透明导电膜及电子设备制造技术

本发明专利技术提供了一种透明导电膜，包括透明基底以及形成于所述透明基底表面的透明导电层，所述透明导电膜分为导电区域和绝缘区域，所述透明导电层设有多条网格线，所述多条网格线相互交叉形成多个网格单元，每个网格单元均具有由网格线构成的网格侧边；所述透明导电层的导电区域和绝缘区域还设有连接于所述网格侧边的支路结构，所述支路结构包括搭接于网格侧边的两个搭接点及连接于两个所述搭接点之间的分支线；所述导电区域的分支线设有第一断开部；绝缘区域的网格侧边设有第二断开部。本发明专利技术通过于透明导电膜的整体透过率更加均匀，提升透明导电膜及其使用透明导电膜的电子设备的整体视觉效果。本发明专利技术还提供一种电子设备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子触控技术，尤其涉及一种透明导电膜及电子设备。
技术介绍
透明导电膜是具有良好导电性及在可见光波段具有高透光率的一种薄膜。现有技术中，采用极细的金属线通过一定排列方式构成的金属网格搭配在透明基底材料上，从而形成导电性较佳的透明导电膜。但传统透明导电膜在导电区域铺设金属网格，而在绝缘区域不进行金属网格铺设，使得导电区域和绝缘区域存在透过率差异，这种透过率差异会导致用户隐约看到导电区域的网格，影响整体外观效果。现有一种透明导电膜，如图1所示，其设有导电区域1和绝缘区域2，其导电区域1与绝缘区域2均铺设金属网格3，且通过将绝缘区域2内的金属网格3做断开处理从而保证绝缘区域2绝缘。这种做法在一定程度上降低金属网格3的可见性，但由于绝缘区域2的金属网格3存在若干断开处，但仍然无法较好的解决透过率差异造成的Pattern及网格线可见问题。
技术实现思路
提供一种透过率均匀的透明导电膜。一种透明导电膜，包括透明基底以及形成于所述透明基底表面的透明导电层，所述透明导电膜包括导电区域和绝缘区域，所述透明导电层设有多条网格线，所述多条网格线相互交叉形成多个网格单元，每个网格单元均具有由网格线构成的网格侧边；所述透明导电层的导电区域和绝缘区域还设有连接于所述网格侧边的支路结构，所述支路结构包括搭接于网格侧边的两个搭接点及连接于两个所述搭接点之间的分支线；所述导电区域的分支线设有将该区域的分支线电性断开的第一断开部；所述绝缘区域的网格侧边设有将该区域的网格侧边电性断开的第二断开部，且任一设置于绝缘区域的支路结构的两个所述搭接点搭接于网格侧边且位于该网格侧边上的第二断开部的同一侧。进一步的，导电区域中支路结构的分布概率与绝缘区域中支路结构的分布概率相同。进一步的，分支结构的两个搭接点位于网格单元的同一网格侧边上。进一步的，导电区域及绝缘区域的各个网格的各个网格侧边均设有支路结构。进一步的，所述导电区域的支路结构的分支线包括子搭接点及多条依次相连的子分支线，相邻两个子分支线通过子搭接点相互连接，所述子搭接点设置于相邻两个子分支线的相邻端部，任一子分支线上所连接的搭接点或子搭接点与该设置于该子分支线上的第一断开部之间的距离大于或等于该子分支线的长度的五分之一。进一步的，设任一网格侧边的长度为L，设置于该网格侧边的支路结构设有多个子分支线，且各个所述子分支线中最长的子分支线的长度为10 μ m至0.5L ;各个所述子分支线中最短的子分支线的长度为10 μ m至0.3L。进一步的，所述第一断开部的断开间隙长度为5 μ m至15 μ m。进一步的，所述第二断开部的断开间隙长度为5 μ m至15 μ m。进一步的，第一断开部的断开间隙长度与第二断开部的断开间隙长度相同。进一步的，所述支路结构的分支线为直线段、曲线段、折线段，或以上三种线段中的至少两种的组合。进一步的，所述支路结构的形状为矩形、梯形、圆弧形或多边形。一种电子设备，设有如上所述的透明导电膜。本专利技术通过于透明导电膜的导电区域和绝缘区域分别设置支路结构及第一断开部及第二断开部，在保证导电区域和绝缘区域的导电或绝缘性能的同时，使透明导电膜的整体透过率更加均匀，提升透明导电膜及其使用透明导电膜的电子设备的整体视觉效果。