【技术实现步骤摘要】
附载体铜箔、附载体铜箔的制造方法、印刷配线板用附载体铜箔及印刷配线板本申请是中国专利申请号为201380017079.2,专利技术名称为“附载体铜箔、附载体铜箔的制造方法、印刷配线板用附载体铜箔及印刷配线板”,申请日为2013年3月26日的中国专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种附载体铜箔、附载体铜箔的制造方法、印刷配线板用附载体铜箔及印刷配线板。更详细而言,本专利技术涉及一种作为印刷配线板或屏蔽材的材料所使用的附载体铜箔。
技术介绍
印刷配线板通常经过如下步骤制造:于使绝缘基板与铜箔接着而制成覆铜积层板之后,通过蚀刻而于铜箔面上形成导体图案。随着近年来的电子机器的小型化、高性能化需求的增大而发展搭载零件的高密度安装化或信号的高频化,从而对印刷配线板要求有导体图案的微细化(窄间距化)或高频应对等。最近,应对窄间距化而要求有厚度9μm以下、进而厚度5μm以下的铜箔,但此种极薄的铜箔的机械强度较低而容易于印刷配线板的制造时破裂或者产生褶皱,因此出现一种将具有厚度的金属箔用作载体,于其上经由剥离层电镀极薄铜层而成的附载体铜箔。附载体铜箔的通常的使用方法为:于使极薄铜层的表面贴合于绝缘基板并进行热压接之后,经由剥离层将载体剥离。此处,对于成为与树脂的接着面的附载体铜箔的极薄铜层的面,主要要求有:极薄铜层与树脂基材的剥离强度充分;而且于高温加热、湿式处理、焊接、化学品处理等之后仍充分保持该剥离强度。作为提高极薄铜层与树脂基材之间的剥离强度的方法,通常如下方法具有代表性:使大量粗化粒子附着于增大了表面轮廓(凹凸、粗糙度)的极薄铜层上。然而,若对印刷配线板之 ...
【技术保护点】
一种附载体铜箔,其依序积层有载体、中间层、极薄铜层,其特征在于:该附载体铜箔于该极薄铜层表面具有粗化处理层,于该粗化处理层上积层树脂层后,自该极薄铜层剥离该载体及该中间层,其后通过蚀刻去除该极薄铜层,此时,于积层于该粗化处理层上的树脂层之积层于该粗化处理层上之侧的表面中,具有转印该粗化处理层表面之凹凸而成之凹凸的树脂层粗化面其孔所占面积之总和为20%以上。
【技术特征摘要】
2012.03.26 JP 2012-0696601.一种附载体铜箔,其依序积层有载体、中间层、极薄铜层,其特征在于:该附载体铜箔于该极薄铜层表面具有粗化处理层,于该粗化处理层上积层树脂层后,自该极薄铜层剥离该载体及该中间层,其后通过蚀刻去除该极薄铜层,此时,于积层于该粗化处理层上的树脂层之积层于该粗化处理层上之侧的表面中,具有转印该粗化处理层表面之凹凸而成之凹凸的树脂层粗化面其孔所占面积之总和为20%以上。2.如权利要求1所述的附载体铜箔,其中,具有转印该粗化处理层表面之凹凸而成之凹凸的树脂层粗化面其孔所占面积之总和为29%以上。3.如权利要求1所述的附载体铜箔,其中,具有转印该粗化处理层表面之凹凸而成之凹凸的树脂层粗化面其孔所占面积之总和为40%以上。4.如权利要求1所述的附载体铜箔,其中,具有转印该粗化处理层表面之凹凸而成之凹凸的树脂层粗化面其孔所占面积之总和为43%以上。5.如权利要求1所述的附载体铜箔,其中,具有转印该粗化处理层表面之凹凸而成之凹凸的树脂层粗化面其孔所占面积之总和为51%以上。6.如权利要求1所述的附载体铜箔,其中,于将该粗化处理层的位于粒子长度的10%处的粒子根部的平均直径设为D1(μm),于将该粗化处理层的位于粒子长度的50%处的粒子中央的平均直径设为D2(μm)的情形时,该D2与该D1的比D2/D1为1~4。7.如权利要求1所述的附载体铜箔,其中,该粗化处理层的位于粒子长度的10%处的粒子根部的平均直径D1(μm)为0.2μm~1.0μm。8.如权利要求1所述的附载体铜箔,其具有以下的粗化处理层:该粗化处理层的位于粒子长度的10%处的粒子根部的平均直径D1与平均粒子长度L1的比L1/D1为3.33以上15以下。