LED芯片及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种LED芯片及其形成方法。该LED芯片包括：LED管芯，LED管芯包括衬底、形成在衬底之上的第一半导体层、形成在第一半导体之上的量子阱层和形成在量子阱层之上的第二半导体层，其中，第一半导体层包括第一区域和环绕第一区域的第二区域，量子阱层形成在第一区域之上；第一电极，第一电极形成在第二区域之上；第二电极，第二电极形成在第二半导体层之上；以及封装支架，封装支架具有导电基板、第一导电端和与导电基板相连的第二导电端，其中，LED管芯设置在导电基板之上，且第一导电端与第二电极相连，导电基板与第一电极相连。本发明专利技术中第一电极环绕第二电极，能够有效增强电流扩散均匀性，提高LED发光效率，增加芯片寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED (Light Emitting D1de,发光二极管)制造
，具体涉及一种LED芯片及其形成方法。
技术介绍
LED有长寿命，无污染，低功耗等特点，它作为一种绿色环保灯具已经在逐步推广使用并得到广泛认可。目前使用的LED芯片包括LED管芯和支架。其中，LED管芯通常采用绝缘的蓝宝石为衬底，因而其PN电极结构是水平的。此种结构的LED芯片后期经过封装形成灯珠，才能应用在灯具上。常规的封装工艺需要用固晶胶将芯片固定在支架上，并在正负电极位置焊接金线引出导线至支架电极上，如图1所示。上述技术中，具有蓝宝石衬底的、双电极水平结构的LED芯片的电流扩散不均匀，易造成电流拥堵效应，不仅会降低发光效率，而且会降低芯片的使用寿命。芯片在后期封装过程中，固晶胶若采取普通的绝缘白胶，则封装后成品散热效果不佳；固晶胶若采用散热较好的导电银胶，则易出现固晶时导电银胶高度过高，造成芯片漏电。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的目的在于提出一种具有电流扩散均匀性好、发光效率高、使用寿命长的LED芯片及其形成方法。根据本专利技术第一方面实施例的LED芯片，可以包括:LED管芯，所述LED管芯包括衬底、形成在所述衬底之上的第一半导体层、形成在所述第一半导体之上的量子阱层和形成在所述量子阱层之上的第二半导体层，其中，所述第一半导体层包括第一区域和环绕所述第一区域的第二区域，所述量子阱层形成在所述第一区域之上；第一电极，所述第一电极形成在所述第二区域之上；第二电极，所述第二电极形成在所述第二半导体层之上；以及封装支架，所述封装支架具有导电基板、第一导电端和与所述导电基板相连的第二导电端，其中，所述LED管芯设置在所述导电基板之上，且所述第一导电端与所述第二电极相连，所述导电基板与所述第一电极相连。根据本专利技术实施例的LED芯片中，第一电极位于芯片表面的边缘位置，第二电极位于芯片表面的中心位置，第一电极环绕第二电极，该设计有效增强电流扩散均匀性，提高LED发光效率，增加芯片寿命。另外，根据本专利技术上述实施例的LED芯片还可以具有如下附加的技术特征:在本专利技术的一个实施例中，所述第一电极和所述导电基板之间通过导电体相连，所述导电体围绕所述LED管芯的侧壁设置。在本专利技术的一个实施例中，所述导电体为导电银胶。在本专利技术的一个实施例中，所述第一导电端和所述第二电极之间通过金线焊接相连。在本专利技术的一个实施例中，还包括:形成在所述第二电极和所述第二半导体层之间的透明导电层，其中，所述透明导电层的尺寸小于或等于所述第二半导体层的尺寸。根据本专利技术第二方面实施例的LED芯片的形成方法，可以包括步骤:提供LED管芯，所述LED管芯包括衬底、形成在所述衬底之上的第一半导体层、形成在所述第一半导体之上的量子阱层和形成在所述量子阱层之上的第二半导体层，其中，所述第一半导体层包括第一区域和环绕所述第一区域的第二区域，所述量子阱层形成在所述第一区域之上；在所述第二区域之上形成第一电极；在所述第二半导体层之上形成第二电极；以及将所述LED管芯设置在封装支架的导电基板之上，其中，所述封装支架具有第一导电端和与所述导电基板相连的第二导电端，其中，所述第一导电端与所述第二电极相连，所述导电基板与所述第一电极相连。根据本专利技术实施例的方法得到的LED芯片中，第一电极位于芯片表面的边缘位置，第二电极位于芯片表面的中心位置，第一电极环绕第二电极，该设计有效增强电流扩散均匀性，提高LED发光效率，增加芯片寿命。