具有冷却真空密闭体的热壁反应器制造技术

于此提供用于处理基板的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备包含室主体，该室主体封闭处理空间，该室主体包括室地板、与该室地板耦合的室壁、及与该室壁可移除地耦合的室盖，其中该室地板、该室壁及该室盖的至少一者包括用于热控制介质的流动的通路；加热板，该加热板与该室地板相邻且间隔开来设置；套管，该套管与该室壁相邻且间隔开来设置，该套管由该加热板而受支持；及第一密封性元件，该第一密封性元件在该室壁及该室盖间的第一界面处设置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】具有冷却真空密闭体的热壁反应器 领域 本专利技术的实施方式一般设及基板处理仪器。 戦 基板处理系统，例如等离子体反应器，可用于在处理室内受支持的基板上沉积、蚀 亥IJ、或形成层。一些处理系统可包含提供真空边界及热内壁的室。真空边界通常包含在室的 组件部件间的密封性元件，W利于形成真空紧密的密封。专利技术人观察来自热壁的热可负面 地冲击使用的密封的效能。[000引因此，专利技术人于此提供基板处理室及室组件的实施方式，所述室组件可提供密封 改进的效能或其他如下述的益处。 遮述 ^提供用于处理基板的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备 包含室主体，该室主体封闭处理空间，该室主体包括室地板、与该室地板禪合的室壁、及与 该室壁可移除地禪合的室盖，其中该室地板、该室壁及该室盖的至少一者包括用于热控制 介质的流动的通路;加热板，该加热板与该室地板相邻且间隔开来设置;套管，该套管与该 室壁相邻且间隔开来设置，该套管藉由该加热板而受支持;及第一密封性元件，该第一密封 性元件在该室壁及该室盖间的第一界面处设置。 在一些实施方式中，提供套管。在一些实施方式中，该套管包含室衬垫，该室衬垫 包括下管道，该下管道由内壁、外壁、上壁、及下壁来界定边界;及累送环，该累送环包括由 网状物而结合的上凸缘及下凸缘，该网状物包括多个开口；其中该上凸缘由该上壁而受支 持，且该下凸缘由该内壁的上端而受支持，使得该累送环、该外壁、及该上壁形成上管道的 边界。 W下描述本专利技术的其他及进一步的实施方式。 附图简要说明 本专利技术的实施方式，简短总结于上及讨论大量细节于下，可通过参考描述于附图 中的本专利技术的图示实施方式而理解。然而应注意，所附附图仅图示本专利技术的典型实施方式， 因而不考虑限制其范围，本专利技术可允许其他同等有效的实施方式。 图1描述根据本专利技术的实施方式的基板处理设备的侧面示意视图。 图2描述根据本专利技术的实施方式的反应器的一部分的简化横截面视图。 图3描述图2的反应器的一部分的部分横截面示意视图。[001引为了利于理解，在可能之处使用相同标号，W标示对附图常见的相同元件。附图并 非按比例绘制且可简化W阐明。思量一个实施方式的元件及特征可有益地并入其他实施方 式中而无须进一步的叙述。 具体描述 于此公开用于处理基板的方法及设备。专利技术的设备通过提供用于工艺气体及副产 物的可移除式流体路径，可有利地加强用于处理基板的热壁反应器的效能。专利技术的设备也 可加强在热壁反应器中的密封性元件的效能。 图1描述根据本专利技术的一些实施方式的热壁反应器，反应器100(例如，基板处理 室），的侧面示意视图。反应器100可为任何适于实施一个或更多个基板处理的反应器，举例 但不限于沉积处理，例如化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、诸如此类。反应器可为独立 操作的反应器或群集工具的一部分，例如下列其中一者:CENTURA饭、PRODUCER?:、 或加州Santa Clara的Applied Materials公司所供应的BNDU反A⑥群集工具。 在一些实施方式中，反应器100可一般地包含室主体102,包括室地板104、室壁106 及室盖108而封闭处理空间103。室主体102的组件，包含室地板104、室壁106、及室盖108,可 由任何处理可兼容的材料形成，例如侣或不诱钢。 室盖108与室壁106可移除地禪合，室壁106的顶部边缘110及室盖108的底部表面 112形成第一界面114。使用任何禪合元件或经配置W拖引室盖108往室壁106W形成第一接 口 114的元件（未示出），室盖108可与室壁106禪合。另外，室盖108可通过重力及在反应器 100操作期间由处理空间103内的真空环境所产生的力而静置于室壁106上。可在形成于第 一界面114处的凹部或沟槽118中设置密封性元件116。沟槽118可在顶部边缘110中形成、在 底部表面112中形成、或部分在顶部边缘110中形成且部分在底部表面112中形成。 在一些实施方式中，具有一个或更多个加热元件111的盖加热器109可禪合或设置 相邻于室盖108的面对处理室部分，W加热室盖108的面对处理室部分。 如图1中所图示，室壁106与室地板104相邻，且由室地板104而受支持。室地板104 及室壁106可形成为一个部件或形成为分开的部件，如所示。在室地板104及室壁106为分开 的部件的实施方式中，室壁106的底部边缘120静置于室地板104的顶部表面122上，形成第 二界面124。可在形成于第二界面124处的凹部或沟槽128中设置密封性元件126。沟槽128可 在底部边缘120中形成、在顶部表面122中形成、或部分在底部边缘120中形成且部分在顶部 表面122中形成。使用传统固定器，如举例:螺钉或螺栓、或结合技术，如举例:硬焊或焊接， 室壁106可与室地板104结合。 加热板132可设置于处理空间103内相邻于室地板104的顶部表面122。一个或更多 个突起物133维持介于顶部表面122及加热板132间的第一空隙129。突起物133可形成于或 设置于加热板132的底面上、或可用任何合适形态形成于或设置于顶部表面122上、或可为 放置于加热板132及顶部表面122间的分开部件。加热板132可包含延伸穿过室地板104的公 用馈送件(馈送件154)。馈送件154可包含电引线155W提供电力至加热板132中的加热器元 件 156。 用于室的衬垫，例如套管134,包括外壁134A及内壁134B、上壁134C及下壁134D。套 管可设置而相邻于室壁106,且可由一个或更多个突起物135而维持与室壁106间隔开来且 一般地位于室壁106内的中央。套管134可由任何处理可兼容的材料形成，包含于非限定范 例中：侣、不诱钢、或陶瓷。在一些实施方式中，套管134的一个或更多个表面可被覆W防蚀 性包覆，例如儀锻。突起物135可形成于套管134的外壁134A上，或W任意合适形态形成于室 壁106的内表面上。所述突起物也可为放置于套管134及室壁106之间的分开部件，W利于维 持分隔开来(一般地位于中央)的关系。套管134可由加热板132而受支持。 室壁106可具有一个或更多个第一开口（示出一个开口 130A)W允许基板142被提 供给处理空间103及由处理空间103移除。套管134可包括相似数量的相似地配置的第二开 口（示出一个第二开口 130B)，所述第二开口与一个或更多个第一开口 130A对齐，W利于基 板进入及移出处理空间130的输送。可提供基板输送机制（未示出），例如机械手臂，W传送 基板穿过第一及第二开口 130A及130B进入及移出基板支持件140。第一开口 130A可选择地 经由狭缝阀146而密封，或经由其他用于选择地提供穿过第一及第二开口 130A及130B进出 反应器100的处理空间103的机制。 在一些实施方式中，套管134及加热板132整体地形成。在其他实施方式中，套管 134及加热板132分开地形成，如图1所图示。在一些实施方式中，外壁134A及室壁的内表面 为平行的或实质平行的且分隔开来，使得第二空隙136在外壁134A及室壁106之间形成。在 一些实施方式中，外壁134A及室壁106的内表面10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理基板的设备，包括：室主体，所述室主体封闭处理空间，所述室主体包括室地板、与所述室地板耦合的室壁、及与所述室壁可移除地耦合的室盖，其中所述室地板、所述室壁及所述室盖的至少一者包括用于热控制介质的流动的通路；加热板，所述加热板与所述室地板相邻且间隔开来设置；套管，所述套管与所述室壁相邻且间隔开来设置，所述套管由所述加热板而受支持；及第一密封性元件，所述第一密封性元件在所述室壁及所述室盖之间的第一界面处设置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔尔·M·休斯顿，阿伦·库瓦尔齐，迈克尔·P·卡拉津，约瑟夫·尤多夫斯凯，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US