辐射检测器、制造辐射检测器的方法、成像单元以及成像显示系统技术方案

提供了一种辐射检测器(1)，其包括：多个光电转换装置(20)，每个光电转换装置至少部分地形成在嵌入层(15)内并且具有至少部分地位于所述嵌入层外面的光接收表面(20A)；以及多个闪烁器晶体(30)，所述多个闪烁器晶体中的至少第一闪烁器晶体在近端处与至少一个光接收表面接触，其中，所述第一闪烁器晶体在所述近端处的横截面小于所述第一闪烁器晶体在远端处的横截面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】辐射检测器、制造辐射检测器的方法、成像单元以及成像显示系统相关申请的交叉引用本申请要求于2013年8月28日提交的日本优先权专利申请JP2013-177175的优先权，该申请的全部内容以引用的形式全部并入本文。
本技术涉及一种检测辐射(诸如，α射线、β射线、γ射线以及X射线)的辐射检测器和制造该辐射检测器的方法。而且，本技术涉及一种包括该辐射检测器的成像单元以及成像显示系统。
技术介绍
已经提出了多种成像单元，作为包括内置在每个像素(成像像素)中的光电转换装置的成像单元。例如，PTL1指辐射成像单元，作为包括光电转换装置的这种成像单元的示例。JP 2011-135561Α
技术实现思路
通常，在如上所述的成像单元中，通过驱动多个像素来获得图像。已经提出了多种为由此获得的图像实现更高图像质量的技术。然而，期望提出一种能够实现进一步更高图像质量的成像单元。期望提出一种能够实现更高图像质量的辐射检测器以及制造这种辐射检测器的方法。也期望提供一种包括这种辐射探测器的成像单元和成像显示系统。根据本技术的实施例，提供了一种辐射检测器，其包括:多个光电转换区域，每个光电转换区域配置为将入射在光接收表面上的光转换为电流信号；不连续表面，其形成在光接收表面周围，该不连续表面相对于光接收表面是不连续的；以及闪烁器层，其通过将光接收表面用作晶体生长表面而形成并且配置为将入射的辐射转换为光。根据本技术的实施例，提供了一种成像单元，其包括:辐射检测器；以及驱动部分，其配置为驱动该辐射检测器。辐射探测器包括:多个光电转换区域，每个光电转换区域配置为将入射在光接收表面上的光转换为电流信号;不连续表面，其形成在光接收表面周围，该不连续表面相对于光接收表面是不连续的；多个转换电路，其按照一对一的关系对应于多个光电转换区域而提供并且分别配置为将电流信号转换为电压信号；以及闪烁器层，其通过将光接收表面用作晶体生长表面而形成并且配置为将入射的辐射转换为光。根据本技术的实施例，提供了一种成像显示系统，其包括:成像单元；以及显示单元，其配置为基于由成像单元获得的成像信号执行图像显示。成像单元包括:辐射检测器；以及驱动部分，其配置为驱动该辐射检测器。辐射检测器包括:多个光电转换区域，每个光电转换区域配置为将入射在光接收表面上的光转换为电流信号；不连续表面，其形成在光接收表面周围，不连续表面相对于光接收表面是不连续的；多个转换电路，其按照一对一的关系对应于多个光电转换区域而提供并且分别配置为将电流信号转换为电压信号；以及闪烁器层，其通过将光接收表面用作晶体生长表面而形成并且配置为将入射的辐射转换为光。在根据本技术的实施例的辐射检测器、成像单元以及成像显示系统中，每个光电转换区域的光接收表面被不连续表面环绕，并且用作闪烁器层的晶体生长表面。因此，光接收表面与闪烁器层直接接触。因此，可以实现比例如在光接收表面与闪烁器层之间提供仅用于允许闪烁器层在其上生长的构件的情况下的光接收效率高的光接收效率。而且，光接收表面被不连续表面环绕。因此，当在光接收表面上形成闪烁器层时，由于在光接收表面与不连续表面之间的不连续性，所以在与不连续表面相对的区域中形成在闪烁器层的厚度方向上延伸的晶体界面。因此，在闪烁器层中生成的光的部分被晶体界面反射并且进入光接收表面。因此，实现了高分辨率。根据本技术的实施例，提供了一种制造辐射检测器的方法，该方法包括:(A)将包括在器件衬底中的多个器件中的部分或者所有转移至衬底，该多个器件固定到包括在器件衬底中的支撑衬底上，并且该多个器件均配置为将入射在光接收表面上的光转换为电流信号；以及(B)通过将光接收表面用作晶体生长表面来形成闪烁器层，该闪烁器层配置为将入射的福射转换为光。在根据本技术的实施例的制造辐射检测器的方法中，将固定至器件衬底的多个器件中的部分或者所有转移至衬底。而且，转移至衬底的每个器件的光接收表面用作闪烁器层的晶体生长表面。因此，光接收表面与闪烁器层直接接触。因此，可以实现比例如在光接收表面与闪烁器层之间提供仅用于允许闪烁器层在其上生长的构件的情况下的光接收效率高的光接收效率。而且，转移至衬底的每个器件的光接收表面被形成在器件之间的间隔环绕。因此，当在光接收表面上形成闪烁器层时，由于在光接收表面与形成在器件之间的间隔之间的不连续性，所以在与形成在器件之间的间隔相对的区域中形成在闪烁器层的厚度方向上延伸的晶体界面。因此，在闪烁器层中生成的光的部分被晶体界面反射并且进入光接收表面。因此，实现了高分辨率。根据本技术的实施例，提供了一种辐射检测器，其包括:多个光电转换装置，每个光电转换装置至少部分地形成在嵌入层内，并且具有至少部分地位于嵌入层外面的光接收表面；以及多个闪烁器晶体，该多个闪烁器晶体中的至少第一闪烁器晶体在近端处与至少一个光接收表面接触，其中，第一闪烁器晶体在近端处的横截面小于第一闪烁器晶体在远端处的横截面。根据本技术的实施例，提供了一种形成辐射检测器的方法，其包括:在衬底上形成多个光电转换装置，该多个光电转换装置中的至少第一光电转换装置包括一个或者多个电极，其中，第一光电转换装置形成为使得该一个或者多个电极中的至少一个电极耦合至形成在衬底内的电路;在衬底上形成嵌入层，从而将第一光电转换装置的至少一部分嵌入在嵌入层内；以及在第一光电转换层的表面上形成闪烁器层。根据本技术的实施例，提供了一种成像单元，其包括辐射检测器和配置为驱动该辐射检测器的驱动电路，该辐射检测器包括多个像素，该多个像素中的至少第一像素包括:光电转换装置，其至少部分地形成在嵌入层内并且具有至少部分地位于嵌入层外面的光接收表面；以及第一闪烁器晶体，其在近端处与光接收表面接触，其中，第一闪烁器晶体在近端处的横截面小于第一闪烁器晶体在远端处的横截面。根据本技术的实施例，提供了一种成像显示系统，其包括成像单元；以及显示单元，其配置为基于由成像单元获得的成像信号执行图像显示，成像单元包括:辐射检测器；以及驱动电路，其用于驱动该辐射检测器，辐射检测器包括多个像素，该多个像素中的至少第一像素包括:光电转换装置，其至少部分地形成在嵌入层内并且具有至少部分地位于嵌入层外面的光接收表面；以及第一闪烁器晶体，其在近端处与光接收表面接触，其中，第一闪烁器晶体在近端处的横截面小于第一闪烁器晶体在远端处的横截面。本专利技术的有益效果如下:根据本技术的实施例的辐射检测器、成像单元以及成像显示系统，光接收表面与闪烁器层直接接触，并且光接收表面被不连续表面围绕。因此，实现了高光接收效率和高分辨率。因此，可以实现图像的更高图像质量。要注意，本技术的有利效果并不一定限于上述效果，并且可以是在本说明书中描述的任何一种效果。根据本技术的实施例的制造辐射检测器的方法，光接收表面与闪烁器层直接接触，并且光接收表面被形成在器件之间的间隔围绕。因此，实现了高光接收效率和高分辨率。因此，可以实现图像的更高图像质量。要注意，本技术的有利效果并不一定限于上述效果，并且可以是在本说明书中描述的任何一种效果。要理解，前文的一般性说明和下文的详细说明都是示例性的，并且旨在提供对所要求的技术的进一步阐释。【附图说明】附图被包括以提供对本公开的进一步理解，并且并入本说明书中构成本说明书的一部分。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种辐射检测器，其包括：多个光电转换装置，每个光电转换装置至少部分地形成在嵌入层内并且具有至少部分地位于所述嵌入层外面的光接收表面；以及多个闪烁器晶体，所述多个闪烁器晶体中的至少第一闪烁器晶体在近端处与至少一个光接收表面接触，其中，所述第一闪烁器晶体在所述近端处的横截面小于所述第一闪烁器晶体在远端处的横截面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：五十岚崇裕，畑田出穗，儿玉健，足立研，冈修一，御手洗俊，大岛居英，柳川周作，松本一治，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP