附载体铜箔、附载体铜箔的制造方法、印刷配线板用附载体铜箔及印刷配线板技术

技术编号:13156028 阅读:156 留言:0更新日期:2016-05-09 18:41
本发明专利技术涉及附载体铜箔、附载体铜箔的制造方法、印刷配线板用附载体铜箔及印刷配线板。具体涉及一种附载体铜箔,其依序积层有载体、中间层、极薄铜层,其特征在于:该附载体铜箔于该极薄铜层表面具有粗化处理层,于该粗化处理层上积层树脂层后,自该极薄铜层剥离该载体及该中间层,其后通过蚀刻去除该极薄铜层,此时,于积层于该粗化处理层上的树脂层之积层于该粗化处理层上之侧的表面中,具有转印该粗化处理层表面之凹凸而成之凹凸的树脂层粗化面其孔所占面积之总和为20%以上。

【技术实现步骤摘要】
附载体铜箔、附载体铜箔的制造方法、印刷配线板用附载体铜箔及印刷配线板本申请是中国专利申请号为201380017079.2,专利技术名称为“附载体铜箔、附载体铜箔的制造方法、印刷配线板用附载体铜箔及印刷配线板”,申请日为2013年3月26日的中国专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种附载体铜箔、附载体铜箔的制造方法、印刷配线板用附载体铜箔及印刷配线板。更详细而言,本专利技术涉及一种作为印刷配线板或屏蔽材的材料所使用的附载体铜箔。
技术介绍
印刷配线板通常经过如下步骤制造:于使绝缘基板与铜箔接着而制成覆铜积层板之后,通过蚀刻而于铜箔面上形成导体图案。随着近年来的电子机器的小型化、高性能化需求的增大而发展搭载零件的高密度安装化或信号的高频化,从而对印刷配线板要求有导体图案的微细化(窄间距化)或高频应对等。最近,应对窄间距化而要求有厚度9μm以下、进而厚度5μm以下的铜箔,但此种极薄的铜箔的机械强度较低而容易于印刷配线板的制造时破裂或者产生褶皱,因此出现一种将具有厚度的金属箔用作载体,于其上经由剥离层电镀极薄铜层而成的附载体铜箔。附载体铜箔的通常的使用方法为:于使极薄铜层的表面贴合于绝缘基板并进行热压接之后,经由剥离层将载体剥离。此处,对于成为与树脂的接着面的附载体铜箔的极薄铜层的面,主要要求有:极薄铜层与树脂基材的剥离强度充分;而且于高温加热、湿式处理、焊接、化学品处理等之后仍充分保持该剥离强度。作为提高极薄铜层与树脂基材之间的剥离强度的方法,通常如下方法具有代表性:使大量粗化粒子附着于增大了表面轮廓(凹凸、粗糙度)的极薄铜层上。然而,若对印刷配线板之中尤其是必需形成微细的电路图案的半导体封装基板使用此种轮廓(凹凸、粗糙度)较大的极薄铜层,则导致于电路蚀刻时残留不需要的铜粒子,从而产生电路图案间的绝缘不良等问题。因此,作为以半导体封装基板为代表的微细电路用途的附载体铜箔,尝试使用未对极薄铜层的表面实施粗化处理的附载体铜箔。此种未实施粗化处理的极薄铜层与树脂的密合性(剥离强度)于其较低的轮廓(凹凸、粗度、粗糙度)的影响下,与通常的印刷配线板用铜箔相比而有降低的倾向(参照专利文献8)。因此,对附载体铜箔要求有进一步的改善。另一方面,半导体封装基板用铜箔通常亦被称为印刷配线板用铜箔,通常通过如下步骤制作。首先,于高温高圧下将铜箔积层接着于合成树脂等基材上。继而,通过耐蚀刻性树脂等材料而于铜箔上印刷与电路同等的电路以于基板上形成作为目标的导电性的电路。然后,通过蚀刻处理而将露出的铜箔的不需要部分去除。蚀刻后,去除由树脂等材料所构成的印刷部,于基板上形成导电性的电路。