电感耦合等离子处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及电感耦合等离子处理装置，本发明专利技术公开一种感应场等离子处理装置，包括：腔室主体；电介质组装体，设置成覆盖所述长方形开口部，包括多个长方形电介质及支撑所述多个电介质的格子框架；基板支架，气体喷射部；天线部，在所述处理空间形成感应场，其中，所述格子框架，包括：最外廓框架，以所述长方形开口部为基准而形成最外廓；一个以上的内侧框架，位于所述最外廓框架的内侧，从所述最外廓框架的内侧到宽度方向及幅度方向的距离相同；所述天线部，包括：最外廓天线部件，被布置成从所述最外廓框架的内侧到宽度方向及幅度方向的距离相同；一个以上的内侧天线部件，被布置成从所述内侧框架的内侧及外侧到宽度方向及幅度方向的距离相同。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电感耦合等离子处理装置。
技术介绍
电感耦合等离子处理装置是执行蒸镀工序、蚀刻工序等基板处理的装置，在形成密闭处理空间的腔室主体与腔室主体的顶部设置电介质，在电介质的上侧设置高频(RF)天线，并向天线施加电源而在处理空间形成感应场，根据感应场而使处理气体等离子化，从而执行基板处理。这时，关于所述电感耦合等离子处理装置的基板处理的对象，只要是需要蒸镀、蚀刻等基板处理的对象，任何基板皆可，如AM0LED基板、LCD面板用基板、半导体晶片等。同时，随着对大型基板的需求增加，需处理更多数量的基板，为了响应因此而出现的增加生产速度的要求，执行基板处理的电感耦合等离子处理装置也呈现大型化的趋势。并且，随着电感耦合等离子处理装置的大型化，所使用的电介质因其制造上的局限及便利而被分成多个，且通过框架部件而支撑被分割的多个电介质。但是，根据以往的电感耦合等离子处理装置，多个电介质被金属材质的框架部件支撑，设置在上部的天线因其与框架部件的相互作用所导致的涡电流(Eddy current)等，对处理空间内形成的感应场产生直接的影响，电场根据天线的位置而变得不均匀，难以实现均匀的基板处理。尤其，根据以往的电感耦合等离子处理装置，因多个电介质的大小相同，设置在其上部的天线部件与相邻的天线部件之间的间隔因设置位置而变得不同，从而导致电场不均匀，难以实现均匀的基板处理。
技术实现思路
(要解决的技术问题)本专利技术的目的在于，为了解决如所述的问题点，提供一种感应场等离子处理装置，将天线部件适当地布置到被长方形格子框架支撑的多个电介质上，从而在处理空间形成均匀的磁场。(解决问题的手段)本专利技术为了达成如所述的本专利技术的目的而提出，本专利技术公开一种感应场等离子处理装置，包括:腔室主体，其上侧形成具有不同的幅度及宽度的长方形开口部；电介质组装体，设置成覆盖所述长方形开口部，包括多个长方形电介质及支撑所述多个电介质的格子框架；基板支架，设置在所述腔室主体而支撑基板；气体喷射部，向所述处理空间喷射气体；天线部，设置在所述电介质组装体的上部，在所述处理空间形成感应场，其中，所述格子框架，包括:最外廓框架，以所述长方形开口部为基准而形成最外廓；一个以上的内侧框架，位于所述最外廓框架的内侧，从所述最外廓框架的内侧到宽度方向及幅度方向的距离相同；所述天线部，包括:最外廓天线部件，被布置成从所述最外廓框架的内侧到宽度方向及幅度方向的距离相同；一个以上的内侧天线部件，被布置成从所述内侧框架的内侧及外侧到宽度方向及幅度方向的距离相同。所述内侧天线部件，被布置成从所述内侧框架的内侧及外侧中的一侧到宽度方向及幅度方向的距离相同。所述外侧天线部件及所述内侧天线部件，被布置成平面上天线部件所占区域的中心线之间的宽度方向及幅度方向的距离相同。所述外侧天线部件及所述内侧天线部件，被布置成平面上天线部件所占区域中最近的多个边缘处之间的宽度方向及幅度方向的距离相同。所述多个电介质中，位于所述腔室主体的开口部的顶点处的电介质，其平面形状优选为正方形。所述外侧天线部件及所述内侧天线部件，包括至少一部分相互分岔后重新汇合的一个以上的分贫部。关于所述格子框架，所述格子框架优选具有nXm排列(η及m为3以上的自然数)的长方形开口。(专利技术的效果)根据本专利技术的感应场等离子处理装置，通过适当地布置天线部及电介质组装体，使电介质组装体对根据天线部件形成的感应场所造成的影响均匀化，从而能够使处理空间内形成的感应场更加均匀。具体地说，由从最外廓框架及最外廓框架的内侧到宽度方向及幅度方向的距离相同的一个以上的内侧框架构成支撑电介质的格子框架；由布置成从最外廓框架的内侧到宽度方向及幅度方向的距离相同的最外廓天线部件，及布置成从内侧框架的内侧及外侧到宽度方向及幅度方向的距离相同的一个以上的内侧天线部件构成天线部；从而固定天线部件与框架之间的干涉，能够使处理空间内形成的感应场更加均匀。S卩，若天线部件与框架的之间的干涉是固定的，通过控制根据基板平面位置的气体供应量、温度等其他变数，能够更容易地实现处理空间内形成的感应场的均匀性。【附图说明】图1是呈现根据本专利技术的感应场等离子处理装置的侧剖面图。图2是通过简化图1的感应场等离子处理装置的天线部及电介质组装体而显示天线区域的概念图。图3是呈现图2的天线部及电介质组装体的一例的平面图。图4是呈现图2的天线部及电介质组装体的变形例的概念图。图5是呈现图2的天线部中天线区域的中心线之间的距离的概念图。符号说明100:真空腔室 150:电介质组装体200:天线部【具体实施方式】下面，参照附图而说明根据本专利技术的感应场等离子处理装置。根据本专利技术的电感耦合等离子处理装置，如图1及图2所图示，包括:腔室主体110，其上侧形成具有不同的幅度及宽度的长方形开口部；电介质组装体150，设置成覆盖开口部；气体喷射部120，向处理空间S喷射气体；基板支架130，设置在腔室主体110而支撑基板10 ;天线部200，设置在电介质组装体150的上部，在处理空间S形成感应场。所述腔室主体110是用于形成处理空间S的结构，只要是能够承受住执行工序所需的既定真空压的结构，任何结构皆可。优选地，所述腔室主体110的形状对应于被处理基板10的形状，形成用于基板10入出的一个以上的门111，为了消除处理空间S内的压力控制及副产物，可连接到与真空栗(未图不)相连的排气管180。并且，用于覆盖天线部200的上部铅条140可拆卸地结合到所述腔室的主体110，从而支撑天线部200，屏蔽天线部200形成的感应场。所述气体喷射部120是为了执行工序而与气体供应装置连接，向处理空间S喷射气体的结构，可采用多种结构。所述气体喷射部120，如图1所图示，设置在腔室主体110的侧壁或电介质组装体150的下侧，可采用多种设置方式。尤其，所述气体喷射部120与图1不同，可设置在支撑电介质151的格子框架152上。所述基板支架130是用于安放基板10的结构，只要是能够支撑基板10的结构，任何结构皆可，可根据工序而被施加电源或接地，可设有用于冷却或加热的热传递部件。所述电介质组装体150，如图1至4所图示，设置成覆盖长方形开口部，包括多个长方形电介质151及支撑多个电介质151的格子框架152。所述电介质151，是为通过天线部200在处理空间S形成感应场而夹杂到处理空间S与天线部200之间的结构，可具有多种结构，其材质可以是石英、陶瓷等。同时，所述电介质151的平面形状为长方形形状，从而能够被设置在通过格子框架152形成的长方形开口上。并且，所述电介质151，其大小可根据外廓部及中心部的位置而改变。尤其，所述多个电介质151中，位于腔室主体110的开口部的顶点处的电介质151，其平面形状优选为正方形形状。若位于所述腔室主体110的开口部的顶点处的电介质151的平面形状为正方形形状，能够容易使得针对最外廓框架310的内侧框架320的宽度方向与幅度方向的距离相同。所述格子框架152，是支撑多个电介质151的结构，可由一个以上的框架部件构成，具有根据格子结构形成的长方形开口。这时，优选地，如图1所图示，构成格子框架152的框架部件形成能够稳定支撑电介质151的台阶。尤其，与后述的天线部200的布置相组合而形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种感应场等离子处理装置，其特征在于，包括：腔室主体，其上侧形成具有不同的幅度及宽度的长方形开口部；电介质组装体，设置成覆盖所述长方形开口部，包括多个长方形电介质及支撑所述多个电介质的格子框架；基板支架，设置在所述腔室主体而支撑基板；气体喷射部，向所述处理空间喷射气体；天线部，设置在所述电介质组装体的上部，在所述处理空间形成感应场，其中，所述格子框架，包括：最外廓框架，以所述长方形开口部为基准而形成最外廓；一个以上的内侧框架，位于所述最外廓框架的内侧，从所述最外廓框架的内侧到宽度方向及幅度方向的距离相同；所述天线部，包括：最外廓天线部件，被布置成从所述最外廓框架的内侧到宽度方向及幅度方向的距离相同；一个以上的内侧天线部件，被布置成从所述内侧框架的内侧及外侧到宽度方向及幅度方向的距离相同。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴守镐，
申请(专利权)人：圆益IPS股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR