一种局部扩铂二极管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种局部扩铂二极管及其制作方法，其中的制作方法包括以下步骤：提供半导体基片，在所述半导体基片上制备终端区和有源区，所述终端区内形成有终端结构，所述终端区绕所述半导体基片上表面一周设置，所述有源区位于所述终端区限定的区域内，所述有源区上开设有扩铂窗口；对所述终端区进行遮蔽处理，仅在所述扩铂窗口内进行扩铂；在所述有源区上制备正面电极；在所述半导体基片背面制备背面电极。本发明专利技术还提供了通过上述制作方法制成的局部扩珀二极管。本发明专利技术所述的局部扩铂二极管及其制作方法通过在二极管的有源区进行局部扩铂，达到了局部载流子寿命控制的效果，且工艺简单、成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种局部扩钼二极管及其制作方法。
技术介绍
随着电子电路工作频率的提升，对二极管的开关速度提出了越来越高的要求，因此要求二极管的反向恢复时间必须尽量小，现有的技术中，一般采用少子寿命控制技术来实现，其中，扩钼工艺是一种常用的少子寿命控制工艺。然而，现有的二极管扩钼工艺一般采用在有源区开孔之后进行钼蒸发，蒸发后处理，之后进行退火的方式进行，这种方式的钼蒸发工艺将整个硅片的正面进行蒸发，容易影响到硅片的终端区域，对氧化层质量及硅界面表面的电荷产生影响，进而影响到芯片的参数特性。为解决这种问题，现有的具有较小反向恢复时间的快恢复二极管的制作中采用局部载流子寿命控制技术，对二极管的有源区进行局部He离子注入，但He离子注入时无法在传统的快恢复二极管生产线上实现，需要高能注入机及相应的阻挡技术，制备工艺复杂、成本高。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种局部扩钼二极管及其制作方法，其改善了现有扩钼技术对硅片终端区域的影响，并且制备工艺简单、成本低。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案如下:一种局部扩钼二极管的制作方法，包括以下步骤:步骤S1、提供半导体基片，在所述半导体基片上制备终端区和有源区，所述终端区内形成有终端结构，所述终端区绕所述半导体基片上表面一周设置，所述有源区位于所述终端区限定的区域内，所述有源区上开设有扩钼窗口 ；步骤S2、对所述终端区进行遮蔽处理，仅在所述扩钼窗口内进行扩钼；步骤S3、在所述有源区上制备正面电极；步骤S4、在所述半导体基片背面制备背面电极。进一步地，所述步骤SI中半导体基片上设置有外延层，所述终端区和有源区位于所述外延层上。进一步地，所述步骤SI中终端区上覆盖有氧化层。进一步地，所述终端结构包括截止环和场限环，所述截止环位于外延层的边缘，所述场限环位于所述截止环和有源区之间的外延层上。进一步地，所述步骤SI包括以下步骤:步骤S11、提供半导体基片，在所述半导体基片的外延层上制备氧化层；步骤S12、采用光刻技术蚀刻所述氧化层的一周及中间区域，在露出的半导体基片的外延层上注入硼离子，制备出场限环和扩钼窗口 ；步骤S13、采用光刻技术蚀刻所述氧化层的边缘，在露出的半导体基片的外延层上注入磷离子，制备出截止环；步骤S14、补长所述氧化层；步骤S15、利用湿法腐蚀去除所述扩钼窗口上的氧化层。进一步地，所述步骤S2包括以下步骤:步骤S21、旋涂第一光刻胶，并对其进行第一曝光；步骤S22、旋涂第二光刻胶，并对所述扩钼窗口上方的区域进行第二曝光；步骤S23、显影，去除所述扩珀窗口上方的第一光刻胶和第二光刻胶，所述第一光刻胶和所述第二光刻胶在所述扩钼窗口边缘出现屋檐结构；步骤S24、进行钼蒸发，所述钼蒸发得到的钼层在所述屋檐结构边缘出现断裂；步骤S25、采用贴膜、揭膜工艺，去除剩余的第二光刻胶及其上覆盖的钼层；步骤S26、显影，去除剩余的第一光刻胶；步骤S27、进行钼扩散，形成寿命控制区域。进一步地，所述步骤S24中钼层的厚度为0.015 μ m_0.2 μ m。进一步地，所述步骤S27中钼扩散的温度为800°C -1000°C，扩散时间为0.5h_3h。一种局部扩钼二极管，所述局部扩钼二极管采用上述任一所述的方法制得。本专利技术所述的局部扩钼二极管的制作方法，通过第一光刻胶和第二光刻胶在扩钼窗口边缘形成屋檐结构，在进行钼蒸发时，钼层在重力的作用下，在屋檐结构边缘发生断裂，使得扩钼窗口之外区域的钼能够简单地去掉，再进行钼扩散，将钼仅仅存留在有源区的寿命控制区域，对二极管进行局部扩钼，能够减小二极管的反向恢复时间，对硅片的终端结构没有影响，能够在传统快恢复二极管的生产线上实现，工艺简单；本专利技术所述的局部扩钼二极管具有较小的反向恢复时间，且制作工艺简单、成本低。