于所形成的导电性的电路中最终焊接规定的组件,从而形成电子装置用的各种印刷电路板。最终,与抗蚀剂或增层(buildup)树脂基板接合。通常,对印刷配线板用铜箔的质量要求是因与树脂基材接着的接着面(所谓的粗化面)、及非接着面(所谓的光泽面)而不同,必需使两者同时满足要求。作为对光泽面的要求,要求有:(1)外观良好及无保存时的氧化变色;(2)焊料润湿性良好;(3)于高温加热时无氧化变色;(4)与抗蚀剂的密合性良好等。另一方面,对于粗化面,主要可列举:(1)无保存时的氧化变色;(2)与基材的剥离强度于高温加热、湿式处理、焊接、化学品处理等之后仍充分;(3)无与基材的积层、蚀刻后产生的所谓的积层污点等。又,近年来随着图案的精细化,要求有铜箔的低轮廓(lowprofile)化。因此,必需相应地增加铜箔粗化面的剥离强度。进而,于个人计算机或行动通信等电子机器中,随着通信的高速化、大容量化而发展电气信号的高频化,从而谋求有能够应对于此的印刷配线板及铜箔。若电气信号的频率变为1GHz以上,则电流仅于导体的表面流动的集肤效应(skineffect)的影响变明显,从而无法忽视因表面的凹凸而使电流传输路径发生变化且阻抗(impedance)增大的影响。就该方面而言,亦期待铜箔的表面粗糙度较小。为响应此种要求,而对印刷配线板用铜箔提倡多种处理方法。通常,印刷配线板用铜箔的处理方法是使用压延铜箔或电解铜箔,首先,为提高铜箔与树脂的接着力(剥离强度)而通常进行对铜箔表面赋予由铜及氧化铜所构成的微粒子的粗化处理。继而,为具有耐热-防锈的特性而形成黄铜或锌等耐热处理层(障壁层)。然后,为防止搬运中或保管中的表面氧化等而于其上实施浸渍或者电解铬酸盐处理或电解铬锌处理等防锈处理,由此制成制品。其中,尤其是粗化处理层承担提高铜箔与树脂的接着力(剥离强度)的较大的作用。先前认为,该粗化处理较佳为形成具有弧度的(球状)突起物。该具有弧度的突起物是通过抑制树枝状结晶(dendrite)的发达而达成者。然而,该具有弧度的突起物于蚀刻时剥离,产生“落粉”的现象。此现象被认为是理所当然。其原因在于:与具有弧度的(球状)突起物的径相比,球状突起物与铜箔的接触面积非常小。为避免该“落粉”现象而进行如下处理:于上述粗化处理后,于突起物之上形成较薄的镀铜层而防止突起物的剥离(参照专利文献1)。此具有防止“落粉”的效果,但存在步骤增加、“落粉”防止效果因该较薄的镀铜而不同的问题。又,已知有如下技术:于铜箔之上形成由铜与镍的合金所构成的针状的瘤状(nodular)被覆层(专利文献2)。由于该瘤状被覆层成为针状,故而可认为与上述专利文献1所揭示的具有弧度的(球状)突起物相比,与树脂的接着强度增加,但为与成为基底的铜箔不同成分的铜-镍合金,从而于形成铜的电路的蚀刻时具有不同的蚀刻速度。因此,存在不适合于稳定的电路设计的问题。于形成印刷配线板用铜箔时,通常进行形成耐热-防锈处理层的处理。作为形成耐热处理层的金属或合金的例,形成Zn、Cu-Ni、Cu-Co及Cu-Zn等被覆层的多数的铜箔已实用化(例如,参照专利文献3)。在这些中间,形成由Cu-Zn(黄铜)所构成的耐热处理层的铜箔于积层于由环氧树脂等所构成的印刷电路板上的情形时具有无树脂层的污迹、且高温加热后的剥离强度的劣化较少等优异的特性,故而被广泛应用于工业上。对于形成该由黄铜所构成的耐热处理层的方法,于专利文献4及专利文献5中进行详细叙述。