具有用于精确配准的基准标记的电子组件制造技术

本发明专利技术公开一种电子组件，该电子组件包括：基底，该基底在第一区中具有低对比度第一导电图案；高对比度基准标记，该基准标记位于基底的不同于第一区的第二区中，其中基准标记和第一导电图案配准；以及第二导电图案，该第二导电图案与第一导电图案对准。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
诸如柔性电子或光学部件的制品的制造，可以涉及沉积或形成在细长基底或幅材上的材料层的施加。具体地，通过多个沉积步骤，可以将材料的图案以层的形式沉积在细长基底，诸如幅材上。一些制品需要施加在基底的一侧或两侧上的特征部的精确配准。为了实现层之间的准确配准，必须在基底穿过多个制造步骤移动时，保持横向(横维)定位和纵向(顺维)定位。当基底是柔性的或可拉伸的时，保持形成在基底上的层之间的配准变得更加复杂。一些制品以多个步骤制成，在这些步骤期间材料或工艺被依次施加到基底，要求每一工序精确位置配准。
技术实现思路
实施例列举A.一种方法，所述方法包括：在基底上的第一区中形成覆盖图案化导电纳米线层的抗蚀剂层，以形成低对比度第一导电图案；基本上与第一导电图案同时，在基底的不同于第一区的第二区中形成高对比度基准标记，其中基准标记与第一导电图案配准；以及使用基准标记作为导引，形成与第一导电图案对准的第二图案。B.根据实施例A所述的方法，其中第一导电图案具有大于约80％的光学透射率。C.根据实施例A-B中任一项所述的方法，其中基准标记具有约0％至约50％的光学透射率。D.根据实施例A-C中任一项所述的方法，其中基准标记和第一导电图案之间的配准的误差小于约20微米。E.根据实施例A-D中任一项所述的方法，其中第一导电图案包括具有大小小于200微米的尺寸的特征部。F.根据实施例A-E中任一项所述的方法，其中第二图案是导电的。G.根据实施例F所述的方法，其中第二图案与第一导电图案对准并形成电子组件。H.根据实施例A-G中任一项所述的方法，其中在基底上的第一区中的图案化导电纳米线层是通过以下步骤产生的：在基底上涂覆包含纳米线的导电层；在导电层上以抗蚀剂基质材料施加图案，以在基底上生成具有暴露导电层的一个或多个第一区域和具有抗蚀剂基质材料的一个或多个第二区域；使抗蚀剂基质材料硬化或固化；在图案上覆涂可剥离的聚合物层；使可剥离的聚合物层硬化或固化；从基底剥去可剥离的聚合物层；以及在基底的一个或多个第一区域中从基底去除暴露导电层，以在基底上形成图案化导电层，其中图案化导电层包含由抗蚀剂基质材料覆盖的纳米线。I.根据实施例H所述的方法，其中导电层上的图案通过选自以下项中的至少一种的方法来施加：照相平版印刷、柔性版印刷、照相凹版印刷、喷墨印刷、丝网印刷、喷涂、针涂、照相平版印刷图案化和胶版印刷。J.根据实施例A-I中任一项所述的方法，其中基准标记通过选自以下项中的至少一种的方法来形成：照相平版印刷、柔性版印刷、照相凹版印刷、喷墨印刷、丝网印刷、喷涂、针涂、照相平版印刷图案化和胶版印刷。K.一种电子组件，所述电子组件包括：基底，该基底在第一区中具有低对比度第一导电图案；高对比度基准标记，该基准标记位于基底的不同于第一区的第二区中；其中基准标记和第一导电图案配准；和第二导电图案，该第二导电图案与第一导电图案对准。L.根据实施例K所述的电子组件，其中基准标记和第一导电图案以小于约100微米的尺寸精度配准。M.根据实施例K-L中任一项所述的电子组件，其中基准标记和第一导电图案以小于约20微米的尺寸精度配准。N.根据实施例K-M中任一项所述的电子组件，其中基底上基准标记和第二导电图案之间在可见光区域中的光学透射率的差异大于约50％％。O.根据实施例K-N中任一项所述的电子组件，其中第一导电图案在可见光区域中具有约80％至约99.9％的光学透射率。P.根据实施例K-O中任一项所述的电子组件，其中基准标记在可见区域中具有小于约50％的光学透射率。Q.根据实施例K-P中任一项所述的电子组件，其中第二导电图案是电路互连。R.根据实施例K-Q中任一项所述的电子组件，其中电路互连相对于第一导电图案是在面内的。S.根据实施例K-R中任一项所述的电子组件，其中电路互连相对于第一导电图案是在面外的。T.根据实施例K-S中任一项所述的电子组件，其中第一导电图案来源于第一油墨，并且基准标记来源于不同于第一油墨的第二油墨，并且其中第一油墨能够溶于选定的溶剂，并且第二油墨不溶于选定的溶剂。U.一种具有实施例K-T中任一项所述的电子组件的显示器。V.一种电子组件，所述电子组件包括：基底，该基底在第一区中包括第一导电图案，其中第一导电图案包含由抗蚀剂基质材料层覆盖的导电纳米线，并且其中导电图案在可见区域中具有大于约80％的光学透射率；基准标记，该基准标记位于基底的不同于第一区的第二区中，其中基准标记在可见区域中具有小于约50％的光学透射率，并且其中基准标记和第二导电图案以小于约100微米的尺寸精度配准；和第二导电图案，该第二导电图案与第一导电图案对准。W.根据实施例V所述的电子组件，其中抗蚀剂基质材料具有约10纳米至约3000纳米的厚度。X.根据实施例V-W中任一项所述的电子组件，其中抗蚀剂基质材料具有至少80％的光透射率。Y.根据实施例V-X中任一项所述的电子组件，其中第二导电图案是电路互连。Z.根据实施例V-Y中任一项所述的电子组件，其中电路互连来源于包含导电金属纳米粒子的油墨。