一种多晶硅制备之立式炉管，包括：壳体，内设立式炉管的各功能部件；外石英管和内石英管，外石英管和内石英管之间形成气体通路；具有硅片的晶舟，晶舟上设置硅片，晶舟并承载在位于壳体内之底部的基座上；间隔独立设置的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路，第一进气管路、第二进气管路，第三进气管路之出气口分别位于晶舟的不同高度处；排气管路，设置在壳体一侧之底部。本发明专利技术通过设置独立且位于不同高度处的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路，并采用外石英管和内石英管的双管特定结构，不仅结构简单、工艺调整方便，而且极大的保证了工艺效率和提升了产品良率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造设备
，尤其涉及一种。
技术介绍
多晶娃(Poly-Si)在集成电路中广泛应用，被用作晶体管栅电极(TransistorGate Electrode)、电路互联(Interconnect1n Circuits)、电阻器(Resistor)等。随着集成电路向高集成度和低线宽发展，对多晶硅的要求越来严格。即要求多晶硅有高的表面平整度、好的填充吸附能力、硅片与硅片间均匀的晶粒大小。多晶硅的制备受温度和压力的影响，不同的温度和压力会得到不同大小晶粒分布和表面的平整度。一般500?570°C为不定形娃(Amorphous)，570?600°C为不定形娃和微晶(Microcrystal)，600?650°C为多晶娃(Poly Crystal)。当反应温度小于500°C时，生长速率过低而不能用于生产;而当温度大于650°C时，则表面平整度过于粗糙。通常地，多晶硅用炉管的低压化学气相沉积工艺(LPCVD)来制备。炉管制备多晶硅具有成本低、产量大，工艺安全等优点。炉管为批量的生产，通常一个批次100片硅片，并在晶舟上设置监控片、当控片、产品片三种，且需要保证100片硅片的多晶硅厚度和晶粒大小均匀度一致。但是，传统的炉管中同批次的硅片虽然压力一致，但是晶舟不同位置上温度具有差异，则硅片在不同的反应温度下获得的多晶硅之晶粒大小不一。另一方面，在本领域通常通过所述监控片的数据来监控和推测产品片的数据。在各点温度相同时，由于特气的消耗，导致特气气体在晶舟的上、中、下不同位置附件的浓度不一样，进而导致位于晶舟上、中、下的3片监控片厚度存在差异。为了消除晶舟三个位置的厚度差异，现有的方式是通过改变所述三个位置附件的温度设定。即，增加厚度低的位置处的温度，降低厚度高的位置处的温度。同时，温度的差异势必使得多晶硅晶粒均匀度受到影响。寻求一种结构简单、工艺方便，且能制备表面平整度高、填充吸附能力好、晶粒大小均一的立式炉管已成为本领域技术人员亟待解决的技术问题之一。故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本专利技术一种。
技术实现思路
本专利技术是针对现有技术中，传统的炉管中同批次的硅片虽然压力一致，但是晶舟不同位置上温度具有差异，进而导致多晶硅之晶粒大小不一;或是在各点温度相同时，由于特气的消耗，导致浓度不一样，进而使得多晶硅晶粒均匀度受到影响等缺陷提供一种多晶硅制备之立式炉管。本专利技术之又一目的是针对现有技术中，传统的炉管中同批次的硅片虽然压力一致，但是晶舟不同位置上温度具有差异，进而导致多晶硅之晶粒大小不一;或是在各点温度相同时，由于特气的消耗，导致浓度不一样，进而使得多晶硅晶粒均匀度受到影响等缺陷提供一种利用所述立式炉管制备多晶硅的方法。为实现本专利技术之第一目的，本专利技术提供一种多晶硅制备之立式炉管，所述多晶硅制备之立式炉管，包括:壳体，内设多晶硅制备之立式炉管的各功能部件;外石英管和内石英管，所述外石英管和所述内石英管之间形成气体通路;具有硅片的晶舟，所述晶舟上设置硅片，所述晶舟并承载在位于所述壳体内之底部的基座上；间隔独立设置的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路，所述第一进气管路、所述第二进气管路，以及所述第三进气管路之出气口分别位于所述晶舟的不同高度处;排气管路，设置在所述壳体之异于所述第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路的一侧之底部。