9.如权利要求1所述的附载体铜箔,其中,该粗化处理层的位于粒子长度的50%处的粒子中央的平均直径D2(μm)与该粗化处理层的位于粒子长度的90%处的粒子前端的平均直径D3(μm)的比D2/D3为0.8~1.0。10.如权利要求6所述的附载体铜箔,其中,该粗化处理层的位于粒子长度的50%处的粒子中央的平均直径D2(μm)与该粗化处理层的位于粒子长度的90%处的粒子前端的平均直径D3(μm)的比D2/D3为0.8~1.0。11.如权利要求1所述的附载体铜箔,满足一个或两个选自由以下(A)及(B)所组成的群中的项目,(A)该粗化处理层的位于粒子长度的50%处的粒子中央的平均直径D2为0.7~1.5μm;(B)该粗化处理层的位于粒子长度的90%处的粒子前端的平均直径D3为0.7~1.5μm。12.如权利要求6所述的附载体铜箔,满足一个或两个选自由以下(A)及(B)所组成的群中的项目,(A)该粗化处理层的位于粒子长度的50%处的粒子中央的平均直径D2(μm)为0.7~1.5μm;(B)该粗化处理层的位于粒子长度的90%处的粒子前端的平均直径D3(μm)为0.7~1.5μm。13.如权利要求7所述的附载体铜箔,满足一个或两个选自由以下(A)及(B)所组成的群中的项目,(A)该粗化处理层的位于粒子长度的50%处的粒子中央的平均直径D2为0.7~1.5μm;(B)该粗化处理层的位于粒子长度的90%处的粒子前端的平均直径D3为0.7~1.5μm。14.如权利要求8所述的附载体铜箔,满足一个或两个选自由以下(A)及(B)所组成的群中的项目,(A)该粗化处理层的位于粒子长度的50%处的粒子中央的平均直径D2为0.7~1.5μm;(B)该粗化处理层的位于粒子长度的90%处的粒子前端的平均直径D3为0.7~1.5μm。15.如权利要求1至14中任一项所述的附载体铜箔,其中,于该粗化处理层上具备树脂层。16.如权利要求1至14中任一项所述的附载体铜箔,其中,于该粗化处理层上具备一层以上选自由耐热-防锈层、铬酸盐皮膜层及硅烷偶合剂层组成的群中的层,该耐热-防锈层含有选自锌、镍、铜、磷、钴中的一种以上的元素。17.如权利要求1至14中任一项所述的附载体铜箔,其中,于该粗化处理层上具备含有选自锌、镍、铜、磷、钴中一种以上的元素的耐热-防锈层,于该耐热-防锈层上具备铬酸盐皮膜层。18.如权利要求1至14中任一项所述的附载体铜箔,其中,于该粗化处理层上具备含有选自锌、镍、铜、磷、钴中一种以上的元素的耐热-防锈层,于该耐热-防锈层上具备铬酸盐皮膜层,且于该铬酸盐皮膜层上具备硅烷偶合剂层。19.如权利要求16所述的附载体铜箔,其中,于选自由该耐热-防锈层、该铬酸盐皮膜层及该硅烷偶合剂层组成的群中的一个以上的层上,具备树脂层。20.如权利要求15所述的附载体铜箔,其中,该树脂层满足以下任一者或两者:(A)为接着用树脂,(B)为半硬化状态的树脂。21.如权利要求19所述的附载体铜箔,其中,该树脂层满足以下任一者或两者:(A)为接着用树脂,(B)为半硬化状态的树脂。22.如权利要求1至14中任一项所述的附载体铜箔,其中,该中间层是包含Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、或这些的合金、或这些的水合物、或这些的氧化物、或者有机物的任一种以上的层。23.如权利要求1至14中任一项所述的附载体铜箔,其中,该...
【专利技术属性】
技术研发人员:永浦友太,古曳伦也,森山晃正,
申请(专利权)人:JX日矿日石金属株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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