另外，根据本专利技术上述实施例的LED芯片的形成方法还可以具有如下附加的技术特征:在本专利技术的一个实施例中，通过导电体连接所述第一电极和所述导电基板，所述导电体围绕所述LED管芯的侧壁设置。在本专利技术的一个实施例中，所述导电体为导电银胶。在本专利技术的一个实施例中，通过以下步骤实现将所述LED管芯设置所述导电基板之上，并且实现所述第一电极和所述导电基板的连接:将所述LED管芯的底部与所述导电基板顶部相对设置；向所述LED管芯与所述导电基板之间注入导电银胶前体，并且沿着所述LED芯管的侧壁附着导电银胶前体；和将所述导电银胶前体固化为导电银胶。在本专利技术的一个实施例中，通过以下步骤实现将所述LED管芯设置所述导电基板之上，并且实现所述第一电极和所述导电基板的连接:在所述导电基板顶部设置导电银胶前体；向所述导电银胶前体中压入所述LED管芯，以使所述导电银胶前体的一部分存留于所述LED管芯与所述导电基板之间，另一部分从侧面溢出后围绕所述LED管芯的侧壁；和将所述导电银胶前体固化为导电银胶。在本专利技术的一个实施例中，通过金线焊接所述第一导电端和所述第二电极。在本专利技术的一个实施例中，还包括步骤:在所述第二电极和所述第二半导体层之间形成透明导电层，其中，所述透明导电层的尺寸小于或等于所述第二半导体层的尺寸。【附图说明】图1是现有技术的LED芯片的结构示意图。图2是本专利技术一个实施例的LED芯片的结构示意图。图3是本专利技术另一个实施例的LED芯片的结构示意图。图4是本专利技术又一个实施例的LED芯片的结构示意图。图5是本专利技术一个实施例的LED芯片的形成方法的流程示意图。图6a_6h是本专利技术一个实施例的LED芯片的形成方法的具体过程示意图。【具体实施方式】下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。下面参考附图2-图4描述本专利技术实施例的LED芯片。本专利技术一个实施例的LED芯片如图2所不，可以包括:LED管芯、第一电极105、第二电极106和封装支架。LED管芯包括衬底101、形成在衬底101之上的第一半导体层102、形成在第一半导体层102之上的量子阱层103和形成在量子阱层103之上的第二半导体层104。其中，第一半导体层102包括第一区域和环绕第一区域的第二区域。量子阱层103形成在第一区域之上。第一电极105形成在第二区域之上。第二电极106形成在第二半导体层104之上。封装支架具有导电基板201、第一导电端202和与导电基板201相连的第二导电端203。第一导电端202和第二导电端203是指封装支架中与外围电路正负导线分别相连的两个金属接触部分。其中，LED管芯设置在导电基板201之上，且第一导电端202与第二电极106相连，导电基板201与第一电极105相连。该实施例的LED芯片中，第一电极105位于芯片表面的边缘位置，第二电极106位于芯片表面的中心位置，第一电极105环绕第二电极106，该设计有效增强电流扩散均匀性，提高LED发光效率，增加芯片寿命。需要说明的是，尽管图中采用导线方式实现电学连接，但此处仅是为了示例的方便，而非本专利技术的限制。以及，LED管芯中还可以根据需要增设缓冲层、钝化保护层等常见结构。这些均为本领域技术人员的已知知识，本文不赘述。在本专利技术的另一个实施例中，如图3所示，第一电极105和导电基板201之间可以通过导电体204相连，该导电体204围绕LED管芯的侧壁设置，具体地，导电体204围绕LED管芯的衬底101的侧壁、第一半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片，其特征在于，包括：LED管芯，所述LED管芯包括衬底、形成在所述衬底之上的第一半导体层、形成在所述第一半导体之上的量子阱层和形成在所述量子阱层之上的第二半导体层，其中，所述第一半导体层包括第一区域和环绕所述第一区域的第二区域，所述量子阱层形成在所述第一区域之上；第一电极，所述第一电极形成在所述第二区域之上；第二电极，所述第二电极形成在所述第二半导体层之上；以及封装支架，所述封装支架具有导电基板、第一导电端和与所述导电基板相连的第二导电端，其中，所述LED管芯设置在所述导电基板之上，且所述第一导电端与所述第二电极相连，所述导电基板与所述第一电极相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张杰，彭遥，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44