本发明专利技术提供一种阵列基板、显示面板及液晶显示器。所述阵列基板上设置有透光层,所述透光层能够在背光源发出的第一颜色的光线的激发下发出第二颜色的光线,所述第二颜色的光线用于形成白光。所述液晶显示面板,包括本发明专利技术任意一项实施例所提供的阵列基板。所述液晶显示器,包括本发明专利技术任意一项实施例所提供的液晶显示面板,还包括蓝光背光源。本发明专利技术提供的阵列基板、显示面板及液晶显示器,能够减少荧光粉和蓝光芯片发热而导致的老化。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及液晶显示器。
技术介绍
TFT-LCD(液晶显示器),是一种被动发光式平板显示设备,液晶屏本身不能发光, 必须搭配背光源才能正常工作。如图2所示,背光源发出的白光,依次经过阵列基板201、液 晶层202和彩膜基板203(C 〇lor Filter,CF)后,最终每个亚像素分别发射出红/绿/蓝(Red/ Green/Blue,R/G/B)三色光。与阴极射线管显示器(Cathode Ray Tube,CRT)相比,液晶显示 器(Liquid Crystal Display,LCD)具有很多优点,如厚度较薄,功耗较低等。因此,LCD在很 多领域都已经代替了 CRT显示器。 液晶显示器作为一种被动发光显示器,需要一个亮度均一、节能高效、轻薄的背光 源,而白光LED(Light Emitting Diode,发光二极管)由于上述突出的优点,正逐步取代冷 阴极焚光管(Cold Cathode Fluorescent Lamp,CCFL)技术,成为目前液晶显示器的主流背 光源。仍然参照图2,LED主要以蓝光芯片204(Blue Chip)作为激发源,表面涂覆一层荧光粉 205(Phosphor),如Y(YAG,钇铝石榴石)粉、YR(Yellow Red)粉、RG(Red Green)粉等,荧光粉 205固载在蓝光芯片中心。蓝光芯片加电后发射蓝光,同时激发其表面涂覆的荧光粉,经过 两者混色后形成覆盖380~780nm可见光区域的白光光谱作为背光。背光源发出白光光谱的 主要发射峰存在于440~450nm的蓝色尖、窄峰和500~650nm的黄色宽峰,分别对应蓝色芯 片加电后的发射峰以及激发荧光粉后的发射峰。上述白光经液晶层的灰阶调控,再经过彩 色滤光片表面的R/G/B色阻后,最终呈现出亮度可控、色彩丰富的画面。 但目前LED采用蓝光芯片+荧光粉(B Chip+Phosphor)的结构,存在的问题如下:荧 光粉受涂覆工艺和精度限制,易造成Blue Chip表面涂覆不均,影响发光均一性和光谱稳定 性;蓝色芯片加电后容易发热,表面涂覆荧光粉后不利于芯片散热,同时降低了芯片和荧光 粉的使用寿命,最终影响LED的使用寿命。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供一种阵列基板、显示面板及液晶显示器,能够减少荧光粉和 蓝光芯片发热而导致的老化。 基于上述目的本专利技术提供的阵列基板,设置有透光层,所述透光层能够在背光源 发出的第一颜色的光线的激发下发出第二颜色的光线,所述第二颜色的光线用于形成白 光。 可选的,所述阵列基板包括有红色亚像素区域、绿色亚像素区域和蓝色亚像素区 域,所述第一颜色的光线为蓝光,其中,红色亚像素区域和绿色亚像素区域对应的所述透光 层中掺杂有荧光粉,能够在背光源的蓝光激发下发出白光。 可选的,蓝色亚像素区域对应的所述透光层中掺杂有荧光粉,能够在背光源的蓝 光激发下发出白光。 可选的,蓝色亚像素区域对应的所述透光层中未掺杂荧光粉,能够透射背光源发 出的蓝光。 可选的,所述透光层为采用透明树脂。 同时,本专利技术还提供一种液晶显示面板,包括本专利技术任意一项实施例所提供的阵 列基板。 可选的,还包括与所述阵列基板相对设置的彩膜基板,所述彩膜基板上设置有对 应红色亚像素区域的红色滤光单元、对应绿色亚像素区域的绿色滤光单元和对应蓝色亚像 素区域的蓝色滤光单元。 可选的,在所述阵列基板蓝色亚像素区域对应的所述透光层中未掺杂荧光粉并能 够透射背光源发出的蓝光时,所述蓝色滤光单元完全透射所述背光源发出的蓝光。 进一步,本专利技术还提供一种液晶显示器,包括本专利技术任意一项实施例所提供的液 晶显示面板,还包括蓝光背光源。 可选的,所述蓝色背光源为采用蓝光发光二极管。 可选的,所述蓝色背光源表面涂覆有用于热传导的树脂层。 从上面所述可以看出,本专利技术所提供的阵列基板,在不增加现有阵列基板的工艺 制程和掩膜成本下,可以克服常规背光源中荧光粉涂覆不均的问题,含荧光粉有机树脂涂 覆在玻璃基板表面,分布均匀,发光均一性和光谱稳定性大大提高,提高荧光粉受蓝光激发 后的发光均一性和光谱稳定性;有利于于芯片散热,蓝光芯片和荧光粉的稳定性提高,提高 芯片寿命。本专利技术实施例所提供的阵列基板可通过光刻工艺来制作含荧光粉的有机树脂来 代替PVX层,在液态有机树脂中掺杂荧光粉,能够大大提高荧光粉的分布均一性和发光效 果;荧光粉远离发热的芯片,自身寿命得到提高且在显示面板中能够显著提升背光源发光 均一"性和使用寿命。【附图说明】 图1为本专利技术实施例的阵列基板结构示意图;图2为现有技术的液晶显不面板结构不意图;图3为本专利技术一种实施例的阵列基板结构示意图;图4为本专利技术另一实施例的阵列基板结构示意图;图5为本专利技术实施例的液晶显不面板结构不意图。【具体实施方式】为使本专利技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具 体实施例进行详细描述。本专利技术首先提供一种阵列基板,结构如图1所示,所述阵列基板101上设置有透光 层102,所述透光层102能够在背光源发出的第一颜色的光线的激发下发出第二颜色的光 线,所述第二颜色的光线用于形成白光。从上面所述可以看出,本专利技术所提供的阵列基板,具有透光层,能够用于将背光源 的光线变成白光,起到了荧光粉的作用,对发光效果没有造成影响,且同时透光层设置在阵 列基板上,远离背光源LED灯的芯片,避免影响芯片散热,提高芯片使用寿命。同时,透光层 还可以起到钝化层(PVX)的作用。现有技术的阵列基板一般需要通过曝光、光刻工艺来制作,依次制备栅极(Gate)、 有源层(40'4〇1:;^6]^15^1')、源/漏极(5/0,5〇111'〇6/1)抑;[11)、5丨似(氮化娃)钝化层、像素电 极(Pixel ΙΤ0)等结构。本专利技术一种实施例中,如图3所示,可先将荧光粉填充到用于形成透 光层301的材料中,再在阵列基板上制备透光层301,透光层301位于形成有栅绝缘层302和 数据线303的衬底基板305上,像素电极304设置于透光层301上,代替现有技术中阵列基板 上的PVX层,能够不增加阵列基板的制备工序和工艺成本。具体的,阵列基板表面底层通过Sputter(派射)工艺淀积设定厚度的Gate层金属 A1(铝)或者Mo(钼);通过光阻胶涂覆PR Coating(光阻)、曝光、显影、酸刻蚀、形成栅极图 案;利用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,等离子体增强化学气相沉 积法)设备在上述基板表面淀积一层SiNx,构成栅绝缘层;通过Sputter工艺淀积S/D层金属 A1或者Mo;通过光阻胶涂覆PR Coating、曝光、显影、酸刻蚀、形成S/D图案;利用PECVD设备 在上述基板表面淀积一层SiNx,构成绝缘层;通过光阻胶涂覆PR Coating、曝光、显影、干刻 蚀、形成对应Blue Sub-Pixel(蓝色亚像素)的钝化层图案;利用涂覆设备在上述基板表面 涂覆一层掺有黄色荧光粉的感光性有机树脂;通过曝光显影,留下红色、绿色亚像素区域的 图案,形成含有黄色荧光粉的有机树脂、钝化层的复合绝缘层,继续淀积后续像素电极各膜本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板上设置有透光层,所述透光层能够在背光源发出的第一颜色的光线的激发下发出第二颜色的光线,所述第二颜色的光线用于形成白光。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:江亮亮,郭磊,戴珂,尹傛俊,杨峰,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,合肥鑫晟光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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