一种防雷击干扰的开关电源电路制造技术

技术编号:13142761 阅读:108 留言:0更新日期:2016-04-07 03:00
本实用新型专利技术提供一种防雷击干扰的开关电源电路,该电路当雷击信号通过火线或零线线进来时,首先由吸收雷击能量器件ZNR1吸收部分能量,一部分高压被电容C1吸收掉,而一部分高压则进入到微控芯片U1的HV引脚,这部分高压能量可通过旁路二极管D4被电容C1所吸收,也可通过二极管D3、电阻R2以及电容C2组成的电阻、电容吸收缓冲电路所吸收,以达到保护微控芯片U1的HV引脚的目的,从而实现了雷击尖峰的有效吸收。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电源保护电路领域,更具体地,涉及一种防雷击干扰的开关电源电路
技术介绍
目前不少电源控制芯片都配备有高压启动引脚的功能,而这类芯片的引脚往往都是直接接至输入AC端,所以很容易受雷击干扰,导致电源保护或损坏。目前解决这种干扰的方案大多是在AC端加压敏电阻等浪涌吸收器件,而这类解决方案一般成本都较高,而且吸收雷击尖峰的效果也较为有限。
技术实现思路
本技术提供一种防雷击干扰的开关电源电路,来有效吸收雷击尖峰,以达到保护电源的目的。为了达到上述技术效果,本技术的技术方案如下:—种防雷击干扰的开关电源电路,包括吸收雷击能量器件ZNR1,电阻R1-R2,整流桥BD1,二极管D1-D4,电容C1-C2,变压器T1,整流模块,反馈模块,微控芯片U1,场效应管Q1;吸收雷击能量器件ZNR1跨接在交流电源的火线与零线之间,二极管D1的阳极与交流电源的零线连接,二极管D2的阳极与交流电源的火线连接,二极管D1的阴极与二极管D2的阴极相互连接且它们之间的连接点与电阻R1的一端连接,电阻R1的另一端与二极管D3的阳极连接,二极管D3的阴极与电阻R2的一端连接,电阻R2的另一端接地,电容C2并联在电阻R2的两端,电阻R1与二极管D3之间的连接点连接到微控芯片U1的高压启动引脚;整流桥BD1包括4个相互连接的二极管,其中两个二极管共阴极连接,另外两个二极管共阳极连接,共阳极连接的两个二极管的阴极与共阴极连接的两个二极管的阳极连接,两组相异极连接的两个二极管之间的连接点跨接在市电的零线与火线之间,共阳极连接的两个二极管之间的连接点接地,共阴极连接的两个二极管之间的连接点与二极管D4的阴极、电容C1的一端以及变压器T1的初级线圈的一端连接,变压器T1的初级线圈的另一端与场效应管Q1的漏极连接,场效应管Q1的栅极与微控芯片U1的驱动管脚连接,场效应管Q1的源极接地,二极管D4的阳极与微控芯片U1的高压启动引脚连接,电容C1的另一端接地;变压器T1的次级线圈与整流模块的输入端连接,整流模块的输出端与反馈模块的输入端连接,反馈模块的输出端与微控芯片u 1的反馈弓I脚连接。优选地,所述吸收雷击能量器件ZNR1是压敏电阻或瞬变电压抑制二极管。优选地,所述二极管D4是旁路二极管。优选地,所述电容C1为储能滤波电容。与现有技术相比,本技术技术方案的有益效果是:1、当雷击信号通过火线或零线线进来时,首先由吸收雷击能量器件ZNR1吸收部分能量,一部分高压被电容C1吸收掉,而一部分高压则进入到微控芯片U1的HV引脚,这部分高压能量可通过旁路二极管D4被电容Cl所吸收,也可通过二极管D3、电阻R2以及电容C2组成的电阻、电容吸收缓冲电路所吸收,以达到保护微控芯片U1的HV引脚的目的,从而实现了雷击尖峰的有效吸收;2、交流电源经过二极管D1,D2及电阻R1后到达微控芯片U1的高压启动脚HV,微控芯片U1启动后通过驱动引脚DR输出方波信号到场效应管Q1开控制其开或关的状态,将经过整流桥BD1而存储于滤波电容C1的电压能量通过变压器T1转换成方波信号,再由整流模块整流成所需的电压,由反馈模块电路再通过反馈引脚FB反馈给微控芯片U1,继而调整DR脚的方波占空比或频率,达到保护电源保证其稳定输出电压的目的。【附图说明】图1为本技术的电路原理图。【具体实施方式】附图仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制;为了更好说明本实施例,附图某些部件会有省略、放大或缩小,并不代表实际产品的尺寸;对于本领域技术人员来说,附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。下面结合附图和实施例对本技术的技术方案做进一步的说明。