本发明专利技术公开了一种放电电路、阵列基板、液晶显示面板及显示装置，属于液晶显示技术领域。所述放电电路包括放电晶体管、信号控制端和低压电源端；所述放电晶体管，用于在所述信号控制端输出的控制信号的作用下将所述信号线上的电荷释放到所述低压电源端。本发明专利技术通过放电晶体管的栅极与信号控制端连接，放电晶体管的第一电极与信号线电连接，第二电极与低压电源端电连接，显示装置断电过程中，信号控制端通过放电晶体管的栅极控制放电晶体管的第一电极和第二电极导通，将信号线上的电荷快速释放到低压电源端，避免因信号线上的电荷不能完全迅速释放，导致像素单元工作延时，显示装置出现闪烁、串扰不良或静电放电损伤的状况发生。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示
，特别涉及一种放电电路、阵列基板、液晶显示面板及显示装置。
技术介绍
LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示器)因具有轻、薄、功耗低、亮度高以及画质高等优点，在平板显示领域占据了重要的地位。其中，LCD的液晶显示面板中的阵列基板包括像素单元和数据线，数据线与像素单元连接，通过数据线控制像素单元工作。在显示装置断电过程中，数据线上可能出现电荷积累，导致像素单元工作延时，LCD出现闪烁、串扰不良或静电放电损伤的情况，因此需通过放电电路对数据线上的电荷进行释放。现有的放电电路包括放电薄膜晶体管和开关信号线，放电薄膜晶体管的栅极与开关信号线连接，其源极和漏极中的一者与数据线连接，另一者与阵列基板上的公共电极连接，通过开关信号线控制放电薄膜晶体管将数据线上的电荷释放到公共电极上。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：由于公共电极通常设置在LCD的边框上，随着LCD窄边框设计的发展趋势，公共电极的宽度也越来越窄，可承受电荷的能力越来越弱，数据线上的电荷不能完全迅速释放到公共电极上，也容易导致像素单元工作延时，LCD出现闪烁、串扰不良或静电放电损伤的状况。
技术实现思路
为了解决现有技术中数据线上的电荷不能完全迅速释放到公共电极上，容易导致像素单元工作延时，LCD出现闪烁、串扰不良或静电放电损伤的状况的问题，本专利技术实施例提供了一种放电电路、阵列基板、液晶显示面板及显示装置。所述技术方案如下：第一方面，提供了一种放电电路，所述放电电路包括放电晶体管、信号控制端和低压电源端，所述放电晶体管的栅极与所述信号控制端连接，所述放电晶体管的第一电极与信号线电连接，第二电极与低压电源端电连接；所述放电晶体管，用于在所述信号控制端输出的控制信号的作用下将所述信号线上的电荷释放到所述低压电源端。进一步地，所述放电电路还包括高压电源端和静电放电防护模块，所述静电放电防护模块与所述信号线、所述低压电源端及所述高压电源端电连接；所述静电放电防护模块，用于在所述信号线上的电压低于所述低压电源端的电压时，将所述信号线上的电荷释放到所述低压电源端；在所述信号线上的电压高于所述高压电源端的电压时，将所述信号线上的电荷释放到所述高压电源端。进一步地，所述静电放电防护模块包括第一静电放电防护晶体管和第二静电放电防护晶体管；所述第一静电放电防护晶体管的栅极和第一电极分别与所述低压电源端电连接，所述第一静电放电防护晶体管的第二电极与所述信号线电连接；所述第二静电放电防护晶体管的栅极和第一电极分别与所述信号线电连接，所述第二静电放电防护晶体管的第二电极与所述高压电源端电连接。具体地，所述放电晶体管、所述第一静电放电防护晶体管和所述第二静电放电防护晶体管的有源层均由非晶硅或多晶硅制成。具体地，所述多晶硅为低温多晶硅。进一步地，所述放电电路还包括信号控制模块，所述信号控制模块的输入端与所述信号线电连接，所述信号控制模块的输出端与所述信号控制端电连接；所述信号控制模块用于在所述信号线上的电荷达到预设数值时，控制所述信号控制端发出控制信号。进一步地，所述信号控制模块包括电荷检测模块和脉冲信号发生器，所述电荷检测模块与所述信号线电连接，通过所述电荷检测模块检测所述信号线上的电荷量是否达到预设数值；所述脉冲信号发生器的输入端与所述电荷检测模块电连接，所述脉冲信号发生器的输出端与所述放电晶体管的栅极连接；所述电荷检测模块用于在所述信号线上的电荷超过预设数值时，通过所述脉冲信号发生器发出脉冲信号，控制所述放电晶体管的第一电极和第二电极导通。具体地，所述信号线为栅线或数据线。具体地，所述放电晶体管为薄膜晶体管。具体地，所述放电晶体管为N型薄膜晶体管或P型薄膜晶体管。第二方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括所述放电电路。