半导体设备零组件制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体设备零组件。半导体设备零组件包括零组件本体、多个凸状部及耐热胶带，多个凸状部是形成于零组件本体上，耐热胶带包覆于多个凸状部上，以避免熔射处理影响多个凸状部的表面。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
本技术涉及一种半导体设备零组件，特别是涉及一种涉及可用于熔射处理的半导体设备零组件。【
技术介绍
】在半导体制程中，必须定期或不定期地对半导体制程设备的零件进行清洗及再生，以维持半导体制程设备的效能，并可延长设备的使用寿命。以物理气相沉积制程为例，物理气相沉积制程主要是在一基板上沉积一薄膜。首先利用一直流电源分别电性耦接至一背板及一遮覆板，通过该背板及该遮覆板于该反应室腔体内形成电场将离子枪束击向金属靶材。在离子枪束撞击靶材后，会将该靶材上的金属溅射在该基板上而形成该薄膜。通常，物理气相沉积之反应室腔体在使用一段时间后，会在反应室腔体中该遮覆板及母材的表面形成金属镀膜，因此必须对反应室腔体进行洗净与再生，防止金属镀膜破裂或剥落所产生之微尘粒子散布至该基板而影响良率。所谓洗净系指针对反应室腔体中该遮覆板及该母材之金属镀膜的材质选用适当之方法与材料予以去除，例如以酸性或碱性之化学溶液浸泡反应室腔体，将形成于遮覆板及母材表面之金属镀膜溶解分离。所谓再生是指洗净后再以喷砂及整形等方式恢复该遮覆板及母材原有外形与表面特性。然而上述洗净及再生皆会侵蚀与损耗反应室腔体中遮覆板及母材的本体厚度，造成使用寿命减短。此外，对于反应室腔中的螺丝孔，例如锁固于该母材之间之螺丝孔，上述以化学溶液浸泡反应室腔体、对该遮覆板及该母材喷砂及整形等步骤会使螺丝孔产生扩孔现象，因此在多次进行洗净及再生后，会造成螺丝孔尺寸与原先尺寸有所差异，导致螺丝孔与螺丝在组合时误差过大而使得锁固功能不佳甚至无法继续使用。并且，由于在前述洗净等过程中，必须使用大量的酸性或碱性之化学溶液，浸泡遮覆板及母材，以溶解金属镀膜，使其与遮覆板及母材分离。由于不可避免地必须使用大量的酸性或碱性之化学溶液，因而在洗净的过程中，必须使用大量的清水来冲洗半导体制程的零件。【
技术实现思路
】本技术的主要目的在于提供一种半导体设备零组件，所述半导体设备零组件包括:零组件本体；多个凸状部，形成于所述零组件本体上；耐热胶带，包覆于所述多个凸状部上，以避免熔射处理影响所述多个凸状部的表面。在一实施例中，所述耐热胶带更包覆于零组件本体的其他结构上，以避免熔射处理的影响。相较于现有的熔射设备的问题，在进行熔射处理时，可利用本实施例的熔射设备来进行熔射处理，由于操作人员可位于密闭隔间的外面来进行操作，因而可避免操作人员受到熔射处理的伤害。再者，本实施例的半导体设备零组件可利用耐热胶带来包覆的凸状部，以避免熔射处理影响多个凸状部的表面。为让本技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下:【【附图说明】】图1及2为本技术的半导体设备零组件的一实施例的示意图；以及图3为本技术的熔射设备的一实施例的示意图。【【具体实施方式】】以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本技术可用以实施的特定实施例。本技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本技术，而非用以限制本技术。附图和说明被认为在本质上是示出性的，而不是限制性的。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。另外，为了理解和便于描述，附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本技术不限于此。在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。将理解的是，当例如层、膜、区域或基底的组件被称作“在”另一组件“上”时，所述组件可以直接在所述另一组件上，或者也可以存在中间组件。另外，在说明书中，除非明确地描述为相反的，否则词语“包括”将被理解为意指包括所述组件，但是不排除任何其它组件。此外，在说明书中，“在......上”意指位于目标组件上方或者下方，而不意指必须位于基于重力方向的顶部上。请参照图1及2，图1及2是半导体设备零组件的示意图。本实施例的半导体设备零组件是在半导体设备零组件上不想被熔射的位置或结构包覆耐热胶带，避免熔射处理影响半导体设备零组件。此半导体设备零组件包括零组件本体122、多个凸状部123及耐热胶带124，多个凸状部123是形成于零组件本体122上(如图1所示)，耐热胶带124可包覆于多个凸状部123上(如图2所示)，以避免熔射处理影响多个凸状部123的表面。在一些实施例中，耐热胶带124更可包覆于零组件本体122的其他区域或结构上，以避免熔射处理的影响。接着，以半导体设备的反应腔体内的零组件清洗过程为例来进行说明，主要于铝合金零组件机械加工完成并施作相关的表面处理(如阳极处理、熔射处理、喷砂处理等)后，或经半导体干蚀刻机使用后下机，后续皆可使用该清洗方式进行超洁净清洗，以符合严苛的半导体蚀刻机室内的超高洁净要求，提升生产效率及产品良率的功效为目的。在进行熔射处理时，可利用本实施例的熔射设备来进行熔射处理，由于操作人员可位于密闭隔间118的外面来进行操作，因而可避免操作人员受到熔射处理的伤害。请参照图3，图3是熔射设备的示意图。本实施例的熔射设备可用于对半导体设备的零件的至少部分表面进行熔射处理。熔射设备包括密闭隔间118、机械手臂119及熔射装置120。机械手臂119是设置于密闭隔间118内，熔射装置120是设置于机械手臂119上，用于对半导体设备零组件的表面熔射处理。当进行熔射处理时，操作人员可位于密闭隔间118的外面通过控制装置来控制机械手臂119移动熔射装置120，同时启动熔射装置120，以便利用熔射装置120来对半导体设备零组件的表面熔射处理。在进行操作时，操作人员可通过密闭隔间118的透明窗118a来得知熔射处理的情形。例如适用于铝底材施作阳极处理的零组件，在清洗前必须根据零组件之状态，而作不同事前准备。当零组件为新品件时，先使用皂洗液进行脱脂制程，之后再进行新阳极膜处理，完成后进入清洗流程。当零组件为阳极再生件，需将旧阳极膜进行退镀及新阳极膜再生制程与新熔射膜再生制程，完成后进入清洗流程。当零组件为上机清洗件，依据不同反应腔体制程取相对应的药液进行除膜制程，完成进入清洗流程。在清洗前准备完成后，即可进行清洗流程，其步骤例如依序如下:一次IPA擦拭，使用无尘布沾取IPA(异丙醇)均匀擦拭零组件表面；纯水冲洗，接续使用纯水完全喷洗零组件表面；脱脂，再将零组件浸泡于配置温度40?50°C、清洁剂(ALC0N0X Luminox)药液中，以清除零组件表面油脂；二次纯水冲洗，再使用纯水完全喷洗零组件表面；二次IPA擦拭，将零组件转置进入无尘室，将零组件置放于平台，使用无尘布沾少许IPA(异丙醇)均匀擦拭零组件表面；超纯水冲洗:在无尘室完全喷洗零组件表面，时间2?5分钟；热超纯水浸泡，在无尘室，将零组件浸泡于溢流的超纯水温度40?50°C中，浸泡时间5?15分钟；二次超纯水冲洗，在无尘室内使用超纯水完全喷洗零组件表面；超音波清洗，在无尘室内将零组件浸泡于溢流的超纯水室温中，搭配超音波频率40kHz，进行超音波清洗；再次超纯水冲洗:在无尘室，使用超纯水完全喷洗零组件表面；吹干，在无尘室，使用洁净空气或氮气吹干零组件表面；烘干:进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体设备零组件，其特征在于：所述半导体设备零组件包括：零组件本体；多个凸状部，形成于所述零组件本体上；耐热胶带，包覆于所述多个凸状部上，以避免熔射处理影响所述多个凸状部的表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李澄盛，
申请(专利权)人：世平科技深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44