AA.一种具有实施例V-Z中任一项所述的电子组件的显示器。BB.根据实施例AA所述的显示器，其中所述显示器是触摸屏显示器，任选地，其中触摸屏显示器是选自以下项的电子设备的部件：蜂窝电话、平板计算机、笔记本计算机、膝上型计算机、计算机显示器或电视。在本申请中，“对比度”意为表示成通过指定公式计算出的数字的测定量(诸如两个区域的亮度)的相异程度。此定义来自于ASTM标准E284，“StandardTerminologyofAppearance(外观的标准术语)”。在最广泛意义上，“低对比度油墨”为不足以经目测从基底中分辨出来以允许在基底上进行第二操作以与预定图案直接配准的任何油墨。结合在以下实例3中所讨论的光学测试，呈现了一种更正式的定义。在本申请中，“预定图案”意为可包括例如线、重复的线、迹线、符号、字母、图、图形、数字或它们的组合的图案；意为提前确定或选择以通过合适的复制方法诸如印刷来放置到基底上的图案。预定的图案可以包括具有大小小于1000、500、100、20、10或5微米的尺寸的特征部。在本申请中，“基准标记”意为放置到基底上的符号、线、点或其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，所述方法包括：在基底上的第一区中形成覆盖图案化导电纳米线层的抗蚀剂层，以形成低对比度第一导电图案；基本上与所述第一导电图案同时，在所述基底的不同于所述第一区的第二区中形成高对比度基准标记，其中所述基准标记与所述第一导电图案配准；使用所述基准标记作为导引，形成与所述第一导电图案对准的第二图案。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.08.28 US 61/871,2441.一种方法，所述方法包括：
在基底上的第一区中形成覆盖图案化导电纳米线层的抗蚀剂层，
以形成低对比度第一导电图案；
基本上与所述第一导电图案同时，在所述基底的不同于所述第一
区的第二区中形成高对比度基准标记，其中所述基准标记与所述第一
导电图案配准；
使用所述基准标记作为导引，形成与所述第一导电图案对准的第
二图案。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一导电图案具有大于
约80％的光学透射率。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，其中所述基准标记具
有约0％至约50％的光学透射率。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述基准标记和
所述第一导电图案之间的配准的误差小于约20微米。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中所述第一导电图
案包括具有大小小于200微米的尺寸的特征部。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中所述第二图案是
导电的。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二图案与所述第一导
电图案对准并形成电子组件。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中在所述基底上的

\t所述第一区中的所述图案化导电纳米线层是通过以下步骤产生的：
在基底上涂覆包含纳米线的导电层；
在所述导电层上以抗蚀剂基质材料施加图案，以在所述基底上生
成具有暴露导电层的一个或多个第一区域和具有抗蚀剂基质材料的一
个或多个第二区域；
使所述抗蚀剂基质材料硬化或固化；
在所述图案上覆涂可剥离的聚合物层；
使所述可剥离的聚合物层硬化或固化；
从所述基底剥去所述可剥离的聚合物层；以及
在所述基底的所述一个或多个第一区域中从所述基底去除所述暴
露导电层，以在所述基底上形成图案化导电层，其中所述图案化导电
层包含由所述抗蚀剂基质材料覆盖的纳米线。
9.根据权利要求8所述的方法，其中在所述导电层上的所述图案
通过选自以下项中的至少一种的方法来施加：照相平版印刷、柔性版
印刷、照相凹版印刷、喷墨印刷、丝网印刷、喷涂、针涂、照相平版
印刷图案化和胶版印刷。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其中所述基准标记通
过选自以下项中的至少一种的方法来形成：照相平版印刷、柔性版印
刷、照相凹版印刷、喷墨印刷、丝网印刷、喷涂、针涂、照相平版印
刷图案化和胶版印刷。
11.一种电子组件，所述电子组件包括：
基底，所述基底在第一区中包含低对比度第一导电图案；
高对比度基准标记，所述高对比度基准标记位于所述基底的不同
于所述第一区的第二区中；其中所述基准标记和所述第一导电图案配
准；和
第二导电图案，所述第二导电图案与所述第一导电图案对准。
12.根据权利要求11所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼尔·J·泰斯，安·M·吉尔曼，金·B·索尔斯布里，马修·S·斯泰，肖恩·C·多兹，米哈伊尔·L·佩库罗夫斯基，
申请(专利权)人：三M创新有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US