业界提出如下方案:于对铜箔的表面进行粗化处理、锌或锌合金的防锈处理及铬酸盐处理之后,使含有少量铬离子的硅烷偶合剂吸附于铬酸盐处理后的表面而提高耐盐酸性(参照专利文献7)。专利文献1:日本特开平8-236930号公报专利文献2:日本专利第3459964号公报专利文献3:日本特公昭51-35711号公报专利文献4:日本特公昭54-6701号公报专利文献5:日本专利第3306404号公报专利文献6:日本特愿2002-170827号公报专利文献7:日本特开平3-122298号公报专利文献8:WO2004/005588号。
技术实现思路
本专利技术涉及一种耐化学品性及接着性优异的附载体的印刷配线板用铜箔、其制造方法、印刷配线板用树脂基板及印刷配线板。尤其是提供一种对于以BT(bismaleimidetriazine,双马来酰亚胺-三口井)树脂含浸基材为代表的封装用基板,针对精细图案形成时的化学品处理,可获得较强的剥离强度,且可进行精密蚀刻(fineetching)的附载体铜箔及其制造方法以及印刷配线板。本专利技术的课题在于提供一种尤其可改善铜箔的粗本文档来自技高网
...

【技术保护点】
一种附载体铜箔,其依序积层有载体、中间层、极薄铜层,其特征在于:该附载体铜箔于该极薄铜层表面具有粗化处理层,于该粗化处理层上积层树脂层后,自该极薄铜层剥离该载体及该中间层,其后通过蚀刻去除该极薄铜层,此时,于积层于该粗化处理层上的树脂层之积层于该粗化处理层上之侧的表面中,具有转印该粗化处理层表面之凹凸而成之凹凸的树脂层粗化面其孔所占面积之总和为20%以上。

【技术特征摘要】
2012.03.26 JP 2012-0696601.一种附载体铜箔,其依序积层有载体、中间层、极薄铜层,其特征在于:该附载体铜箔于该极薄铜层表面具有粗化处理层,于该粗化处理层上积层树脂层后,自该极薄铜层剥离该载体及该中间层,其后通过蚀刻去除该极薄铜层,此时,于积层于该粗化处理层上的树脂层之积层于该粗化处理层上之侧的表面中,具有转印该粗化处理层表面之凹凸而成之凹凸的树脂层粗化面其孔所占面积之总和为20%以上。2.如权利要求1所述的附载体铜箔,其中,具有转印该粗化处理层表面之凹凸而成之凹凸的树脂层粗化面其孔所占面积之总和为29%以上。3.如权利要求1所述的附载体铜箔,其中,具有转印该粗化处理层表面之凹凸而成之凹凸的树脂层粗化面其孔所占面积之总和为40%以上。4.如权利要求1所述的附载体铜箔,其中,具有转印该粗化处理层表面之凹凸而成之凹凸的树脂层粗化面其孔所占面积之总和为43%以上。5.如权利要求1所述的附载体铜箔,其中,具有转印该粗化处理层表面之凹凸而成之凹凸的树脂层粗化面其孔所占面积之总和为51%以上。6.如权利要求1所述的附载体铜箔,其中,于将该粗化处理层的位于粒子长度的10%处的粒子根部的平均直径设为D1(μm),于将该粗化处理层的位于粒子长度的50%处的粒子中央的平均直径设为D2(μm)的情形时,该D2与该D1的比D2/D1为1~4。7.如权利要求1所述的附载体铜箔,其中,该粗化处理层的位于粒子长度的10%处的粒子根部的平均直径D1(μm)为0.2μm~1.0μm。8.如权利要求1所述的附载体铜箔,其具有以下的粗化处理层:该粗化处理层的位于粒子长度的10%处的粒子根部的平均直径D1与平均粒子长度L1的比L1/D1为3.33以上15以下。9.如权利要求1所述的附载体铜箔,其中,该粗化处理层的位于粒子长度的50%处的粒子中央的平均直径D2(μm)与该粗化处理层的位于粒子长度的90%处的粒子前端的平均直径D3(μm)的比D2/D3为0.8~1.0。