具体地，所述放电电路的静电放电防护模块设置在所述阵列基板的外围。第三方面，提供了一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括所述阵列基板。第四方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括所述液晶显示面板。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：本专利技术通过放电晶体管的栅极与信号控制端连接，放电晶体管的第一电极与信号线电连接，第二电极与低压电源端电连接，显示装置断电过程中，信号控制端通过放电晶体管的栅极控制放电晶体管的第一电极和第二电极导通，将信号线上的电荷快速释放到低压电源端，避免因信号线上的电荷不能完全迅速释放，导致像素单元工作延时，显示装置出现闪烁、串扰不良或静电放电损伤的状况发生。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术一实施例提供的放电电路的结构示意图；图2是本专利技术又一实施例提供的放电电路的结构示意图；图3是本专利技术又一实施例提供的静电放电防护模块的结构示意图；图4是本专利技术又一实施例提供的放电电路的结构示意图。其中：1放电晶体管，11放电晶体管的栅极，12放电晶体管的第一电极，13放电晶体管的第二电极，2信号控制端，3低压电源端，4信号线，5第一静电放电防护晶体管，51第一静电放电防护晶体管的栅极，52第一静电放电防护晶体管的第一电极，53第一静电放电防护晶体管的第二电极，6第二静电放电防护晶体管，61第二静电放电防护晶体管的栅极，62第二静电放电防护晶体管的第一电极，63第二静电放电防护晶体管的第二电极，7高压电源端，8信号控制线，9低压电源线，10高压电源线，A静电放电防护模块,B信号控制模块，B1电荷检测线，B2信号输出线。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。实施例一如图1所示，本专利技术实施例提供了一种放电电路，该放电电路包括放电晶体管1、信号控制端2和低压电源端3，放电晶体管的栅极11与信号控制端2连接，放电晶体管的第一电极12与信号线4电连接，放电晶体管的第二电极13与低压电源端3电连接；放电晶体管1，用于在信号控制端2输出的控制信号的作用下将信号线4上的电荷本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种放电电路，其特征在于，所述放电电路包括放电晶体管、信号控制端和低压电源端，所述放电晶体管的栅极与所述信号控制端连接，所述放电晶体管的第一电极与信号线电连接，第二电极与低压电源端电连接；所述放电晶体管，用于在所述信号控制端输出的控制信号的作用下将所述信号线上的电荷释放到所述低压电源端。
【技术特征摘要】
1.一种放电电路，其特征在于，所述放电电路包括放电晶体管、信号控制
端和低压电源端，所述放电晶体管的栅极与所述信号控制端连接，所述放电晶
体管的第一电极与信号线电连接，第二电极与低压电源端电连接；
所述放电晶体管，用于在所述信号控制端输出的控制信号的作用下将所述
信号线上的电荷释放到所述低压电源端。
2.根据权利要求1所述的放电电路，其特征在于，所述放电电路还包括高
压电源端和静电放电防护模块，所述静电放电防护模块与所述信号线、所述低
压电源端及所述高压电源端电连接；
所述静电放电防护模块，用于在所述信号线上的电压低于所述低压电源端
的电压时，将所述信号线上的电荷释放到所述低压电源端；
在所述信号线上的电压高于所述高压电源端的电压时，将所述信号线上的
电荷释放到所述高压电源端。
3.根据权利要求2所述的放电电路，其特征在于，所述静电放电防护模块
包括第一静电放电防护晶体管和第二静电放电防护晶体管；
所述第一静电放电防护晶体管的栅极和第一电极分别与所述低压电源端电
连接，所述第一静电放电防护晶体管的第二电极与所述信号线电连接；
所述第二静电放电防护晶体管的栅极和第一电极分别与所述信号线电连
接，所述第二静电放电防护晶体管的第二电极与所述高压电源端电连接。
4.根据权利要求3所述的放电电路，其特征在于，所述放电晶体管、所述
第一静电放电防护晶体管和所述第二静电放电防护晶体管的有源层均由非晶硅
或多晶硅制成。
5.根据权利要求4所述的放电电路，其特征在于，所述多晶硅为低温多晶
硅。
6.根据权利要求1所述的放电电路，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝学光，马永达，吴新银，乔勇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。