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是现有技术中的一种透明导电膜的结构示意图；图2是本专利技术的第一实施例的透明导电膜的剖面示意图；图3是本专利技术的第一实施例的透明导电膜的导电区域的局部放大示意图；图4是本专利技术的第一实施例的透明导电膜的绝缘区域的局部放大示意图；图5至图7是本专利技术其他实施例中的网格单元的结构示意图；图8(a)至图8(e)是本专利技术其他实施例中的凹槽的结构示意图；图9至图11是本专利技术的第一实施例的支路结构的结构示意图；图12至图15是本专利技术其他实施例中的支路结构的结构示意图；图16是本专利技术的另一实施例的透明导电膜的剖面示意图；图17至图18是本专利技术的又一实施例的透明导电膜的剖面示意图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术能够进一步减少现有透明导电膜的透过率差异，提供一种透过率更加均匀，导电膜Pattern及网格线可见性低的透明导电膜，提升透明导电膜及其使用透明导电膜的电子设备的整体视觉效果。请参阅图2至图4。本专利技术的透明导电膜10包括透明基底11及形成于所述透明基底11的导电层。在本实施例中，所述导电层由设置于透明基底11上的多条网格线13构成。其中，若干网格线13相互交叉，形成网格单元130。设置有网格单元130的透明导电膜10包括导电区域10a和绝缘区域10b。请参阅图2。在本实施例中，透明基底11上开设有整体呈网格状的凹槽111，且凹槽111内填充有导电材料，从而形成多条导电的网格线13。其中透明基底11可采用如聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等热塑性材料制成。网格状凹槽内填充的导电材料可采用导电金属、碳纳米管、石墨烯墨水或导电高分子。在本实施例中，如图3和图4所示，网格线13交叉形成的网格单元130的形状为四边形结构，在其他实施例中，网格单元130的形状还可以其他规则网格或随机网格，可以为正六边形、三角形或其他随机网格形状，如图5至图7为本专利技术实施例提供的网格单元130的不同实施方式的示意图。基底11或基质层12上设置有网格状凹槽结构，凹槽结构的深度可为2微米至6微米，凹槽的宽度可为0.2微米至5微米，本领域技术人员可自行设计凹槽的尺寸，使得凹槽的深度和宽度的比值大于或等于0.8。请参阅图8(a)至图8(e)，图8(a)所示的凹槽111为底部为“V”字形的微型槽，图8(b)所示的凹槽111为底部为“W”字形的微型槽，图8(c)所示的凹槽111为底部为弧形的微型槽，图8(d)所示的凹槽111为底部为波浪形的微型槽，图8(e)所示的凹槽111为底部为弧形与“V”字形结构相组合的微型槽。凹槽111为底部为“V”字形、“W”字形、弧形或波浪形等形状的微型槽，这样凹槽111内的导电墨水在烘干的时候，导电墨水缩聚，不容易出现烘干后的导电材料断开的现象，以及增大导电材料与凹槽142底部的接触面积，从而增大导电材料对凹槽142底部的吸附力。可以理解，凹槽111不限于上述结构，其底部还可以为其它形状，只需满足网格状凹槽底部不平整即可。请再次参见图3及图4，透明导电膜10的导电区域10a和绝缘区域10b均设有网格单元130。每个网格单元130均具有由网格线13构成的网格侧边131。可以理解的是，相邻的两个网格单元130具有一个共用的网格侧边131。在本实施例中，所述网格单元130的网格侧边131即为任一网格线13被相交于该网格线13并相互邻近的另外两个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电膜，包括透明基底以及形成于所述透明基底表面的透明导电层，所述透明导电膜包括导电区域和绝缘区域，其特征在于，所述透明导电层设有多条网格线，所述多条网格线相互交叉形成多个网格单元，每个网格单元均具有由网格线构成的网格侧边；所述透明导电层的导电区域和绝缘区域还设有连接于所述网格侧边的支路结构，所述支路结构包括搭接于网格侧边的两个搭接点及连接于两个所述搭接点之间的分支线；所述导电区域的分支线设有将该区域的分支线电性断开的第一断开部；所述绝缘区域的网格侧边设有将该区域的网格侧边电性断开的第二断开部，且任一设置于绝缘区域的支路结构的两个所述搭接点搭接于网格侧边且位于该网格侧边上的第二断开部的同一侧。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑亚星，周文泣，戴叶，莫小凤，
申请(专利权)人：深圳欧菲光科技股份有限公司，南昌欧菲光科技有限公司，苏州欧菲光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44