10.如权利要求6所述的附载体铜箔,其中,该粗化处理层的位于粒子长度的50%处的粒子中央的平均直径D2(μm)与该粗化处理层的位于粒子长度的90%处的粒子前端的平均直径D3(μm)的比D2/D3为0.8~1.0。11.如权利要求1所述的附载体铜箔,满足一个或两个选自由以下(A)及(B)所组成的群中的项目,(A)该粗化处理层的位于粒子长度的50%处的粒子中央的平均直径D2为0.7~1.5μm;(B)该粗化处理层的位于粒子长度的90%处的粒子前端的平均直径D3为0.7~1.5μm。12.如权利要求6所述的附载体铜箔,满足一个或两个选自由以下(A)及(B)所组成的群中的项目,(A)该粗化处理层的位于粒子长度的50%处的粒子中央的平均直径D2(μm)为0.7~1.5μm;(B)该粗化处理层的位于粒子长度的90%处的粒子前端的平均直径D3(μm)为0.7~1.5μm。13.如权利要求7所述的附载体铜箔,满足一个或两个选自由以下(A)及(B)所组成的群中的项目,(A)该粗化处理层的位于粒子长度的50%处的粒子中央的平均直径D2为0.7~1.5μm;(B)该粗化处理层的位于粒子长度的90%处的粒子前端的平均直径D3为0.7~1.5μm。14.如权利要求8所述的附载体铜箔,满足一个或两个选自由以下(A)及(B)所组成的群中的项目,(A)该粗化处理层的位于粒子长度的50%处的粒子中央的平均直径D2为0.7~1.5μm;(B)该粗化处理层的位于粒子长度的90%处的粒子前端的平均直径D3为0.7~1.5μm。15.如权利要求1至14中任一项所述的附载体铜箔,其中,于该粗化处理层上具备树脂层。16.如权利要求1至14中任一项所述的附载体铜箔,其中,于该粗化处理层上具备一层以上选自由耐热-防锈层、铬酸盐皮膜层及硅烷偶合剂层组成的群中的层,该耐热-防锈层含有选自锌、镍、铜、磷、钴中的一种以上的元素。17.如权利要求1至14中任一项所述的附载体铜箔,其中,于该粗化处理层上具备含有选自锌、镍、铜、磷、钴中一种以上的元素的耐热-防锈层,于该耐热-防锈层上具备铬酸盐皮膜层。18.如权利要求1至14中任一项所述的附载体铜箔,其中,于该粗化处理层上具备含有选自锌、镍、铜、磷、钴中一种以上的元素的耐热-防锈层,于该耐热-防锈层上具备铬酸盐皮膜层,且于该铬酸盐皮膜层上具备硅烷偶合剂层。19.如权利要求16所述的附载体铜箔,其中,于选自由该耐热-防锈层、该铬酸盐皮膜层及该硅烷偶合剂层组成的群中的一个以上的层上,具备树脂层。20.如权利要求15所述的附载体铜箔,其中,该树脂层满足以下任一者或两者:(A)为接着用树脂,(B)为半硬化状态的树脂。21.如权利要求19所述的附载体铜箔,其中,该树脂层满足以下任一者或两者:(A)为接着用树脂,(B)为半硬化状态的树脂。22.如权利要求1至14中任一项所述的附载体铜箔,其中,该中间层是包含Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、或这些的合金、或这些的水合物、或这些的氧化物、或者有机物的任一种以上的层。23.如权利要求1至14中任一项所述的附载体铜箔,其中,该...

【专利技术属性】
技术研发人员:永浦友太古曳伦也森山晃正
申请(专利权)人:JX日矿日石金属株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1