【附图说明】为了更加清楚地说明本专利技术示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本专利技术所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的局部扩钼二极管的制作方法的流程示意图。图2为图1所示实施例中步骤SI的具体流程示意图。图3为图2所示步骤Sll对应的剖面示意图。图4为图2所示步骤S12对应的剖面示意图。图5为图2所示步骤S13对应的剖面示意图。图6为图2所示步骤S14对应的剖面示意图。图7为图2所示步骤S15对应的剖面示意图。图8为图1所示实施例中步骤S2的具体流程示意图。图9为图8所示步骤S21对应的剖面示意图。图10为图8所示步骤S22对应的剖面示意图。图11为图8所示步骤S23对应的剖面示意图。图12为图8所示步骤S24对应的剖面示意图。图13为图8所示步骤S25对应的剖面示意图。图14为图8所示步骤S26对应的剖面示意图。图15为图8所示步骤S27对应的剖面示意图。图16为图1所示实施例中步骤S3对应的剖面示意图。图17为图1所示实施例中步骤S4对应的剖面示意图。【具体实施方式】为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本专利技术实施例中的附图，通过【具体实施方式】，完整地描述本专利技术的技术方案。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例，均落入本专利技术的保护范围之内。请参阅图1所示，本专利技术实施例提供的局部扩钼二极管的制作方法包括以下步骤:步骤S1:提供半导体基片，在该半导体基片上制备终端区和有源区，终端区内形成有终端结构，终端区绕半导体基片上表面一周设置，有源区位于终端区限定的区域内，有源区上开设有扩钼窗口。本步骤中首先提供半导体基片，该半导体基片可以为N型硅层。再在半导体基片上制备终端区和有源区，在终端区内形成终端结构，终端区绕半导体基片上表面一周设置，有源区位于终端区限定的区域内，有源区上开设有扩钼窗口。本步骤中半导体基片上可以设置有外延层，终端区和有源区位于外延层上；终端区上可以覆盖氧化层，氧化层起到保护终端区内的终端结构的作用。本步骤中终端结构可以为包括截止环和场限环的结构，截止环位于外延层的边缘，场限环位于截止环和有源区之间的外延层上。具体的，图2为图1所示实施例中步骤SI的具体流程示意图，参见图2所示，具体包括如下步骤:步骤Sll:提供半导体基片，在该半导体基片的外延层2上制备氧化层3。如图3所示，本步骤中在由衬底I和外延层2依次叠加构成的半导体基片的外延层2上制备氧化层3。其中，上述制备氧化层3的方法可以采用热氧化工艺或淀积工艺，热氧化工艺可以在氧化炉中进行，氧化温度可以为1000-120(TC，氧化时间可以根据氧化层3的厚度进行调整；淀积工艺包括化学气相淀积和物理气相淀积两种方式。步骤S12:采用光刻技术蚀刻氧化层3的一周及中间区域，在露出的半导体基片的外延层2上注入硼离子，制备出场限环4和扩钼窗口 5。如图4所示，本步骤中采用光刻技术蚀刻氧化层3的一周及中间区域，在露出的半导体基片的外延层2上注入硼离子，在外延层的一周制备出场限环4，在外延层的中间区域制备出扩钼窗口 5。其中，上述制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种局部扩铂二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供半导体基片，在所述半导体基片上制备终端区和有源区，所述终端区内形成有终端结构，所述终端区绕所述半导体基片上表面一周设置，所述有源区位于所述终端区限定的区域内，所述有源区上开设有扩铂窗口；步骤S2、对所述终端区进行遮蔽处理，仅在所述扩铂窗口内进行扩铂；步骤S3、在所述有源区上制备正面电极；步骤S4、在所述半导体基片背面制备背面电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张硕，尹攀，芮强，邓小社，
申请(专利权)人：无锡华润华晶微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32