本发明专利技术实施例公开了一种电光晶体半波电场及响应特性测量装置及方法，包括电压发生装置、信号处理装置、两个完全相同的金属极板和由光纤依次连接的激光源、起偏器、电光晶体、检偏器和光电探测器，两个所述金属极板水平方向上平行、且贴紧所述电光晶体的上下表面，其中一个所述金属极板接地，所述电压发生装置和所述信号处理装置均与另一个所述金属极板电连接，所述光电探测器与所述信号处理装置电连接。本发明专利技术用于测量各种电光晶体的半波电场和响应特性，对于研究光纤电压传感器具有十分重要的作用，为传感器的材料选取、尺寸设计等提供重要理论支撑。测量方法直接有效，测量装置便于搭建，结构简单，便于推广和应用。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及电压及电场智能感知
，特别是设及一种电光晶体半波电场及 相应特性测量装置及方法。
技术介绍
电压互感器在电力系统中有着重要的应用，是电力系统监测基本设备之一。随着 当今社会对电力需求的增长和电能质量的提高，电力系统正朝着超/特高压、大容量的趋势 发展。而普遍使用的传统电磁式电压互感器在高压情况下，存在易受电磁干扰、绝缘结构复 杂、造价高、体积庞大、存在铁磁饱和W及爆炸危险等缺陷。 光纤电压传感器引入光学器件作为一次部分的传感头，没有铁忍和线圈，不存在 电磁禪合，W光纤作为传输介质，有效克服了传统电磁式电压互感器的缺点。与传统电磁式 电压互感器相比，具有安全性、可靠性、稳定性、电磁兼容性，频率响应宽、动态范围大，无火 灾爆炸等危险，体积小、智能化等优点。 光纤电压传感器的一个核屯、部分则是电光晶体，通过电光晶体实现电信号到光信 号之间的有效转换，选取合适的电光晶体直接影响到光纤电压传感器的工作性能，目前对 于应用在光纤电压传感器的电光晶体材料及性质的研究仍处于发展阶段。
技术实现思路
本专利技术实施例中提供了，W解 决现有技术中根据电光晶体的材料和性质选取电光晶体不合适，而直接影响光纤电压传感 器的工作性能问题。 为了解决上述技术问题，本专利技术实施例公开了如下技术方案： 第一方面，本专利技术提供了一种电光晶体半波电场及响应特性测量装置，所述装置 包括电压发生装置、信号处理装置、两个完全相同的金属极板和由光纤依次连接的激光源、 起偏器、电光晶体、检偏器和光电探测器，两个所述金属极板水平方向上平行、且贴紧所述 电光晶体的上下表面，其中一个所述金属极板接地，所述电压发生装置和所述信号处理装 置均与另一个所述金属极板电连接，所述光电探测器与所述信号处理装置电连接。 优选地，所述测量装置还包括高度可调的绝缘支柱和光学隔振平台，所述绝缘支 柱一端面上设置所述电光晶体及所述金属极板，所述激光源、起偏器、绝缘支柱、检偏器和 光电探测器依次固定设置于所述光学隔振平台上，且所述激光源、起偏器、检偏器、电光晶 体和光电探测器的中屯、位于同一水平线上。 优选地，所述电压发生装置包括任意函数电压发生器和高压放大器，所述任意函 数电压发生器输出端与所述高压放大器输入端连接，所述高压放大器输出端与所述金属极 板的正极电连接。 优选地，所述信号处理装置包括标准分压器和多通道示波器，所述多通道示波器 与所述光电探测器输出端电连接，所述标准分压器输入端与所述金属极板的正极电连接， 所述标准分压器输出端与所述多通道示波器电连接。 优选地，所述起偏器的通光轴角度为45°，所述起偏器和所述检偏器呈彼此正交设 置，且所述起偏器和所述检偏器之间设置有四分之一波片。 优选地，所述电光晶体包括妮酸裡晶体。 另一方面，本专利技术还提供了一种电光晶体半波电场及响应特性测量方法，包括W 下步骤： 电压发生装置输出电压，在电光晶体两端形成电场； 激光源输出激光光束，通过起偏器后入射至所述电光晶体上，所述电光晶体在外 部电场作用下折射率变化，出现感应电光轴； 调整所述起偏器的通光轴角度，使入射激光的偏振面与所述感应电光轴成45% 激光光束经过电场调制成光信号，通过光纤传送至光电探测器； 所述光电探测器将光信号转换为电压信号，并输出所述电压信号； 信号处理装置测量接收到的所述电压信号，并对所述电压信号处理及显示。 优选地，所述电压发生装置输出电压，在电光晶体周围形成电场，包括： 调节任意函数电压发生器，输出所需电压波形； 设置所述任意函数电压发生器输出幅值与高压放大器放大倍数，得到所述电光晶 体两端的电压。 优选地，所述信号处理装置测量接收到的电压信号，包括： 设置标准分压器的分压比； 在多通道示波器上监测实际外施电压，并与所述电压信号对比。 