实施例1如图1所示,一种防雷击干扰的开关电源电路,包括吸收雷击能量器件ZNR1,电阻R1-R2,整流桥BD1,二极管D1-D4,电容C1-C2,变压器T1,整流模块,反馈模块,微控芯片U1,场效应管Q1;吸收雷击能量器件ZNR1跨接在交流电源的火线与零线之间,二极管D1的阳极与交流电源的零线连接,二极管D2的阳极与交流电源的火线连接,二极管D1的阴极与二极管D2的阴极相互连接且它们之间的连接点与电阻R1的一端连接,电阻R1的另一端与二极管D3的阳极连接,二极管D3的阴极与电阻R2的一端连接,电阻R2的另一端接地,电容C2并联在电阻R2的两端,电阻R1与二极管D3之间的连接点连接到微控芯片U1的高压启动引脚;整流桥BD1包括4个相互连接的二极管,其中两个二极管共阴极连接,另外两个二极管共阳极连接,共阳极连接的两个二极管的阴极与共阴极连接的两个二极管的阳极连接,两组相异极连接的两个二极管之间的连接点跨接在市电的零线与火线之间,共阳极连接的两个二极管之间的连接点接地,共阴极连接的两个二极管之间的连接点与二极管D4的阴极、电容C1的一端以及变压器T1的初级线圈的一端连接,变压器T1的初级线圈的另一端与场效应管Q1的漏极连接,场效应管Q1的栅极与微控芯片U1的驱动管脚连接,场效应管Q1的源极接地,二极管D4的阳极与微控芯片U1的高压启动引脚连接,电容C1的另一端接地;变压器T1的次级线圈与整流模块的输入端连接,整流模块的输出端与反馈模块的输入端连接,反馈模块的输出端与微控芯片U1的反馈引脚连接。本实施例中,吸收雷击能量器件ZNR1可选用压敏电阻或瞬变电压抑制二极管;二极管D4是旁路二极管;电容C1为储能滤波电容。本技术的工作原理如下:当雷击信号通过火线或零线线进来时,首先由吸收雷击能量器件ZNR1吸收部分能量,一部分高压被电容C1吸收掉,而一部分高压则进入到微控芯片U1的HV引脚,这部分高压能量可通过旁路二极管D4被电容C1所吸收,也可通过二极管D3、电阻R2以及电容C2组成的电阻、电容吸收缓冲电路所吸收,以达到保护微控芯片U1的HV引脚的目的,从而实现了雷击尖峰的有效吸收;交流电源经过二极管D1,D2及电阻R1后到达微控芯片U1的高压启动脚HV,微控芯片U1启动后通过驱动引脚DR输出方波信号到场效应管Q1开控制其开或关的状态,将经过整流桥BD1而存储于滤波电容C1的电压能量通过变压器T1转换成方波信号,再由整流模块整流成所需的电压,由反馈模块电路再通过反馈引脚FB反馈给微控芯片U1,继而调整DR脚的方波占空比或频率,达到保护电源保证其稳定输出电压的目的。相同或相似的标号对应相同或相似的部件;附图中描述位置关系的用于仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制;显然,本技术的上述实施例仅仅是为清楚地说明本技术所作的举例,而并非是对本技术的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本技术权利要求的保护范围之内。【主权项】1.一种防雷击干扰的开关电源电路,其特征在于,包括吸收雷击能量器件ZNR1,R1-R2,整流桥BD1,二极管D1-D4,电容C1-C2,变压器T1,整流模块,反馈模块,微控芯片U1,场效应管Q1;吸收雷击能量器件ZNR1跨接在交流电源的火线与零线之间,二极管D1的阳极与交流电源的零线连接,二极管D2的阳极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防雷击干扰的开关电源电路,其特征在于,包括吸收雷击能量器件ZNR1,R1‑R2,整流桥BD1,二极管D1‑D4,电容C1‑C2,变压器T1,整流模块,反馈模块,微控芯片U1,场效应管Q1;吸收雷击能量器件ZNR1跨接在交流电源的火线与零线之间,二极管D1的阳极与交流电源的零线连接,二极管D2的阳极与交流电源的火线连接,二极管D1的阴极与二极管D2的阴极相互连接且它们之间的连接点与电阻R1的一端连接,电阻R1的另一端与二极管D3的阳极连接,二极管D3的阴极与电阻R2的一端连接,电阻R2的另一端接地,电容C2并联在电阻R2的两端,电阻R1与二极管D3之间的连接点连接到微控芯片U1的高压启动引脚;整流桥BD1包括4个相互连接的二极管,其中两个二极管共阴极连接,另外两个二极管共阳极连接,共阳极连接的两个二极管的阴极与共阴极连接的两个二极管的阳极连接,两组相异极连接的两个二极管之间的连接点跨接在市电的零线与火线之间,共阳极连接的两个二极管之间的连接点接地,共阴极连接的两个二极管之间的连接点与二极管D4的阴极、电容C1的一端以及变压器T1的初级线圈的一端连接,变压器T1的初级线圈的另一端与场效应管Q1的漏极连接,场效应管Q1的栅极与微控芯片U1的驱动管脚连接,场效应管Q1的源极接地,二极管D4的阳极与微控芯片U1的高压启动引脚连接,电容C1的另一端接地;变压器T1的次级线圈与整流模块的输入端连接,整流模块的输出端与反馈模块的输入端连接,反馈模块的输出端与微控芯片U1的反馈引脚连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王飞隆张少壮
申请(专利权)人:明纬广州电子有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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