可选地，所述第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路均为多晶硅制备之反应特气管路。可选地，所述反应特气管路内流通之反应特气为硅烷气体。可选地，所述多晶硅制备之立式炉管内的温度为550?630°C。可选地，所述多晶硅制备之立式炉管内的工艺气压为0.2?ITorr。可选地，所述第一进气管路之出气口位于所述晶舟之底部基座高度处，所述第二进气管路之出气口位于所述晶舟之三分一的高度处，所述第三进气管路之出气口位于所述晶舟之三分二的高度处。为实现本专利技术之又一目的，本专利技术提供一种多晶硅制备之立式炉管制备多晶硅的方法，所述多晶硅制备之立式炉管制备多晶硅的方法，包括:执行步骤S1:将硅片设置在位于所述立式炉管内的晶舟上；执行步骤S2:在保持所述第一进气管路之反应特气流量不变时，通过调整所述第二进气管路和所述第三进气管路之反应特气流量，进而改变所述晶舟之不同位置处的反应特气浓度。可选地，所述晶舟之不同位置处的反应特气浓度均匀。综上所述，本专利技术多晶硅制备之立式炉管通过设置独立且位于所述晶舟之不同高度处的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路，并采用外石英管和内石英管的双管特定结构，不仅结构简单、工艺调整方便，而且极大的保证了工艺效率和提升了产品良率。【附图说明】图1所示为本专利技术多晶硅制备之立式炉管的结构示意图；图2所示为通过本专利技术多晶硅制备之立式炉管制备多晶硅的方法流程图。【具体实施方式】为详细说明本专利技术创造的
技术实现思路
、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。多晶娃(Poly-Si)在集成电路中广泛应用，被用作晶体管栅电极(TransistorGate Electrode)、电路互联(Interconnect1n Circuits)、电阻器(Resistor)等。随着集成电路向高集成度和低线宽发展，对多晶硅的要求越来严格。即要求多晶硅有高的表面平整度、好的填充吸附能力、硅片与硅片间均匀的晶粒大小。多晶硅的制备受温度和压力的影响，不同的温度和压力会得到不同大小晶粒分布和表面的平整度。一般500?570°C为不定形娃(Amorphous)，570?600°C为不定形娃和微晶(Microcrystal)，600?650°C为多晶娃(Poly Crystal)。当反应温度小于500°C时，生长速率过低而不能用于生产;而当温度大于650°C时，则表面平整度过于粗糙。通常地，多晶硅用炉管的低压化学气相沉积工艺(LPCVD)来制备。炉管制备多晶硅具有成本低、产量大，工艺安全等优点。炉管为批量的生产，通常一个批次100片硅片，并在晶舟上设置监控片、当控片、产品片三种，且需要保证100片硅片的多晶硅厚度和晶粒大小均匀度一致。但是，传统的炉管中同批次的硅片虽然压力一致，但是晶舟不同位置上温度具有差异，则硅片在不同的反应温度下获得的多晶硅之晶粒大小不一。另一方面，在本领域通常通过所述监控片的数据来监控和推测产品片的数据。在各点温度相同时，由于特气的消耗，导致特气气体在晶舟的上当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种多晶硅制备之立式炉管，其特征在于，所述多晶硅制备之立式炉管，包括：壳体，内设多晶硅制备之立式炉管的各功能部件；外石英管和内石英管，所述外石英管和所述内石英管之间形成气体通路；具有硅片的晶舟，所述晶舟上设置硅片，所述晶舟并承载在位于所述壳体内之底部的基座上；间隔独立设置的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路，所述第一进气管路、所述第二进气管路，以及所述第三进气管路之出气口分别位于所述晶舟的不同高度处；排气管路，设置在所述壳体之异于所述第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路的一侧之底部。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：江润峰，孙天拓，陆叶涛，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。