由W上技术方案可见，本专利技术实施例提供的一种电光晶体半波电场及相应特性测 量方法及装置，电光晶体半波电场及相应特性测量装置包括：电压发生装置、信号处理装 置、两完全相同的金属极板和由光纤依次连接的激光源、起偏器、电光晶体、检偏器和光电 探测器，所述两金属极板水平方向上平行且贴紧所述电光晶体的上下表面，其中一所述金 属极板接地，所述电压发生装置和所述信号处理装置均与另一所述金属极板电连接，所述 光电探测器与所述信号处理装置电连接。 本专利技术的测量方法包括：电压发生装置输出电压，在电光晶体两端形成电场;激光 源输出激光光束，通过起偏器后入射至电光晶体上，电光晶体在外部电场作用下折射率变 化，出现感应电光轴;设定起偏器的通光轴角度，使入射激光的偏振面与所述感应电光轴成 45%激光光束经过电场调制，通过光纤传送至光电探测器;光电探测器将光信号转换为电 压信号，并输出所述电压信号;信号处理装置测量接收到的所述电压信号。 本专利技术用于测量各种电光晶体的半波电场和响应特性，对于研究光纤电压传感器 具有十分重要的作用，为传感器的材料选取、尺寸设计等提供重要理论支撑。测量方法直接 有效，测量装置便于搭建，结构简单，便于推广和应用。【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而 言，在不付出创造性劳动的前提下，还可W根据运些附图获得其他的附图。 图1为本专利技术实施例提供的一种电光晶体半波电场及响应特性测量装置的结构示 意图； 图2为本专利技术实施例提供的一种电光晶体半波电场及响应特性测量装置的原理示 意图； 图3为本专利技术实施例提供的一种对电光晶体进行横向调制的示意图； 图1-图3,符号表示： 1-激光源，2-起偏器，3-检偏器，4-光电探测器，5-绝缘支柱，6-金属极板，7-任意 函数电压发生器，8-高压放大器，9-多通道示波器，10-标准分压器，11-光学隔振平台，12-电光晶体，13-四分之一波片。【具体实施方式】 为了使本
的人员更好地理解本专利技术中的技术方案，下面将结合本专利技术实 施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施 例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通 技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护 的范围。 参见图1，图1为本专利技术实施例提供的一种电光晶体半波电场及响应特性测量装置 的结构示意图，所述装置包括电压发生装置、信号处理装置、两个完全相同的金属极板6和 由光纤依次连接的激光源1、起偏器2、电光晶体12、检偏器3和光电探测器4,两个所述金属 极板6水平方向上平行、且贴紧所述电光晶体12的上下表面，其中一个所述金属极板6接地， 所述电压发生装置和所述信号处理装置均与另一个所述金属极板6电连接，所述光电探测 器4与所述信号处理装置电连接。 所述激光源1可发射各种波长的平行激光，所述光电探测器4可探测各种波长激光 的光功率，并将其转换为能用示波器直接测量的电压信号;所述金属极板6的尺寸可W根据 被测电光晶体12尺寸调节，极板间高度可调节。 本专利技术中所述电光晶体12采用妮酸裡晶体。不同电光晶体12在相同外加电场下的 电光效应强弱是不同的，选择适当电光系数的妮酸裡晶体可W在保证较大本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电光晶体半波电场及响应特性测量装置，其特征在于，包括：电压发生装置、信号处理装置、两个完全相同的金属极板(6)和由光纤依次连接的激光源(1)、起偏器(2)、电光晶体(12)、检偏器(3)和光电探测器(4)，两个所述金属极板(6)水平方向上平行、且贴紧所述电光晶体(12)的上下表面，其中一个所述金属极板(6)接地，所述电压发生装置和所述信号处理装置均与另一个所述金属极板(6)电连接，所述光电探测器(4)与所述信号处理装置电连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘红文，王科，
申请(专利权)人：云南电网有限责任公司电力科学研究院，
类型：发明
国别省市：云南;53
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