其具有相对的第一表面与第二表面;半导体元件,其嵌埋于该封装胶体内并具有相对的主动面与被动面,且该主动面外露于该封装胶体的第一表面;多个导电柱,其嵌埋于该封装胶体内,且该导电柱具有相对的第一端部与第二端部以分别外露于该封装胶体的第一表面及第二表面;以及增层结构,其形成于该封装胶体的第一表面上,并电性连接该半导体元件及该些导电柱的第一端部。本专利技术另提供一种半导体封装件的制法,其包括:嵌埋半导体元件及多个导电柱于一具有相对的第一表面与第二表面的封装胶体内,其中,该半导体元件具有相对的主动面与被动面,且该主动面外露于该封装胶体的第一表面,该导电柱具有相对的第一端部与第二端部,并令该些导电柱的第一端部外露于该封装胶体的第一表面;以及形成增层结构于该封装胶体的第一表面上,且该增层结构电性连接该半导体元件及该些导电柱的第一端部。上述导电柱可为圆柱体、椭圆柱体、方形柱体、多边形柱体或球形柱体,且该导电柱的材质可为金、银、铜、锡、镍或其任意组合的合金。上述半导体封装件的制法可包括:提供第一承载板且其上设置有该半导体元件,该主动面面向该第一承载板;设置该些导电柱于该第一承载板上,该第一端部面向该第一承载板;形成该封装胶体于该第一承载板上以嵌埋该半导体元件及该些导电柱于该封装胶体内,并自该封装胶体的第二表面外露出该些导电柱的第二端部;以及移除该第一承载板,以自该封装胶体的第一表面外露出该半导体元件的主动面及该些导电柱的第一端部。上述第一承载板可具有剥离层,且该半导体元件、导电柱与封装胶体位于该剥离层上。上述半导体封装件的制法可包括:自该第二表面薄化该封装胶体与该些导电柱以外露出该半导体元件的被动面。上述半导体封装件的制法可包括:在移除该第一承载板之前,先设置第二承载板于该封装胶体的第二表面上。上述半导体封装件及其制法可包括:形成第一线路层于该封装胶体的第二表面上以电性连接该些导电柱的第二端部。上述半导体封装件及其制法可包括:在嵌埋该些导电柱于该封装胶体内之前,先形成第一线路层于该封装胶体的第二表面上;或者,在嵌埋该些导电柱于该封装胶体内的同时,一并形成第一线路层于该封装胶体的第二表面上。上述半导体封装件及其制法可包括:形成第一绝缘保护层于该半导体元件的被动面与该封装胶体的第二表面上以包覆该第一线路层,该第一绝缘保护层具有多个第一开孔以外露出部分该第一线路层。上述增层结构可具有至少一介电层、多个形成于该介电层内的导电盲孔、及至少一形成于该介电层上并电性连接该些导电盲孔的第二线路层,该第二线路层具有多个电性接触垫。上述半导体封装件及其制法可包括:形成第二绝缘保护层于最外层的该本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种半导体封装件,其包括:封装胶体,其具有相对的第一表面与第二表面;半导体元件,其嵌埋于该封装胶体内并具有相对的主动面与被动面,且该主动面外露于该封装胶体的第一表面;多个导电柱,其嵌埋于该封装胶体内,且该导电柱具有相对的第一端部与第二端部以分别外露于该封装胶体的第一表面及第二表面;以及增层结构,其形成于该封装胶体的第一表面上,并电性连接该半导体元件及该些导电柱的第一端部。

【技术特征摘要】
2014.09.12 TW 1031315091.一种半导体封装件,其包括:
封装胶体,其具有相对的第一表面与第二表面;
半导体元件,其嵌埋于该封装胶体内并具有相对的主动面与被动
面,且该主动面外露于该封装胶体的第一表面;
多个导电柱,其嵌埋于该封装胶体内,且该导电柱具有相对的第
一端部与第二端部以分别外露于该封装胶体的第一表面及第二表面;
以及
增层结构,其形成于该封装胶体的第一表面上,并电性连接该半
导体元件及该些导电柱的第一端部。
2.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征为,该导电柱为圆
柱体、椭圆柱体、方形柱体、多边形柱体或球形柱体。
3.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征为,该导电柱的材
质为金、银、铜、锡、镍或其任意组合的合金。
4.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征为,该半导体封装
件还包括第一线路层,其形成于该封装胶体的第二表面上以电性连接
该些导电柱的第二端部。
5.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征为,该半导体封装
件还包括第一绝缘保护层,其形成于该半导体元件的被动面与该封装
胶体的第二表面上以包覆该第一线路层,且该第一绝缘保护层具有多
个第一开孔以外露出部分该第一线路层。
6.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征为,该增层结构具
有至少一介电层、多个形成于该介电层内的导电盲孔、及至少一形成
于该介电层上并电性连接该些导电盲孔的第二线路层,且该第二线路
层具有多个电性接触垫。
7.如权利要求6所述的半导体封装件,其特征为,该半导体封装
件还包括第二绝缘保护层,其形成于最外层的该介电层与该第二线路
层上,且该第二绝缘保护层具有多个第二开孔以外露出最外层的该第
二线路层的电性接触垫。
8.如权利要求7所述的半导体封装件,其特征为,该半导体封装
件还包括多个凸块底下金属层与多个焊球,该些凸块底下金属层分别
形成于该些第二开孔所外露的电性接触垫上,且该些焊球分别形成于
该些凸块底下金属层上。
9.一种半导体封装件的制法,其包括:
嵌埋半导体元件及多个导电柱于一具有相对的第一表面与第二表
面的封装胶体内,其中,该半导体元件具有相对的主动面与被动面,
且该主动面外露于该封装胶体的第一表面,该导电柱具有相对的第一
端部与第二端部,并令该些导电柱的第一端部外露于该封装胶体的第
一表面;以及
形成增层结构于该封装胶体的第一表面上,且该增层结构电性连
接该半导体元件及该些导电柱的第一端部。
10.如权利要求9所述的半导体封装件的制法,其特征为,该导电
柱为圆柱体、椭圆柱体、方形柱体、多边形柱体或球形柱...

【专利技术属性】
技术研发人员:许习彰戴瑞丰吕长伦陈仕卿
申请(专利权)人:矽品精密工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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